【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 低、半徑大的陽(yáng)離子（如 K+、 Na+等）將進(jìn)入晶體結(jié)構(gòu)來平衡多余的負(fù)電荷，它們與晶體的結(jié)合不很牢固，在一定條件下可以被其它陽(yáng)離子交換。 0044． 正尖晶石：在 AB2O4尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)中，若 A2+分布在四面體空隙、而 B3+分布于八面體空隙，稱為正尖晶石；反尖晶石：若 A2+分布在八面體空隙、而 B3+一半分布于四面體空隙另一半分布于八面體空隙，通式為B(AB)O4，稱為反尖晶石。 0045． 米勒指數(shù) 0046． 離子晶體的晶格能 0047．離子極化： 指正 、 負(fù)離子在電場(chǎng)作用下，使正，負(fù)電荷重心不重合，并產(chǎn)生偶極距 的現(xiàn)象 。 0048． 鐵電效應(yīng) 0049． 壓電效應(yīng) 0050． 當(dāng)數(shù)量不多的堿金屬氧化物同 B2O3 一起熔融時(shí)，堿金屬所提供的氧不像熔融 SiO2 玻璃中作為非橋氧出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)中，而是使硼轉(zhuǎn)變?yōu)橛蓸蜓踅M成的硼氧四面體。致使 B2O3 玻璃從原來二度空間層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu)，從而加強(qiáng)了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并使玻璃的各種物理性能變好。 0051． 熔體特指加熱到較高溫度才能液化的物質(zhì)的液體，即較高熔點(diǎn)物質(zhì)的液體。熔體快速冷卻則變成玻璃體玻璃體。 0052． 聚集的原子群超過一定尺寸能夠穩(wěn)定存在的最小的晶體顆粒半徑。 0053． 無化學(xué)位梯度、濃度梯度、無外場(chǎng)推動(dòng)力，由熱起伏 引起的擴(kuò)散。質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散是無序的、隨機(jī)的。 0054． 粉體在一定溫度作用下，發(fā)生團(tuán)結(jié)，使氣孔率下降，致密度提高，強(qiáng)度增大，晶粒增長(zhǎng)，這種現(xiàn)象即為燒結(jié)。 0055． 母液中存在某界面（空位、雜質(zhì)、位錯(cuò)），成核會(huì)優(yōu)先在界面上進(jìn)行，這種成核系統(tǒng)為非均相成核。 0056． 在固相反應(yīng)中加入少量非反應(yīng)物，反應(yīng)過程中不與反應(yīng)物起化學(xué)反應(yīng)只起加速反應(yīng)作用的物質(zhì)。 0057． 晶界結(jié)構(gòu)是指晶界在多晶體中的形狀、結(jié)構(gòu)和分布。 0058． 橋氧離子：指一個(gè)氧離子與兩個(gè)硅離子的連結(jié)起來，此氧離子稱為橋氧離子。 9 0059． 固體和液 體表面存在大量不飽和鍵的原子和離子，它們都能吸引外來的原子 、 離子 、 分子 的 這一現(xiàn)象 。 0060． 當(dāng) T， P 及組成不變的條件下，增加單位表面積對(duì)系統(tǒng)所做的功。 0061． 初次再結(jié)晶是指從塑性變形的、具有應(yīng)變的基質(zhì)中，生長(zhǎng)出新的無應(yīng)變晶粒的成核和長(zhǎng)大過程。 0062． 當(dāng)坯體中有若于大晶粒存在時(shí)，這些大晶粒邊數(shù)較多，晶界曲率較大，能量較高，使晶界可以越過雜質(zhì)或氣孔而繼續(xù)移向鄰近小晶粒的曲率中心。晶粒的進(jìn)一步生長(zhǎng)，增大了晶界的曲率使生長(zhǎng)過程不斷加速，直到大晶粒的邊界相互接觸為止。這個(gè)過程稱為二次再結(jié)晶或異常的晶粒長(zhǎng) 大。 0063． 在燒結(jié)中、后期，細(xì)小晶粒逐漸長(zhǎng)大，而一些晶粒的長(zhǎng)大過程也是另一部分晶粒的縮小或消失過程，其結(jié)果是平均晶粒尺寸增加。這一過程并不依賴于初次再結(jié)晶過程；晶粒長(zhǎng)大不是小晶粒的相互粘接，而是晶界移動(dòng)的結(jié)果。其含義的核心是晶粒平均尺寸增加。 三、 選擇題 ： 0002.“材料科學(xué) ”的概念是什么時(shí)候明確提出的： 世紀(jì) 50 年代 世紀(jì) 80 年代 世紀(jì) 世紀(jì) 40 年代 ，按照材料的使用，人類文明階段的順序?yàn)椋? ，石器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ，青銅器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ，陶器時(shí)代，青銅器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ，青銅器時(shí)代，石器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ： ，這稱為 ： ， 3L4 表示： ， 種類、性質(zhì)及其周圍環(huán)境完全相同的質(zhì)點(diǎn)位置稱為： ： 9 個(gè)對(duì)稱面，應(yīng)表示為： Li2 的對(duì)稱操作等效的對(duì)稱操作為： +C ________。 ，晶體通常被 ________的晶面所包圍。 ________種。 ，對(duì)稱面的對(duì)稱操作是________。 ＋反映 ，對(duì)稱軸的對(duì)稱操作是________。 ＋反伸 ＋反映 L1 外，允許存在的其它軸次有 ________種。 Li2 可以等效表達(dá)為： ＋ C ＋ C Li3 可以等效表達(dá)為： 10 ＋ C ＋ P Ls2 可以等效表達(dá)為： ＋ C ＋ P ，可得到________種點(diǎn)群。 ，對(duì)稱中心的對(duì)稱操作是。 ＋反伸 ，倒轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。 ＋反伸 ＋反映 ，映轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。 ＋反伸 ＋反映 ________對(duì)稱面。 個(gè) 9 個(gè) 個(gè) ________對(duì)稱中心。 個(gè) 9 個(gè) 個(gè) Li6 可以等效表達(dá)為： ＋ C ＋ C ＋ C ＋ P Ls3 可以等效表達(dá)為： ＋ C ＋ P Ls6 可以等效表達(dá)為： ＋ C ＋ P （點(diǎn)群）可以劃分出 ________個(gè)晶族。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 = b ≠ c， α=β=γ=90176。 = b = c， α=β=γ=90176。 ≠ b ≠ c， α≠β≠γ≠ 90176。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 = b ≠ c， α=β=γ=90176。 = b = c， α=β=γ=90176。 ≠ b ≠ c， α≠β≠γ≠ 90176。 : A.（ hkl） B.[uvw] C.｛ hkl｝ D.（ hkl） : A.（ hkl） B.[uvw] C.｛ hkl｝ D.[uvw] ________種。 ________種。 ________種。 ________。 ________種。 ，可得到________種空間群。 n 個(gè)等大球體作最緊密堆積，將有 ________個(gè)八面體空隙存在。 ＋ 1 ＋ 1 （點(diǎn)群）可以劃分出 ________個(gè)晶系。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 11 = b ≠ c， α=β=γ=90176。 = b = c， α=β=γ=90176。 ≠ b ≠ c， α≠β≠γ≠ 90176。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 = b ≠ c， α=β=γ=90176。 = b = c， α=β=γ=90176。 ≠ b ≠ c， α≠β≠γ≠ 90176。 ： A.（ hkl） B.[uvw] C.｛ hkl｝ D.[uvw] ________ 種。 ________種。 ________ 種。 ： ________種。 n 個(gè)等大球體作最緊密堆積，將有 ________個(gè)四面體空隙存在。 ＋ 1 ＋ 1 ________大類。 ________種。 ________種效應(yīng)。 ________ 次方成反比。 ，可能存在的配位數(shù)有________個(gè)。 ，正負(fù)離子半徑比為： ，正負(fù)離子半徑比為________。 ________晶系。 ________套等同點(diǎn)。 A. 1 屬于 ________晶系。 ________個(gè)原子。 ________晶系。 ________個(gè)分子。 晶胞中有 ________套等同點(diǎn)。 晶胞中含有 ________個(gè)分子。 （高溫型）屬于 ________晶系。 12 （金紅石）晶胞中有 ________套等同點(diǎn)。 Al離子填充在 ________八面體空隙中。 在高溫時(shí)為 ________晶系。 從高溫冷卻過程中晶胞會(huì)發(fā)生畸變有________種可能的方式。 _