微波工程期中報告-預(yù)覽頁
【正文】 1 電晶體特性比較表 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 ? 直流偏壓選定 不同的偏壓類別代表著對功率放大器的輸出功率、線性度、功率增益或附加功率效益有不同的要求度。 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 圖 2 (a)固定偏壓 (b)自給偏壓 (c)雙正電源偏壓電路 圖 3 不同直流偏壓工作點 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 ? 傳統(tǒng)形式 有 A類、 B類、 AB類和 C類放大器 A類：偏壓點屬電晶體線性區(qū)，輸入與輸出訊號呈線性關(guān)係，因線性度是最好的，故是個效率非常低的放大器，沒有訊號輸入時仍會消耗直流功率。 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 AB類放大器：此類放大器偏壓在 A、 B類放大器之間，所以其特性介於兩者之間。 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 單石微波積體化製作 ? 砷化鎵材料技術(shù)已相當(dāng)成熟穩(wěn)定，加上砷化鎵基板比矽基板擁有較低高頻操作下的基板損耗，並配合其所磊晶成長的高電流密度、高崩潰電壓、及較佳高頻特性砷化鎵異質(zhì)接面雙載子電晶體 (HBT)，所以砷化鎵材料是非常適合製作單石微波積體化功率放大器。 圖 7 GHz MMIC PA 電路 “ 魏吉鴻 ” 國立中央大學(xué) 電機工程系 2020年 6月 碩士論文 電路模擬得到小訊號 S參數(shù) ? GHz時 (圖 8) ? S11 = dB ? S21 = dB ? S22 = dB 電路模擬得到大訊號特性 ? 結(jié)果 (圖 9)電路功率增益為 dB、最大功率為 dBm及最大附加功率效益為 33 %。 ? 三：交互調(diào)變失真 (圖 13)。 ? 模擬電路大訊號特性，兩級串聯(lián)電路結(jié)果 (圖 16)電路功率增益為 dB、最大功率為 20 dBm及最大附加功率效益為 2
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