大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)-資料下載頁
2025-05-15 10:14本頁面
【正文】 i cro elec t ro n i cs p o r o u s s i l i c o n B N ( B o r o n N i t r i d e ) L o w D i e l e c t r i c s P o l y m e r P t R u O2( r u t h e n i u m O x i d e ) I r O2 ( I r i d i u m O x i d e ) S r R u O3 E l e c t r o d e ( L a S r ) C o O3 Ma t e r i a l s Y B a2Cu3O7 S r B i2TA5O9 Pb ( Z r , T i ) O3 F e r r o E l e c t r o c s ( Pb , L a )( Zr , T i )O3 T a2O5 T i O2 B S T ( B a r i u m S T ) H i g h D i e l e c t r i c s S T ( S t r o n t i u m T i t a n a t e ) T i N T i N / Ti C u / T i N Me t a l s C u W P t S i2 C o S i2 T i S i2 S i l i c i d e s M o S i2 T a S i2 S i3N4 P o l y s i l i c o n A l S i O2 Si 1 9 7 0 1 9 8 0 1 9 9 0 2 0 0 0 2 0 1 0Q ua ntum l e a p in ne w m a te r ia ls集成電路中的材料 78 小結(jié) Bipolar： ?基區(qū) (Base)，基區(qū)寬度 Wb ?發(fā)射區(qū) (Emitter) ?收集區(qū) (Collector) ? NPN， PNP ?共發(fā)射極特性曲線 ?放大倍數(shù) ?、 ? ?特征頻率 fT 79 小結(jié) MOS ? 溝道區(qū) (Channel)，溝道長度 L，溝道寬度 W ? 柵極 (Gate) ? 源區(qū) /源極 (Source) ? 漏區(qū) /漏極 (Drain) ? NMOS、 PMOS、 CMOS ? 閾值電壓 Vt，擊穿電壓 ? 特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線 ? 泄漏電流 (截止電流 )、驅(qū)動電流 (導(dǎo)通電流 ) 80 小結(jié) 器件結(jié)構(gòu) ? 雙極器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu) ? CMOS器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu) ? CMOS反相器的工作原理 ? IC：有源器件、無源器件、隔離區(qū)、互連線、鈍化保護層
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