微波工程期中報(bào)告-資料下載頁(yè)
2024-10-11 18:14本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】魏吉鴻,“微波積體化功率放大器。定、電路穩(wěn)定性考量及輸入與輸出阻抗匹配等。，而它們的特性比較如表1所示。有不同的要求度。一般雙載子電晶體放大器組態(tài)。有共射極、共基極、共集極組態(tài)。固定偏壓、自給偏壓、雙正電源偏壓。在直流訊號(hào)輸入端加入RFC. 阻隔高頻訊號(hào)，避免和直流相互干擾[1]。仍會(huì)消耗直流功率。功率，故效率因而提升，偏壓位在截止區(qū)，在理想的情況下，最高的效。器之間，所以其特性介於兩者之間。統(tǒng)上，此類放大器較不適合。電閘開(kāi)關(guān)形式有D類、E類和F類放大器[2]. 率效益提高的效果。電閘開(kāi)關(guān)形式放大器。於低線性度而需超省電的無(wú)線通訊系統(tǒng)。砷化鎵材料技術(shù)已相當(dāng)成熟穩(wěn)定，加上砷。配網(wǎng)路，達(dá)到最大輸出於負(fù)載端圖4。電晶體射極面積為×15. 方便在晶片上量測(cè)，輸入和輸出同採(cǎi)用。採(cǎi)直流排針150μm間距佈局方式(圖10)?！拔杭櫋眹?guó)立中央大學(xué)電機(jī)工程系2020年6月碩士論文“魏吉鴻”國(guó)立中央大學(xué)電機(jī)工程系2020年6月碩士論文
【正文】 分開(kāi)設(shè)計(jì)，再利用打線技術(shù)將兩級(jí)串聯(lián)後使輸出功率可達(dá)20 dBm，電晶體選用射極面積為 60μm2的InGaP/GaAs HBT功率元件第一級(jí)與第二級(jí)完整功率放大器電路。 圖 14 (a)第一級(jí) (b)第二級(jí)完整電路圖 “ 魏吉鴻 ” 國(guó)立中央大學(xué) 電機(jī)工程系 2020年 6月 碩士論文 ? 模擬第一級(jí)與第二級(jí)電路的小訊號(hào) S參數(shù)得兩級(jí)串聯(lián)電路在 GHz時(shí)的 S11 = dB、 S21 = dB、S22 = dB圖 15。 ? 模擬電路大訊號(hào)特性，兩級(jí)串聯(lián)電路結(jié)果 (圖 16)電路功率增益為 dB、最大功率為 20 dBm及最大附加功率效益為 27 %。 圖 15兩級(jí)串聯(lián)的 S參數(shù)對(duì)頻率的關(guān)係圖 圖 16 模擬兩級(jí)串聯(lián)電路的輸出結(jié)果特性圖 “ 魏吉鴻 ” 國(guó)立中央大學(xué) 電機(jī)工程系 2020年 6月 碩士論文 結(jié)論 ? 晶圓製造公司所提供的砷化鎵技術(shù)，利用InGaP/GaAs異質(zhì)接面雙極性電晶體、電感、電容、電阻等砷化鎵製程技術(shù)，成功設(shè)計(jì)製作出整合性單石微波積體電路 (MMIC)功率放大器。 ? 氧化鋁基板上微波積體電路 (MIC)功率放大器的利用主動(dòng)元件 (InGaP/GaAs異質(zhì)接面雙極性電晶體 )、平面薄膜製程技術(shù)及打線技術(shù)完成，可適用於無(wú)線通訊區(qū)域網(wǎng)路系統(tǒng)。 “ 魏吉鴻 ” 國(guó)立中央大學(xué) 電機(jī)工程系 2020年 6月 碩士論文 參考文獻(xiàn) ? [1] 袁帝文 , 謝孟翰 , 王弘毅和王岳華 “高頻通訊電路設(shè)計(jì)” , 2020. ? [2] Steve C. Cripps, ―RF Power Amplifiers for Wireless Communication‖ Artech House, Inc., 1999. ? [3] 國(guó)立中央大學(xué)電機(jī)工程魏吉鴻碩士論文 . “ 魏吉鴻 ” 國(guó)立中央大學(xué) 電機(jī)工程系 2020年 6月 碩士論文 心得 ? 本研討論文內(nèi)的各種設(shè)計(jì)，都用在無(wú)線通訊系統(tǒng)上面，在無(wú)線通訊上面，基地臺(tái)設(shè)置廣泛，既然放大器的技術(shù)性提升改善訊號(hào)傳輸，那基地臺(tái)的設(shè)置是否反之減少 ?
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