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抗軟失效的新型時(shí)序電路單元設(shè)計(jì)畢業(yè)論文-資料下載頁

2024-08-28 13:36本頁面

【導(dǎo)讀】隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,器件的特征尺寸逐漸減小。在深亞微米和納米技術(shù)。時(shí)代,電路的可靠性正逐步成為電路設(shè)計(jì)者和研究人員主要關(guān)注的問題。寸的減少導(dǎo)致集成電路對(duì)宇宙射線和放射性元素產(chǎn)生的粒子更加敏感。的敏感節(jié)點(diǎn)受到粒子撞擊時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)電壓電流的變化。路狀態(tài)的破壞,稱為軟失效。遞下去,影響時(shí)序邏輯電路正常功能的實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)較低軟失效率的時(shí)序電路單元。對(duì)集成電路的發(fā)展具有重要意義。針對(duì)應(yīng)用廣泛的Quatro-8T抗軟失效電路中存在的翻轉(zhuǎn)問題進(jìn)行了。改進(jìn),進(jìn)一步提高了電路的可靠性,使得電路的抗軟失效能力得到加強(qiáng)。確的時(shí)序邏輯功能。常運(yùn)行并造成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的改變。達(dá)到柵擊穿等故障發(fā)生概率的5000倍以上[1]。陽風(fēng)粒子會(huì)導(dǎo)致軌道上航天器的電子設(shè)備發(fā)生軟失效。速度和集成度大大提高等原因,深亞微米和納米集成電路對(duì)軟失效愈發(fā)敏感。射已經(jīng)足以造成軟失效的產(chǎn)生。但是ECC應(yīng)用范圍有限,無法有效防止鎖存器和觸發(fā)

  

【正文】 實(shí)現(xiàn)抗軟失效的新型鎖存器和觸發(fā)器。 本章小結(jié) 本章分析了 Quatro8T電路單元中存在的翻轉(zhuǎn)問題,提出了新型改進(jìn)電路去改善這一問題,同時(shí)用改進(jìn)電路單元構(gòu)成了鎖存器和不同類型的觸發(fā)器,仿真驗(yàn)證了其波形的正確性,并且進(jìn)行了相互之間的比較。改進(jìn)電路單元在較低的延遲和功耗損失情況下,能夠有效提高時(shí)序電路單元的抗軟失效能力,在軟失效問題日益顯著的今天,具有一定的應(yīng)用價(jià)值和實(shí)際意義。 北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院學(xué)士論文 王子一 28 第五章 總結(jié)和未來工作 【總結(jié)】 隨著工藝的進(jìn)步,器件特征尺寸逐步減少,軟失效問題在當(dāng)代的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中顯得越來越顯著。因此提高時(shí)序邏輯電路單元中的抗軟失效能力,顯得十分必要。本文通過對(duì)抗軟失效電路的研究和分析,提出了針對(duì)應(yīng)用廣泛的Quatro8T 電路單元的改進(jìn)電路,電路進(jìn)一步提高了單元的抗軟失效能力,使得電路擁有應(yīng)用的實(shí)際價(jià)值。同時(shí)用改進(jìn)電路單元構(gòu)成的時(shí)序邏輯電路單元,例如鎖存器、主從觸發(fā)器以及脈沖觸發(fā)器都可以正確實(shí)現(xiàn)時(shí)序電路邏輯功能,用一定的延遲功耗損失換取了軟失效能力的提高,具有良好的消除軟失效的功能。 【未來工作】 本文工 作限于時(shí)間等因素的限制,還有一些工作尚未展開,在未來的工作中將根據(jù)以下幾點(diǎn)進(jìn)行進(jìn)一步的研究。 第一點(diǎn): 改進(jìn)電路單元等電路只是用模擬軟件 Hspice 進(jìn)行了仿真,缺乏實(shí)際的流片結(jié)構(gòu),未來可以進(jìn)行在實(shí)際電路的基礎(chǔ)上,更加真實(shí)模擬軟失效的影響,引證電路的抗軟失效能力。 第二點(diǎn):與傳統(tǒng)的 Quatro8T 電路相比,改進(jìn)電路軟失效能力增強(qiáng),但是面積和延遲都有一定增強(qiáng),未來可以進(jìn)一步改進(jìn)電路,降低電路的面積和功耗延遲,從而優(yōu)化性能,更好的實(shí)現(xiàn)功能。 第三點(diǎn):搭建更大的電路模塊,從系統(tǒng)級(jí)去引證抗軟失效能力和軟失效的影響,從而使得研究更具有實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。 北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院學(xué)士論文 王子一 29 參考文獻(xiàn) [1] . 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