碳化硅陶瓷材料的聲學(xué)特性研究-資料下載頁
2025-06-28 16:29本頁面
【正文】 分為缺陷所在位置。 K1的缺陷波(220mv) K2的缺陷波(220mv) K3的缺陷波(260mv) K4的缺陷波(480mv) K5的缺陷波(580mv) K6的缺陷波(420mv) K7的缺陷波(780mv) K8的缺陷波(760mv) K9的缺陷波(780mv)=12mm，探頭頻率為10MHZ的探頭進(jìn)行測(cè)量槽缺陷。圖中豎線部分為缺陷所在位置。 C1的缺陷波(380mv) C2的缺陷波(360mv) C3的缺陷波(340mv) C4的缺陷波(420mv) C5的缺陷波(540mv) C6的缺陷波(640mv) C7的缺陷波(760mv) C8的缺陷波(820mv) C9的缺陷波(900mv)為更直觀地表示缺陷的波高，整理成表格如下：表31 缺陷的波高探頭型號(hào)K1K2K3K4K5K6K7K8K9T=5MHZ D=12mm//240mv220mv380mv360mv500mv580mv480mvT=10MHZ D=12mm220mv220mv260mv480mv580mv420mv780mv760mv780mv探頭型號(hào)C1C2C3C4C5C6C7C8C9T=5MHZ D=12mm200mv320mv300mv260mv500mv400mv340mv600mv600mvT=10MHZ D=12mm380mv360mv340mv420mv540mv640mv760mv820mv900mv 陶瓷材料表面貼其余材質(zhì)的研究由于陶瓷材料的孔隙率較大，若需要防水或其他檢測(cè)要求時(shí)，可能會(huì)要求在陶瓷表面貼膠帶或者膜，則在陶瓷表面貼膠帶和膜看何種材料的效果較好。實(shí)驗(yàn)用不一樣的探頭及表面的物質(zhì)進(jìn)行對(duì)比，數(shù)據(jù)如下表所示：探頭型號(hào)貼膠帶/膜一次底波二次底波三次底波四次底波ΔtT=5MHZ D=12mm膠帶84mv65mv44mv38mvT=5MHZ D=12mm膜72mv61mv52mv42mvT=10MHZ D=12mm膠帶61mv52mv51mv50mvT=10MHZ D=12mm膜240mv192mv188mv156mv表32 在不同實(shí)驗(yàn)條件下的底波從表中可以看出，膠帶的衰減較大，所以在實(shí)驗(yàn)有要求時(shí)，可以在表面貼膜。4．結(jié)論及展望聲速實(shí)驗(yàn)的結(jié)論：陶瓷材料的縱波聲速，因厚度和試塊的不同，聲速有差異但不大，但平均縱波聲速為11000m/s。橫波聲速平均為7000m/s。陶瓷材料聲速大，波長(zhǎng)長(zhǎng)，缺陷檢出能力較低，所以要采用高頻探頭進(jìn)行檢測(cè)。而表面波的聲速較大，波形不好與探頭的始波分離開來，波形比較雜亂，可能會(huì)導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的不精確所以需要性能更佳的探頭進(jìn)行測(cè)量。最終測(cè)出表面波聲速為6579m/s。聲衰減實(shí)驗(yàn)的結(jié)論：D=11mm的試塊，。D=6mm的試塊，。陶瓷材料的聲衰減試塊不同，有一定的差異，衰減嚴(yán)重，所以也不利于使用高頻探頭。 缺陷實(shí)驗(yàn)的結(jié)論：陶瓷試塊的人工缺陷：T=5MHZ，D=12mm的探頭能檢出K9，K8，K7，K6,K5,C9,C8，C7，C6，C5，C3,C2。C7，C4，C1信號(hào)較弱，不能檢出全部的缺陷。而T=10MHZ，D=12mm的探頭孔和槽均能全部檢出。還試用了T=10MHZ,D=6mm的探頭測(cè)量過，但雜波太多無法分出缺陷波。所以可根據(jù)陶瓷塊厚度，使用縱波直探頭進(jìn)行檢測(cè)。陶瓷表面貼不同材質(zhì)的結(jié)論：膠帶的衰減比膜更大，所以若現(xiàn)場(chǎng)要求表面防水等要求，則應(yīng)選擇貼膜更好。至今為止, 我國關(guān)于現(xiàn)代陶瓷超聲波探傷的研究還不很多, 積累的數(shù)據(jù)較少, 還沒有客觀性較強(qiáng)的標(biāo)準(zhǔn)試塊。由于聲速和聲衰減對(duì)于探頭頻率的矛盾也需要根據(jù)實(shí)際情況來解決。今后需加強(qiáng)研究的方向是新探傷方法的開發(fā)應(yīng)用以及高性能探頭的開發(fā)。當(dāng)然, 伴隨著以計(jì)算機(jī)技術(shù)為具體體現(xiàn)的信息技術(shù)的突飛猛進(jìn), 現(xiàn)代超聲無損檢測(cè)技術(shù)也正在向著數(shù)字信號(hào)處理和檢測(cè)成像的方面發(fā)展參考文獻(xiàn)[] 羅文輝,陳虹,于水,[J].現(xiàn)代技術(shù)陶瓷,2003,01:3538.[2] [D].:西北工業(yè)大學(xué),2003..[3] and . Tittmann.[4] .[5] ADA043959, and .[6] ADA059063, and .[7] 沈建中,蔣福棠. 結(jié)構(gòu)陶瓷材料的超聲無損檢測(cè)[J]. 應(yīng)用聲學(xué),1992,06:17.[8] 徐翔星. C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的X射線無損檢測(cè)研究[D].西北工業(yè)大學(xué),2003.[9] 馮炎建,馮祖德,李思維,張偉華,欒新剛,劉永勝,成來飛. C/SiC復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)的顯微CT表征分析[J]. 航空材料學(xué)報(bào),2011,02:4954.[0] 馮炎建,馮祖德,劉永勝,欒新剛,張偉華,成來飛. 2D C/SiC復(fù)合材料高溫蠕變損傷的顯微CT分析[J]. 金屬熱處理,2011,S1:482485.[1] 鄧曉東,成來飛,梅輝,孫磊,張立同,徐永東,孟志新,趙東林. C/SiC復(fù)合材料的定量紅外熱波無損檢測(cè)[J]. 復(fù)合材料學(xué)報(bào),2009,05:112119.[2] 梅輝,陳曦,鄧曉東,孫磊,成來飛,張立同. 三維針刺C/SiC密度梯度板的無損檢測(cè)與評(píng)價(jià)[J]. 復(fù)合材料學(xué)報(bào),2010,06:106112.[3] 梁菁,史亦韋. 陶瓷及陶瓷基復(fù)合材料微缺陷的超聲檢測(cè)[J]. 材料工程,2003,04:3033.[14] 張海瀾. 圓形厚度模換能器在固體介質(zhì)中輻射的直達(dá)波和邊緣波[J]. 中國科學(xué)報(bào),1988,12:123126.致謝在這次畢設(shè)期間，從畢設(shè)開始到結(jié)束都得到了陸銘慧老師的悉心指導(dǎo)和親切關(guān)懷。從論文的選題、研究方法的探索、技術(shù)路線的確定以及論文撰寫的整個(gè)過程中，X老師都給予了我精心的指導(dǎo)和孜孜不倦的教誨。X老師嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度、敏捷的思維、寬以待人的處事作風(fēng)、和藹的笑容，都將使我永生難忘。X老師的教誨我將銘記在心，這也必將照亮我今后的人生道路。在此謹(jǐn)向X老師致以由衷的敬意和誠摯的感謝！本文在完成過程中得到了導(dǎo)師X老師的悉心指導(dǎo)。導(dǎo)師在研究課題選題及論文整體框架的確立方面給予了我極大的幫助。同時(shí)，一學(xué)期來，導(dǎo)師在指導(dǎo)我本人完成畢設(shè)及論文的同時(shí)還在生活上和工作上教育了我，從生活作風(fēng)和對(duì)待工作的態(tài)度上讓我我受益匪淺，在此表示感謝。在論文的寫作過程中，得到了XXX老師和教研室的其他老師的細(xì)心指導(dǎo)和作者同學(xué)們的熱心支持和幫助，在此一并表示誠摯的謝意。另外還要感謝09級(jí)測(cè)控技術(shù)與儀器專業(yè)全體同學(xué)和老師們，在大學(xué)四年，給了我很多知識(shí)和歡聲笑語，讓我成長(zhǎng)了很多，收獲了很多。我還要深深地感謝我的家人!感謝爸爸媽媽在我人生的道路上給予關(guān)懷和幫助，他們一直是我學(xué)習(xí)的榜樣和動(dòng)力，感謝他們多年來的辛勤撫育和悉心教導(dǎo)，感謝他們?cè)谖仪髮W(xué)期間所做的犧牲和奉獻(xiàn)。還要感謝我身邊的同學(xué)，在實(shí)驗(yàn)過程中，一起討論，最終才能實(shí)現(xiàn)。由于本人水平有限，文中難免存有不足之處，懇請(qǐng)專家、老師、同學(xué)們批評(píng)指正。34
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