【正文】 。 此系統(tǒng)是工業(yè)控制計(jì)算機(jī)發(fā)出控制命令，通過與單片機(jī)的通信，按命令單片機(jī)產(chǎn)生控制步進(jìn)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的脈沖信號。按照發(fā)出不同的控制命令，使二維步進(jìn)電機(jī) 分別作正轉(zhuǎn)，反轉(zhuǎn)，快轉(zhuǎn)，慢轉(zhuǎn)和停止等動作，還可自成系統(tǒng)自動運(yùn)行。它的控制系統(tǒng)工作原理圖： 工業(yè)控制計(jì)算機(jī)是二維步進(jìn)電機(jī)的控制系統(tǒng)的主機(jī)，負(fù)責(zé)從鍵盤接收外部命令由串行口輸出后，再經(jīng)接口電路發(fā)送單片機(jī)，然后接收單片機(jī)回送的命令數(shù)據(jù)并進(jìn)行比較。 接口電路實(shí)現(xiàn)上位機(jī)串行口信號與單片機(jī) TTL 信號之間的轉(zhuǎn)換，以實(shí)現(xiàn)工業(yè)控制計(jì)算機(jī)與單片機(jī)的正常通信。 單片機(jī)負(fù)責(zé)從工業(yè)控制計(jì)算機(jī)上接收命令，并將其轉(zhuǎn)換成控制脈沖信號，從并行口發(fā)出到步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路。在脫離工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的控制時(shí)，還要 保證系統(tǒng)能按一定程序自動運(yùn)行。 課題準(zhǔn)備 : *熟悉單片機(jī)及常用芯片的用法 ,查閱相關(guān)書籍資料 。 *查找所有芯片資料 。 *對所設(shè)計(jì)系統(tǒng)有一個初步的設(shè)計(jì)方案 。 *查找外文資料以作參考。 設(shè)計(jì)計(jì)劃 : 第一周至第二周 : 了解課題設(shè)計(jì)要求 ,查找書籍資料 ,安裝所需軟件。 西安工業(yè)學(xué)院畢業(yè)論文 30 第三周至第六周 : 對單片機(jī)進(jìn)行理論和實(shí)際的學(xué)習(xí) ,并逐步掌握 ,對設(shè)計(jì)題目有一個總體的設(shè)計(jì)方案。 第七周至第十二周 : 初步完成具體的電路設(shè)計(jì) ,運(yùn)行通過 。完成英文資料的查找及翻譯 。擬出中期報(bào)告。 第十三周至第十五周 : 進(jìn)行硬件的完善 ,調(diào)試并完成畢業(yè) 設(shè)計(jì)論文。 第十六周 : 進(jìn)入畢業(yè)設(shè)計(jì)的后期工作 ,完善論文 ,準(zhǔn)備答辯。 在論文設(shè)計(jì)期間 ,我一定嚴(yán)格按照設(shè)計(jì)計(jì)劃 ,如期完成畢業(yè)論文。對設(shè)計(jì)中遇到的問題 ,會虛心的向老師和同學(xué)求教 ,爭取在師老師的指導(dǎo)下出色的完成畢業(yè)設(shè)計(jì)。 指導(dǎo)老師 : 師公社 學(xué)生 : 陳媛 2021 年 3 月 西安工業(yè)學(xué)院畢業(yè)論文 31 8． 2 中期報(bào)告 《運(yùn)動控制智能模擬負(fù)載》 —— 硬件部分 畢業(yè)設(shè)計(jì)中期報(bào)告 一、題目 運(yùn)動控制的智能模擬負(fù)載系統(tǒng)，主要是用單片機(jī)控制來實(shí)現(xiàn)對運(yùn)動控制系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)中負(fù)載對象及其變化規(guī)律的要求。此項(xiàng)畢業(yè)設(shè)計(jì)囊括了專業(yè)電工、電子、電力電子技術(shù)，MCS— 51 系列單片機(jī)工作原理及應(yīng)用技術(shù)， PROTEL 技術(shù)等學(xué)科知識。 二、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的簡單框圖 該系統(tǒng)旨在利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)對負(fù)載對象變化的控制，其主要由單片機(jī) ， SPI 串行總線的 E2PROM 參數(shù)存儲，鍵盤，帶光電耦合的 RS485 接口芯片，顯示及常規(guī)可靠性接地設(shè)計(jì)組成，具體如下： 三、系統(tǒng)主要器件的選取及其設(shè)計(jì)的簡要介紹 * AT89C51 單片機(jī) AT89C51 是一種帶有 4KBFlash 可編程、可擦除只讀存儲器（ EEPROM）的低壓、高性能 8位 CMOS 微型計(jì)算機(jī)。通過在單塊芯片上組合通用的 CPU 和 Flash 存儲器。在需要 I/O線不多的控制場合，選用它作為核心控制芯片，可使電路極大的簡化，而且程序的編寫西安工業(yè)學(xué)院畢業(yè)論文 32 及固化也相當(dāng)方便、 靈活。 * X5043/45 接口芯片 在該系統(tǒng)中，為解決電源開斷、瞬時(shí)電壓不穩(wěn)等不安全因素，將會造成系統(tǒng)死機(jī)、信息丟失、運(yùn)行不穩(wěn)定等故障，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)安全可靠、穩(wěn)定、實(shí)時(shí)運(yùn)行，故采用 X5045 芯片。 X5045 是將可編程看門狗、電壓監(jiān)控、 E2PROM 集于一體的多功能芯片，該芯片具有體積小、占用 I/O 少等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用于系統(tǒng)中可以簡化單片機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，并完善其性能。 * RS— 485標(biāo)準(zhǔn)通訊口 串行通信接口是指設(shè)備之間的接口。我們最熟悉的關(guān)于串行通信接口的名詞可能就是 COM與 USB 了，因?yàn)樗鼈兌际钱?dāng)代 PC 機(jī)必備的 串行通信接口。 在使用 RS— 485 總線時(shí)，如果簡單地按常規(guī)方式設(shè)計(jì)電路，在實(shí)際工程中可能有通信數(shù)據(jù)收發(fā)的可靠性問題。隔離問題： 通過 光電耦合器件 發(fā)作用 有利于提高傳輸速率。 * 顯示部分的硬件設(shè)計(jì) （未完成） LED 顯示器中的發(fā)光二極管共有兩種連接方法，本方案采用共陽極接法。 在一般情況下，單片機(jī)使用并行驅(qū)動的方式進(jìn)行 LED 的顯示。并行驅(qū)動的結(jié)構(gòu)較為簡單，并且在單片機(jī)的選擇上，采用了 AT89C51，它有 32 條 I/O 口線，采用并行驅(qū)動方式，接口完全夠用。 顯示器的驅(qū)動芯片的類型要根據(jù)電路的具體參數(shù)的計(jì)算進(jìn) 行選取，現(xiàn)在還未完成。 * 鍵盤程序（未完成） 該鍵盤中設(shè)置了三個鍵，用于設(shè)置系統(tǒng)中的 調(diào)節(jié)負(fù)載輸出變化的 參數(shù)。 * 負(fù)載部分 （未完成） 目前，系統(tǒng)的大部分硬件設(shè)計(jì)已初步確定，還有具體的元件型號、參數(shù)的確定，按鍵的處理部分及負(fù)載的驅(qū)動和隔離還未完成，擬定在 5 月中旬完成并進(jìn)行完善，以便很好的進(jìn)行下一步的工作。 西安工業(yè)學(xué)院畢業(yè)論文 33 8． 3 相關(guān)外文資料翻譯 Complete Model of E2PROM Memory Cell for Circuit Simulation AbstractE2PROM memory devices are widely used in embedded applications. For an efficient design flow, a correct modeling of these memory cells in every operation condition bees more and more important, especially due to power consumption limitations. Although E2PROM cells are being used for a long time, very few pact models have been developed. Here， we present a plete pact model based on an original procedure to calculate the floating gate potential in dc conditions, without the need of any capacitive coupling coefficient. This model is designed as a modular structure, so to simplify program/erase and reliability simulations. Program/erase and leakage currents are included by means of simple voltagecontrolled current sources implementing their analytical expression. It can be used to simulate memory cells both during read operation (dc conditions) and during program and erase (transient conditions) giving always very accurate results. We will show also that, provided good description of degradation mechanisms, the same model can be used also for reliability simulations, predicting charge loss due to tunnel oxide degradation. Index TermsCircuit simulation, puter aided design(CAD), integrated circuits, modeling, semiconductor memories. I. INTRODUCTION In the semiconductor industry, “modeling” and “characterization” have different meanings. Compact model means an analytic model of the electrical behavior of a circuit element, as used in a SPICElike circuit simulator, and characterization means the procedure by which the parameters of pact model are determined for devices in a particular integrated circuit (IC) manufacturing technology. Compact models should be formulated physically, as functions of both the fundamental process parameters that control device electrical behavior and geometric layout parameters associated with a device (both adjustable layout parameters, such as device length and width 西安工業(yè)學(xué)院畢業(yè)論文 34 and technologydependent layout parameters derived from design rules, such as spacing between active areas and implant areas, etc.). There are three main reasons for preferring physically based pact models [1]. First, they provide the best basis for statistical modeling[2]. Second, they provide the best basis for mismatch modeling. Third, during the life cycle of a manufacturing technology there are changes, both in process flow and in design rules, that require to quickly retarget the design library. Although the importance of E2PROM memory cells has grown, very few pact models have been developed to be used in SPACElike simulators [3] to study dc and transient behavior of plex circuits containing E2PROM cells. E2PROM cells are based on floating gate (FG) devices, which are metaloxidesemiconductor (MOS) transistors where a conductive layer is interleaved between gate and channel and it is surrounded by insulator. The conductive layer is called FG. These devices? threshold voltage can be changed by injecting and/or extract