chap13未來趨勢與挑戰(zhàn)-資料下載頁
2025-05-14 21:49本頁面
【正文】 未來趨勢與挑戰(zhàn) Top view Cross section Wafer SiO2 polySi SiN Resist STL的工藝流程， 6 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) Top view Cross section Wafer SiO2 polySi STL的工藝流程， 7 SiN 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) 10 polySi lines Width=45 nm polySi contact H=15 nm W=15 nm polySi NiSi 50nm 150nm Si STL的工藝流程， 8 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) Fin W=35 nm Fin H=27 nm L=70 nm Zhang amp。 Qiu et al. IEEE EDL May 2021 Al wiring Contact holes to S/D Double Fin channel Gate FinFET produced using STL twice 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) ?常規(guī)光刻技術(shù)和標準硅薄膜工藝技術(shù)的革新和結(jié)合 ?對細線條而言，理論上 k1?0 ?Pitch的大小由 常規(guī)光刻技術(shù)的分辨率決定 ?常規(guī)光刻技術(shù) 的使用保證了高產(chǎn)率 NAkR ?1?“側(cè)墻轉(zhuǎn)移” ( STL)的特征和優(yōu)點 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) 2n lines after n iterations of spacer lithography! 1st Spacers 2nd Spacers 3rd Spacers 運用 STL技術(shù)產(chǎn)生高密度圖形 Photolithographically defined sacrificial structures . Choi et al., JVSTB 21, 29512955 (2021) 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) STL工藝中線條尺寸的控制 CVD技術(shù)淀積的薄膜具有超常均勻性和可控性 ?STL納米線的線寬由 SiN薄膜決定 ?STL納米線的線厚由 polySi薄膜決定 Choi et al., IEEE TED 49, 436（ 2021） Lg Lg STL技術(shù)得到的柵 ? 均勻的 Lg 通常光刻技術(shù) 制備的柵 ? 不均勻的 Lg 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) STL EB ArF Kaneko et. al., IEDM2021 用 STL制備線條的線寬不均勻性非常小 ! STL 第十三章 未來趨勢與挑戰(zhàn) Summary Ideal Optical EBL NIL STL Resolution Good Good Good Good Good Pattern shape Any Any Any Any Lines/ Rings Largeamp。small patterns Yes Yes No Yes Yes Alignment Good Good Good Poor Good Throughput High High Low Medium High Initial cost Low High Medium Low Low Running cost Low High Low Medium Low
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