【導(dǎo)讀】隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,器件的特征尺寸逐漸減小。在深亞微米和納米技術(shù)。時(shí)代,電路的可靠性正逐步成為電路設(shè)計(jì)者和研究人員主要關(guān)注的問題。寸的減少導(dǎo)致集成電路對(duì)宇宙射線和放射性元素產(chǎn)生的粒子更加敏感。的敏感節(jié)點(diǎn)受到粒子撞擊時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)電壓電流的變化。路狀態(tài)的破壞,稱為軟失效。遞下去,影響時(shí)序邏輯電路正常功能的實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)較低軟失效率的時(shí)序電路單元。對(duì)集成電路的發(fā)展具有重要意義。針對(duì)應(yīng)用廣泛的Quatro-8T抗軟失效電路中存在的翻轉(zhuǎn)問題進(jìn)行了。改進(jìn),進(jìn)一步提高了電路的可靠性,使得電路的抗軟失效能力得到加強(qiáng)。確的時(shí)序邏輯功能。常運(yùn)行并造成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的改變。達(dá)到柵擊穿等故障發(fā)生概率的5000倍以上[1]。陽風(fēng)粒子會(huì)導(dǎo)致軌道上航天器的電子設(shè)備發(fā)生軟失效。速度和集成度大大提高等原因,深亞微米和納米集成電路對(duì)軟失效愈發(fā)敏感。射已經(jīng)足以造成軟失效的產(chǎn)生。但是ECC應(yīng)用范圍有限,無法有效防止鎖存器和觸發(fā)