現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)te-資料下載頁(yè)
2025-05-09 06:30本頁(yè)面
【正文】 得到大視場(chǎng)高反差的低倍顯微像，點(diǎn)分辨本領(lǐng)達(dá) ? 多功能高分辨分析 TEM：配有鋰漂移硅 Si(Li)X射線能譜儀 (EDS)， 配有電子能量選擇成像譜儀 —進(jìn)行納米尺度的微區(qū)化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)分析； 掃描透射電子顯微鏡的技術(shù)改進(jìn) ? 場(chǎng)發(fā)射電子槍 FEG： 亮度高約 5個(gè)量級(jí) —曲率半徑僅為 100nm左右的鎢單晶針尖在電場(chǎng)強(qiáng)度高達(dá) 100MV/cm的作用下，在室溫時(shí)即可產(chǎn)生場(chǎng)發(fā)射電子；電子束聚焦 ～ ； ? 試樣后方兩個(gè)探測(cè)器組合 ：分別逐點(diǎn)接收彈性和非彈性散射電子信息 → 環(huán)狀探測(cè)器接收散射角大的彈性散射電子； 重原子的彈性散射電子多，如果入射電子束直徑小于 ， 且試樣足夠薄，便可得到單個(gè)原子像 ；透射電子通過(guò)環(huán)狀探測(cè)器中心的小孔，由中心探測(cè)器接收，再用能量分析器測(cè)出其損失的特征能量，便可進(jìn)行成分分析。 ? 物鏡減少球差系數(shù) ：增加了一個(gè)電磁四極～八極球差校正器，球差系數(shù)由原來(lái)的 。可望把 100kV STEM的暗場(chǎng)像的分辨本領(lǐng)提高到 。 原位電子顯微術(shù) (in situ Microscopy) ? JEM2021電鏡 + 高靈敏度 SITTV相機(jī)、各種樣品臺(tái)、 UHV樣品制備腔和數(shù)字錄像系統(tǒng)： 對(duì)納米材料如團(tuán)簇、表面和界面開(kāi)展了如下研究： (1)表面擴(kuò)散過(guò)程的直接觀察，如 W原子在 MgO(001)表面擴(kuò)散過(guò)程，其 時(shí)間分辨率是1/60秒 ，而 FIM和 STM只能達(dá)到 1秒； (2)研究 Au/α Ge/MgO的晶化初期階段；(3)晶界遷移的直接觀察， (4)進(jìn)行納米電子束加工和原位觀察，最小的加工尺寸達(dá) ， 間距 ； (5)針尖表面反應(yīng)和成鍵過(guò)程的直接觀察；(6)氧化物生長(zhǎng)及納米碳管疲勞過(guò)程的直接觀察等。 ? Philips CM 30高分辨電鏡 + 控制氣氛樣品室 (ECELL)： 動(dòng)態(tài)原位化學(xué)反應(yīng)的研究。在電鏡操作期間，樣品室可充＜ 3 103Pa的空氣或更高分壓的氫氣和其他氣體，在槍體關(guān)閉的情況下，可充 3 104Pa的反應(yīng)氣體。
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