晶體硅電池制作過程-資料下載頁(yè)
2025-05-02 08:31本頁(yè)面
【正文】 約 10μm左右，間距約 100μm。 ?金屬膏的成分有： 有機(jī)溶劑，使得金屬膏呈現(xiàn)流動(dòng)態(tài)； 有機(jī)結(jié)合劑，固定金屬粉末； 銀粉，粒度 10μm左右； 玻璃粉，低熔點(diǎn)、高活性的氧化物粉末，可以對(duì)硅表面進(jìn)行蝕刻反應(yīng)，幫助銀粉與硅表面的結(jié)合。 57 59 尼龍絲網(wǎng)印刷基本流程 61 不銹鋼絲網(wǎng)印刷基本流程 Close up of a screen used for printing the front contact of a solar cell. During printing, metal paste is forced through the wire mesh in unmasked areas. The size of the wire mesh determines the minimum width of the fingers. Finger widths are typically 100 to 200 181。m. Close up of a finished screenprinted solar cell. The fingers have a spacing of approximately 3 mm. An extra metal contact strip is soldered to the busbar during encapsulation to lower the cell series resistance. Front view of a pleted screenprinted solar cell. As the cell is manufactured from a multicrystalline substrate, the different grain orientations can be clearly seen. The square shape of a multicrystalline substrate simplifies the packing of cells into a module. ?通常也采用網(wǎng)印技術(shù)來(lái)制造，與正面電極的不同點(diǎn)在于，金屬膏成分同時(shí)含有銀粉和鋁粉。這是因?yàn)殂y粉本身無(wú)法與 P型硅形成歐姆接觸，而鋁雖然可與 P型硅形成歐姆接觸，但焊接性差，必須兩者混合使用。 ?雖然一整層連續(xù)的背面電極的電阻較小，但生產(chǎn)中習(xí)慣采用正面電極般的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。因?yàn)橐徽麑舆B續(xù)的背面電極會(huì)因?yàn)椴煌臒崤蛎浵禂?shù)，而使得晶片在高溫處理時(shí)發(fā)生彎曲變形。 64 6 背面電極網(wǎng)?。?Back Contact Print） Rear view of a finished screenprinted solar cell. The cell have a grid from a single print of Al/Ag paste with no BSF, The cell have a coverage of aluminium that gives a BSF but requires a second print for solderable contacts. （ 1） 切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。 （ 2） 清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去 30－ 50um。 （ 3） 制備絨面：用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。 （ 4） 磷擴(kuò)散：采用涂布源（或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源）進(jìn)行擴(kuò)散，制成 PN＋結(jié)，結(jié)深一般為 － 。 （ 5） 周邊刻蝕：擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會(huì)使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。 （ 6） 去除背面 PN＋結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面 PN＋結(jié)。 （ 7） 制作上下電極：用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。 （ 8） 制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有 MgF2 ， SiO2 ， Al2O3 ， SiO ， Si3N4 ， TiO2 ， Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、 PECVD法或噴涂法等。 （ 9） 燒結(jié)：將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。 （ 10）測(cè)試分檔：按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測(cè)試分類。
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