晶體管的熱學(xué)-二次擊穿-開關(guān)特性設(shè)計考慮-資料下載頁
2025-10-09 16:06本頁面
【正文】 (2) CTC↓ ① AC ↓ ② NC ↓( 但會使 rcs↑) 要使 ?eb↓，應(yīng)： (1) re↓→IE↑(因 ，但受大注入等限制 ) (2) CTE↓ Ee qIkTr ?① AE↓ ( l↓, s↓ ) ② NB↓( 但會使 rbb’↑， VA↓) 要使 ?b↓，應(yīng)： (1) WB↓( 但會使 rbb’↑， VA↓，且受工藝限制 ) (2) η↑ ( 采用平面工藝 ) 2dcBe c e b b d c e TE c s TCB m a x21 122xWr C r CDv? ? ? ? ? ????? ? ? ? ? ? ? ? ? ????? ，故一般情況下應(yīng)減小 WB 。但當(dāng) WB 減小到 ?b 不再是 ?ec 的主要部分時，再減小 WB 對繼續(xù)減小?ec 已作用不大，而對 rbb’ 的增大作用卻不變。同時工藝上的難度也越來越大。 2b b b BB1 ,rWW ?? ??而 幾個主要矛盾 (1) 對 WB 的要求 (2) 對 NB 的要求 減小 rbb’ 與減小 ?eb 及增大 對 NB 有相矛盾的要求。這個矛盾可通過采用無源基區(qū)（即非工作基區(qū)）重?fù)诫s來緩解。這樣可以降低 R口 B3 ，從而減小 rbb’ 中的 rcon 與 rcb ，但不會影響 ?eb 與 。 ?? 減小 ?d 及 rcs 與減小 CTC 及提高 BVCBO 對 NC 有矛盾的要求。這個矛盾可以通過在重?fù)诫s的 N+ 襯底上生長一層輕摻雜的 N 外延層來緩解。外延層厚度與襯底厚度的典型值分別為 10 ?m 與 200 ?m 。 (3) 對 NC 的要求 總結(jié)以上可知，對高頻晶體管結(jié)構(gòu)的基本要求是：淺結(jié)、細線條、無源基區(qū)重?fù)诫s、 N+ 襯底上生長 N 外延層。 除以上主要矛盾外，還存在一些相對次要的其它矛盾，在進行高頻晶體管的設(shè)計時需權(quán)衡利弊后做折衷考慮。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1