【正文】 。 此系統是工業(yè)控制計算機發(fā)出控制命令，通過與單片機的通信，按命令單片機產生控制步進電機運轉的脈沖信號。按照發(fā)出不同的控制命令，使二維步進電機 分別作正轉，反轉，快轉，慢轉和停止等動作，還可自成系統自動運行。它的控制系統工作原理圖： 工業(yè)控制計算機是二維步進電機的控制系統的主機，負責從鍵盤接收外部命令由串行口輸出后，再經接口電路發(fā)送單片機，然后接收單片機回送的命令數據并進行比較。 接口電路實現上位機串行口信號與單片機 TTL 信號之間的轉換，以實現工業(yè)控制計算機與單片機的正常通信。 單片機負責從工業(yè)控制計算機上接收命令，并將其轉換成控制脈沖信號，從并行口發(fā)出到步進電機驅動電路。在脫離工業(yè)控制計算機的控制時，還要 保證系統能按一定程序自動運行。 課題準備 : *熟悉單片機及常用芯片的用法 ,查閱相關書籍資料 。 *查找所有芯片資料 。 *對所設計系統有一個初步的設計方案 。 *查找外文資料以作參考。 設計計劃 : 第一周至第二周 : 了解課題設計要求 ,查找書籍資料 ,安裝所需軟件。 西安工業(yè)學院畢業(yè)論文 30 第三周至第六周 : 對單片機進行理論和實際的學習 ,并逐步掌握 ,對設計題目有一個總體的設計方案。 第七周至第十二周 : 初步完成具體的電路設計 ,運行通過 。完成英文資料的查找及翻譯 。擬出中期報告。 第十三周至第十五周 : 進行硬件的完善 ,調試并完成畢業(yè) 設計論文。 第十六周 : 進入畢業(yè)設計的后期工作 ,完善論文 ,準備答辯。 在論文設計期間 ,我一定嚴格按照設計計劃 ,如期完成畢業(yè)論文。對設計中遇到的問題 ,會虛心的向老師和同學求教 ,爭取在師老師的指導下出色的完成畢業(yè)設計。 指導老師 : 師公社 學生 : 陳媛 2021 年 3 月 西安工業(yè)學院畢業(yè)論文 31 8． 2 中期報告 《運動控制智能模擬負載》 —— 硬件部分 畢業(yè)設計中期報告 一、題目 運動控制的智能模擬負載系統，主要是用單片機控制來實現對運動控制系統實驗中負載對象及其變化規(guī)律的要求。此項畢業(yè)設計囊括了專業(yè)電工、電子、電力電子技術，MCS— 51 系列單片機工作原理及應用技術， PROTEL 技術等學科知識。 二、系統結構的簡單框圖 該系統旨在利用單片機實現對負載對象變化的控制，其主要由單片機 ， SPI 串行總線的 E2PROM 參數存儲，鍵盤，帶光電耦合的 RS485 接口芯片，顯示及常規(guī)可靠性接地設計組成，具體如下： 三、系統主要器件的選取及其設計的簡要介紹 * AT89C51 單片機 AT89C51 是一種帶有 4KBFlash 可編程、可擦除只讀存儲器（ EEPROM）的低壓、高性能 8位 CMOS 微型計算機。通過在單塊芯片上組合通用的 CPU 和 Flash 存儲器。在需要 I/O線不多的控制場合，選用它作為核心控制芯片，可使電路極大的簡化，而且程序的編寫西安工業(yè)學院畢業(yè)論文 32 及固化也相當方便、 靈活。 * X5043/45 接口芯片 在該系統中，為解決電源開斷、瞬時電壓不穩(wěn)等不安全因素，將會造成系統死機、信息丟失、運行不穩(wěn)定等故障，實現系統安全可靠、穩(wěn)定、實時運行，故采用 X5045 芯片。 X5045 是將可編程看門狗、電壓監(jiān)控、 E2PROM 集于一體的多功能芯片，該芯片具有體積小、占用 I/O 少等優(yōu)點，應用于系統中可以簡化單片機系統的設計，并完善其性能。 * RS— 485標準通訊口 串行通信接口是指設備之間的接口。我們最熟悉的關于串行通信接口的名詞可能就是 COM與 USB 了，因為它們都是當代 PC 機必備的 串行通信接口。 在使用 RS— 485 總線時，如果簡單地按常規(guī)方式設計電路，在實際工程中可能有通信數據收發(fā)的可靠性問題。隔離問題： 通過 光電耦合器件 發(fā)作用 有利于提高傳輸速率。 * 顯示部分的硬件設計 （未完成） LED 顯示器中的發(fā)光二極管共有兩種連接方法，本方案采用共陽極接法。 在一般情況下，單片機使用并行驅動的方式進行 LED 的顯示。并行驅動的結構較為簡單，并且在單片機的選擇上，采用了 AT89C51，它有 32 條 I/O 口線，采用并行驅動方式，接口完全夠用。 顯示器的驅動芯片的類型要根據電路的具體參數的計算進 行選取，現在還未完成。 * 鍵盤程序（未完成） 該鍵盤中設置了三個鍵，用于設置系統中的 調節(jié)負載輸出變化的 參數。 * 負載部分 （未完成） 目前，系統的大部分硬件設計已初步確定，還有具體的元件型號、參數的確定，按鍵的處理部分及負載的驅動和隔離還未完成，擬定在 5 月中旬完成并進行完善，以便很好的進行下一步的工作。 西安工業(yè)學院畢業(yè)論文 33 8． 3 相關外文資料翻譯 Complete Model of E2PROM Memory Cell for Circuit Simulation AbstractE2PROM memory devices are widely used in embedded applications. For an efficient design flow, a correct modeling of these memory cells in every operation condition bees more and more important, especially due to power consumption limitations. Although E2PROM cells are being used for a long time, very few pact models have been developed. Here， we present a plete pact model based on an original procedure to calculate the floating gate potential in dc conditions, without the need of any capacitive coupling coefficient. This model is designed as a modular structure, so to simplify program/erase and reliability simulations. Program/erase and leakage currents are included by means of simple voltagecontrolled current sources implementing their analytical expression. It can be used to simulate memory cells both during read operation (dc conditions) and during program and erase (transient conditions) giving always very accurate results. We will show also that, provided good description of degradation mechanisms, the same model can be used also for reliability simulations, predicting charge loss due to tunnel oxide degradation. Index TermsCircuit simulation, puter aided design(CAD), integrated circuits, modeling, semiconductor memories. I. INTRODUCTION In the semiconductor industry, “modeling” and “characterization” have different meanings. Compact model means an analytic model of the electrical behavior of a circuit element, as used in a SPICElike circuit simulator, and characterization means the procedure by which the parameters of pact model are determined for devices in a particular integrated circuit (IC) manufacturing technology. Compact models should be formulated physically, as functions of both the fundamental process parameters that control device electrical behavior and geometric layout parameters associated with a device (both adjustable layout parameters, such as device length and width 西安工業(yè)學院畢業(yè)論文 34 and technologydependent layout parameters derived from design rules, such as spacing between active areas and implant areas, etc.). There are three main reasons for preferring physically based pact models [1]. First, they provide the best basis for statistical modeling[2]. Second, they provide the best basis for mismatch modeling. Third, during the life cycle of a manufacturing technology there are changes, both in process flow and in design rules, that require to quickly retarget the design library. Although the importance of E2PROM memory cells has grown, very few pact models have been developed to be used in SPACElike simulators [3] to study dc and transient behavior of plex circuits containing E2PROM cells. E2PROM cells are based on floating gate (FG) devices, which are metaloxidesemiconductor (MOS) transistors where a conductive layer is interleaved between gate and channel and it is surrounded by insulator. The conductive layer is called FG. These devices? threshold voltage can be changed by injecting and/or extract