chap13未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)(編輯修改稿)
2025-06-19 21:49 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Saraswat (Stanford University) Low S/D resistance 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 前端工藝中的一些關(guān)鍵技術(shù) 原子層級(jí)淀積 Atomic layer deposition (ALD) 實(shí)現(xiàn)柵氧層淀積的原子層級(jí)控制 脈沖激光退火 Pulsed laser annealing 實(shí)現(xiàn)超快、低“熱預(yù)算”（即小 Dt）高溫退火 等離子浸沒(méi)式注入 Plasma immersion implantation 實(shí)現(xiàn)超淺離子注入 高電導(dǎo)溝導(dǎo)工程 High mobility channel 實(shí)現(xiàn)局域壓縮或拉伸應(yīng)力 等等 Prof. Iwai, Tokyo Inst Tech. 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 后端工藝中的一些關(guān)鍵技術(shù) Prof. Iwai, Tokyo Inst Tech. 原子層級(jí)淀積 Atomic layer deposition (ALD) 實(shí)現(xiàn)銅籽晶層和擴(kuò)散阻擋層淀積的原子層級(jí)控制 多孔金屬間介質(zhì)薄膜的材料和工藝 有效地減小互連體系中的寄生電容 大馬士革工藝 Damascene processing 實(shí)現(xiàn)取代傳統(tǒng)鋁布線的先進(jìn)銅互連技術(shù) 三維多層金屬布線 Multilevelmultilayer metallization， 3D 有效使用珍貴的硅表面，實(shí)現(xiàn)超大規(guī)模集成技術(shù) 等等 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) Graphene sheet Singlewalled carbon nanotube (SWNT) Various kinds of semiconducting nanowires: Si, Ge, InSb, GaAs, SiC, GaN, ZnO, etc. 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 關(guān)鍵尺寸 100 nm Resist Courtesy PerErik Hellstr246。m （ Hellberg） “無(wú)光源”納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù) 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) Ref：KLA Tencor Wave length (I) Line width Deep Subwavelength Litho Subwavelength Litho OPC at 180 nm Aggressive OPC at 130 nm Process window shrinking on average 30% for each node Immersion Lithography 350 nm 365 nm 180 nm 248 nm 193 nm 130 nm 90 nm 65 nm 45 nm PROCESS CONTROL: THE INVESTMENT THAT YIELDS Novel Processing（工藝革新） ： Enabler Prof. Iwai, Tokyo Inst Tech. 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 為什么“光刻”技術(shù)如此成功 ? 價(jià)格方面： 193 nm 光刻設(shè)備 ~ 20 M$ 一套光刻版 ~ 1 M$ 高分辨率并能實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)！ ~100 wafers/hour 第十三章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 光刻基本要求 理想的光刻 分辨率 Resolution
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