晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元提優(yōu)專項(xiàng)訓(xùn)練試卷-資料下載頁
2025-04-02 03:02本頁面
【正文】 單原子分子，則形成的晶體中沒有共價鍵，離子晶體中一定含有離子鍵，故D錯誤；故選D。12．3d104s24p3 D 正四面體 O N sp2 AlFGaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3GaF3, 4 【解析】【分析】(1) As為33號元素，原子核外電子數(shù)為33，其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3；能量越高越不穩(wěn)定，越易失電子，所以激發(fā)態(tài)的微粒易失電子，原子軌道中處于半滿狀態(tài)時較穩(wěn)定；(2)LiAlH4中的陰離子中Al原子價層電子對個數(shù)=4+=4且不含孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷其空間構(gòu)型；元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，而金屬性越強(qiáng)，通常第一電離能最?。桓鶕?jù)分子結(jié)構(gòu)中N原子成鍵數(shù)和孤對電子數(shù)判斷雜化方式；(3)通常離子晶體的熔點(diǎn)大于分子晶體，離子晶體的晶格能大熔點(diǎn)高；②二聚體Al2Cl6中Al原子有空軌道，Cl可以提供孤電子對形成配位鍵；配合物中的配位數(shù)是指直接同中心離子(或原子)配位的原子數(shù)目?！驹斀狻?1) 基態(tài)As原子核外有33個電子，電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，即[Ar] 3d104s24p3；A為失去兩個電子后的狀態(tài)， B為失去一個電子后的狀態(tài)，C為失去三個電子后的狀態(tài)， D為有一個電子的躍遷的激發(fā)態(tài)，A電離最外層一個電子所需能量實(shí)際就是第三電離能，B電離最外層一個電子所需能量實(shí)際就是第二電離能，C電離最外層一個電子所需能量實(shí)際就是第四電離能，D電離最外層一個電子所需能量為處于激發(fā)態(tài)的1個電子，所以需要能量最大的是C，最小的是D，故答案為D；(2)LiAlH4中的陰離子中Al原子價層電子對個數(shù)=4+=4且不含孤電子對，sp3雜化，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷其空間構(gòu)型及中心原子雜化方式分別為正四面體形； 8—羥基喹啉合鋁中所含元素分別是C、H、N、O和Al元素，其中氧元素的非金屬性最強(qiáng)，則電負(fù)性最大的是O；Al是金屬元素，易失電子，第一電離能較小，而非金屬元素第一電離能同周期從左到右，呈增大趨勢，由于N原子價電子半充滿，比O原子穩(wěn)定，第一電離能大于O，則N元素的第一電離能最大；分子中N原子的成鍵數(shù)是2和孤對電子數(shù)是1，雜化軌道數(shù)目為3，N原子采取sp2雜化；(3)①表格中鹵化物的熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因是AlF3和GaF3是離子晶體，且晶格能AlF3GaF3，則AlF3的熔點(diǎn)比GaF3高，而AlCl3是分子晶體，其熔點(diǎn)明顯比AlF3和GaF3的熔點(diǎn)低；②熔融時AlCl3生成可揮發(fā)的二聚體Al2Cl6，該二聚體由Al提供空軌道，Cl原子提供電子對形成配位鍵，其結(jié)構(gòu)式為；配合物中的配位數(shù)是指直接同中心離子(或原子)配位的原子數(shù)目，二聚體Al2Cl6中與Al直接相連的原子有4個，故其配位數(shù)為4。
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