集成電路分析與設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)
2025-02-28 05:55本頁(yè)面
【正文】 態(tài)分析開(kāi)始時(shí)，使用各元件行中定義的 IC值作為初始瞬態(tài)條件進(jìn)行分析 電路控制語(yǔ)句 輸出控制 .PRINT PRTTYPE OUTVAR1 OUTVAR2 … PRTTYPE 是分析類型，可以是 DC、 AC、 TRAN、 NOISE及 DISTO OUTVARl～ OUTVAR8為輸出變量 第七章 運(yùn)放設(shè)計(jì)：電流鏡、差分放大器 MOS 電流鏡 基本電流鏡 : 2 個(gè)對(duì)稱的 MOS管結(jié)構(gòu)： IOUT/IREF=(W/L)2/(W/L)1 比例電流鏡：電流比為 M M1 晶體管的寬長(zhǎng)比之比 實(shí)際情況中電流比易受到溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)及輸出端負(fù)載的影響而不恒定。 威爾遜電流鏡 : 在 2 個(gè)對(duì)稱的 MOS 管基礎(chǔ)上 加一個(gè) MOS 管在負(fù)載端，形成負(fù)反饋提高輸出阻抗 改進(jìn)型的威爾遜電流鏡 : 4 個(gè) MOS形成對(duì)稱結(jié)構(gòu) IOUT/IREF=(W/L)2/(W/L)1； (W/L)3/(W/L)4=(W/L)2/(W/L)1 此時(shí) VGS3=VGS4 MOS 差分放大電路 放大差模信號(hào)、抑制共模信號(hào)（運(yùn)放的輸入級(jí)） 差模信號(hào)： 共模信號(hào)： MOS 差分放大電路負(fù)載形式 4 種負(fù)載形式： ENMOS、 DNMOS、 PMOS恒流源、電流鏡 采用前三種負(fù)載的 MOS差分放大器： 雙端輸出的差模增益等于單邊放大器的電壓增益；當(dāng)輸出為單端時(shí)，增益減半。 所以，信號(hào)電壓?jiǎn)味溯敵?，放大器的電壓增益?huì)受到損失。 電流鏡負(fù)載：?jiǎn)味溯敵鰰r(shí)無(wú)增益損失 第八章 只要外部信號(hào)或者 VDD 和 VSS 能夠提供大于維持電流 IH 的輸出 ,即使外界信號(hào)消失 ,在 PNPN 四層結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)通電流仍然會(huì)維持 ,這就是所謂的 閂鎖效應(yīng) CMOS電路的閂鎖效應(yīng) : PNP三極管： P+源漏區(qū) (E)， N型襯底 (B)和 P阱 (C) NPN三極管： N+源漏區(qū) (E)， P阱 (B)和 N型襯底 (C) PNPN的四層可控硅結(jié)構(gòu) 閂鎖效應(yīng)產(chǎn)生的條件 : 寄生三極管的 EB 結(jié)處于≥ 的正偏 1β 21 寄生可控硅 導(dǎo)通需要的維持電流 IH : RS和 RW ，并采用較多的接觸孔 CMOS反相器 工作原理 :NMOS和 PMOS 串聯(lián)，柵極輸入、漏極輸出，源 極 分別接 GND 和 VDD 掌握 VinVout曲線圖： 5個(gè)區(qū)域 MOS 管的工作狀態(tài) (1) 當(dāng) vi=VOH=VDD時(shí) (2) 當(dāng) vi=VI L=0V 時(shí) 開(kāi)關(guān)特 性負(fù)載電容引起的充放電： tr 和 tf tf≈ 2CL/(KN*VDD)； tr= 2CL/(KP*VDD) tf=tr WP= (μ N/μ P)*WN ≈ 功耗 CMOS動(dòng)態(tài)功耗 Pd=fCLVDD2 熟悉 CMOS反相器版圖 與非門和或非門工作原理 : 與非門 (NAND)： 2個(gè) PMOS并聯(lián) +2個(gè) NMOS串聯(lián)；柵入漏出 或非門 (NOR)： 2個(gè) NMOS并聯(lián) +2 個(gè) PMOS 串聯(lián)；柵入漏出 N 個(gè)輸入端與非門 : N 個(gè) PMOS并聯(lián) +N 個(gè) NMOS串聯(lián) 保持 tr 和 tf： N個(gè) NMOS的寬長(zhǎng)比為等效反相器中 NMOS的 N倍； N 個(gè) PMOS 的 W/L與等效反相器中 PMOS管相同。 版圖熟悉與非門和或非門的版圖
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