晶體管單級放大器設(shè)計-資料下載頁
2025-01-08 15:08本頁面
【正文】 紹的設(shè)計方法與測試技術(shù) ， 寫出設(shè)計預(yù)習(xí)報告 (其要求見附錄二 )。 ② 根據(jù)已知條件及性能指標(biāo)要求 ， 確定電路(要求分別采用無負(fù)反饋與有負(fù)反饋兩種放大器電路 )及器件 (晶體管可以選硅管或鍺管 )，設(shè)置靜態(tài)工作點 ， 計算電路元件參數(shù) 。 (以上兩步要求在實驗前完成 ) ③ 在實驗面包板上安裝電路 ， 其布線方法參閱附錄一 。 測量與調(diào)整靜態(tài)工作點 ， 使其滿足設(shè)計計算值要求 。 ④ 測試性能指標(biāo)，調(diào)整與修改元件參數(shù)值，使其滿足放大器性能指標(biāo)要求，將修改后的元件參數(shù)值標(biāo)在設(shè)計的電路圖上 (先安裝測試無負(fù)反饋的放大器，后安裝測試有負(fù)反饋的放大器 )。 ⑤ 上述各項完成后 ， 再進行實驗研究 ， 研究內(nèi)容見后面的 “ 實驗與思考題 ” 部分 。 ⑥ 所有實驗完成后，寫出設(shè)計性實驗報告，其要求詳見附錄二。 電阻和電容的參數(shù)： 實驗與思考題 分別增大或減小電阻 RB RC、 RL、RE及電源電壓 +VCC， 對放大器的靜態(tài)工作點 Q及性能指標(biāo)有何影響 ？ 為什么 ？ 加大輸入信號 Vi時 ， 輸出波形可能會出現(xiàn)哪幾種失真 ？ 分別是由什么原因引起的 ？ 影響放大器低頻特性 fL的因素有哪些？采取什么措施使 fL降低？為什么？ 實驗與思考題 提高電壓放大倍數(shù) AV會受到哪些因素限制 ？ 采取什么措施較好 ？ 為什么 ？ 一般情況下 ， 實驗調(diào)整后的放大器的電路參數(shù)與設(shè)計計算值都會有差別 ， 為什么 ？ 測量靜態(tài)工作點時，用萬用表分別測量晶體管的各極對地的電壓，而不是直接測量電壓 VCE、 VBE及電流 ICQ，為什么？ 實驗與思考題 測量放大器性能指標(biāo) Ri、 Ro、 AV及 BW時 ，是用晶體管毫伏表或示波器分別測量輸入 、 輸出電壓 ， 而不是用萬用表測量 ， 為什么 ？ 測量輸入電阻 Ri及輸出電阻 Ro時 ， 為什么測試電阻 R要與 Ri或 Ro相接近 ？ 調(diào)整靜態(tài)工作點時 ， RB1要用一固定電阻與電位器相串聯(lián) ， 而不能直接用電位器 ， 為什么 ？ 用實驗說明圖 饋電路，改善了放大器的哪些性能？為什么？ CB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoViRB224k ?CB＋RB160 k ?RC1 . 7 5 k ?RE1. 62 k ?CE1 0 m F＋1 4 7 m FRL3k ?＋1 0 m FCC＋ 12 V＋ VCC 3 D G 1 0 0RF26 ?＋－＋－*VoViRB224k ?CB＋RB160 k ?RC1 . 7 5 k ?RE1. 62 k ?CE1 0 m F＋1 4 7 m FRL3k ?＋1 0 m FCC＋ 12 V＋ VCC 3 D G 1 0 0RF26 ?＋－＋－*VoViCB＋＋I1－RB2RB1IBQVBQVEQVC E QICQRCRECERLCC＋T＋ VC C＋－＋VoVi
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