【正文】 晶體體積 _________,晶體密度 _________。 ，組成分別為： (1) － ； (2) － － 。硅酸鹽熔體或玻璃的電導(dǎo)主要決定于 _________ 。 ，六方最緊密堆積與六方 格子相對(duì)應(yīng)，立方最緊密堆積與 _______ 相對(duì)應(yīng)。在熔體組成不變時(shí)，各級(jí)聚合物的 3 數(shù)量還與溫度有關(guān)，溫度升高，低聚物濃度增加。 ，附加壓力 ΔP 總是指向曲面的 _________，當(dāng)曲面為凸面時(shí)， ΔP 為正值。 ，做無(wú)規(guī)則布朗運(yùn)動(dòng)的大量質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散系數(shù)取決于質(zhì)點(diǎn)的 _________和遷移自由程 r 平方的乘積。 (3)________。 ___、 ____、 ____、 ____和 ____，其中 ___是離子晶體中最常見(jiàn)的擴(kuò)散機(jī)制，其擴(kuò)散活化能包括 __和 ___。前者分相時(shí)質(zhì)點(diǎn)作 ___擴(kuò)散，分相速率 ____。 －固相變中的非均勻成核是指 _____________形成晶核的過(guò)程。 （ 1）藍(lán)維礦 BaTi[Si3O9] ______，（ 2）透輝石 CaMg[Si2O6] ______，（ 3）滑石Mg3[Si4O10](OH)2______，（ 4）石英 SiO2______，（ 5） 鎂橄欖石 Mg2[SiO4]______ ____， ____， ____等三個(gè)階段組成，不同點(diǎn)是 ____， _____， _____。 0)( ,22 ???? PTCG 4 0051. 造成二次再結(jié)晶的原因主要是 ______，及 ______，其次是 ______，及 ______等。 填空題 答案 － 冷凝，擴(kuò)散，溶解－沉淀，流動(dòng)； 1/3， 1/5， 1/6， 1/2。 。越大 ，減少 、空位、雜質(zhì)原子； CaCl2 +2 +2ClCl。 。 5 。 （ 2） 固相反應(yīng)開(kāi)始溫度遠(yuǎn)低于反應(yīng)物的熔點(diǎn)或系統(tǒng)低共熔點(diǎn)溫度。 ，氣孔填充，晶粒生長(zhǎng)；傳質(zhì)方式不同，傳質(zhì)速率不同，達(dá)到相同致密燒結(jié)體的溫度不同。 0052. 面心立方，八， 1， 2， 6,棱， 4。39。 （ ） 0004． 固溶體是在固態(tài)條件下，一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。（ ） 0008．純物質(zhì)在一定溫度下，固、液、氣可以三相平衡共存。粘附性越好，粘附功越小 。 （ ） 0001． 答：不正確。 0003． 答：不正確。 ：不正確。熔化時(shí) P=2， F=12+2，當(dāng)壓力確定后溫度就確定了。 0009． 答：正確。 0011 答：不對(duì)，是化學(xué)位梯度。 WAB=γA+γBγAB， 粘附性越好，粘附功越大。對(duì)于螺型位錯(cuò)，由于位錯(cuò)線與柏氏矢量平行，故它的滑移不限于單一的滑移面上。如果低濃度處化學(xué)勢(shì)高，則可進(jìn)行負(fù)擴(kuò)散，如玻璃的分相過(guò)程。 0002． 等同點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)中在同一取向上幾何環(huán)境和物質(zhì)環(huán)境皆相同的點(diǎn)稱為等同點(diǎn)。 0005． 晶體定向就是在晶體中確定坐標(biāo)軸（稱晶軸）及軸單位或軸率（軸單位之比）。 0008． 對(duì)稱型晶體結(jié)構(gòu)中所有點(diǎn)對(duì)稱要素（對(duì)稱面、對(duì)稱中心、對(duì)稱軸和旋轉(zhuǎn)反伸軸）的集合稱為對(duì)稱型，也稱點(diǎn)群。 0011． 聚形含有兩個(gè)或兩個(gè)以上單形的晶形稱為聚形。 0014． 空間群是指一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中所有對(duì)稱要素集合。 0017． 網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體 網(wǎng)絡(luò)形成體：正離子是網(wǎng)絡(luò)形成離子，對(duì)應(yīng)氧化物能單獨(dú)形成 玻璃。 0018． 凝聚系統(tǒng)：不含氣相或氣相可以忽略的系統(tǒng)。 0022． 雙降點(diǎn)：處于共軛位的雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。 0026． 三角形規(guī)則：原始熔體組成點(diǎn)所在副三角形的三個(gè)頂點(diǎn)表示的物質(zhì)即為其結(jié)晶產(chǎn)物；與這三個(gè)物質(zhì)相應(yīng)的初初晶區(qū)所包圍的三元無(wú)變量點(diǎn)是其結(jié)晶結(jié)束點(diǎn)。由不等價(jià)離子造成晶格空位，由此引起的質(zhì)點(diǎn)遷移稱為 非本征擴(kuò)散 。多晶轉(zhuǎn)變：當(dāng)外界條件改變到一定程度時(shí)，各種變體之間發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，從一種變體轉(zhuǎn)變成為另一種變體的現(xiàn)象 。如果正常格點(diǎn)上原子，熱起伏后獲得能量離開(kāi)平衡位置，躍遷到晶體的表面，在原正常格點(diǎn)上留下空位，這種缺陷稱為肖特基缺陷。它們分散在無(wú)定形介中質(zhì)，晶子向無(wú)定形部分過(guò)渡是逐漸完成時(shí)，二者沒(méi)有明顯界限。 0038． 晶體場(chǎng)理論：認(rèn)為在晶體結(jié) 構(gòu)中，中心陽(yáng)離子與配位體之間是離子鍵，不存在電子軌道的重迭，并將配位體作為點(diǎn)電荷來(lái)處理的理論。 0041． 類質(zhì)同象：物質(zhì)結(jié)晶時(shí)，其晶體結(jié)構(gòu)中部分原有的離子或原子位置被性質(zhì)相似的其它離子或原子所占有，共同組成均勻 的、呈單一相的晶體，不引起鍵性和晶體結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象。 0043． 同晶取代：雜質(zhì)離子取代晶體結(jié)構(gòu)中某一結(jié)點(diǎn)上的離子而不改變晶體結(jié)構(gòu)類型的現(xiàn)象。 0048． 鐵電效應(yīng) 0049． 壓電效應(yīng) 0050． 當(dāng)數(shù)量不多的堿金屬氧化物同 B2O3 一起熔融時(shí)，堿金屬所提供的氧不像熔融 SiO2 玻璃中作為非橋氧出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)中，而是使硼轉(zhuǎn)變?yōu)橛蓸蜓踅M成的硼氧四面體。 0052． 聚集的原子群超過(guò)一定尺寸能夠穩(wěn)定存在的最小的晶體顆粒半徑。 0055． 母液中存在某界面（空位、雜質(zhì)、位錯(cuò)），成核會(huì)優(yōu)先在界面上進(jìn)行，這種成核系統(tǒng)為非均相成核。 9 0059． 固體和液 體表面存在大量不飽和鍵的原子和離子，它們都能吸引外來(lái)的原子 、 離子 、 分子 的 這一現(xiàn)象 。晶粒的進(jìn)一步生長(zhǎng)，增大了晶界的曲率使生長(zhǎng)過(guò)程不斷加速，直到大晶粒的邊界相互接觸為止。其含義的核心是晶粒平均尺寸增加。 ，青銅器時(shí)代，石器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ，對(duì)稱面的對(duì)稱操作是________。 ，對(duì)稱中心的對(duì)稱操作是。 個(gè) 9 個(gè) 個(gè) ________對(duì)稱中心。 = b = c， α=β=γ=90176。 = b = c， α=β=γ=90176。w] ________種。 ________種。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 ： A.（ hkl） B.[uvw] C.｛ hkl｝ D.[uv ： ________種。 ________種效應(yīng)。 ________晶系。 ________晶系。 （高溫型）屬于 ________晶系。 從高溫冷卻過(guò)程中晶胞會(huì)發(fā)生畸變有________種可能的方式。 屬于 ________晶系。 B. 六方 晶體是以 O 和 Al 原子層經(jīng)過(guò) ________層重復(fù)而得到。 ________套等同點(diǎn)。 屬于 ________晶系。 晶體共有 ________種變體 。 250kJ/mol，這類氧化物屬于。 ， Z=________。 C－ C 單鍵內(nèi)旋轉(zhuǎn)而形成的構(gòu)像有 ________種。 ________時(shí)才能生成。 ，上標(biāo) 39。 ，熱缺陷生成能 ________ 。 ________類。表示帶________個(gè)電荷。 “組分缺陷 ”有 ________種。 當(dāng)環(huán)境氧分壓升高時(shí)，則其電導(dǎo)率與氧分壓的 ________次方成正比。 A.+2 B.+3 D.+1 ，可以分為_(kāi)_______類。 型固溶體 ，設(shè) D 為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值， D0 為計(jì)算的理論密度，若 D = D0，則固溶體為 ________。 ，固體的表面能隨溫度的升高會(huì)________。 于 ________的過(guò)程。 、陽(yáng)離子的空位形成能不同 、陽(yáng)離子的填隙形成能不同 ，任一點(diǎn)的 ________不隨時(shí)間變化。 ，間隙擴(kuò)散的激活能要比空位擴(kuò)散的激活能 ________。 ________。 解：晶體的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間作有規(guī)律的重復(fù)排列，兼具短程有序和長(zhǎng)程有序的結(jié)構(gòu)。晶胞的形狀大小與對(duì)應(yīng)的單位平行六面體完全一致，并可用與平行六面體相同的參數(shù)來(lái)表征晶胞的幾何特征。 解：以 NaCl 晶胞中（ 001）面心的一個(gè)球（ Cl離子）為例，它的正下方有 1 個(gè)八面體空隙（體心位置），與其對(duì)稱，正上方也有 1 個(gè)八面體空隙；前后左右各 有 1 個(gè)八面體空隙（棱心位置）。 。在 MX 晶體中，間隙原子的表示符號(hào)為Mi 或 Xi；空位缺陷的表示符號(hào)為： VM 或 VX。質(zhì)量平衡是指方程式兩邊應(yīng)保持物質(zhì)質(zhì)量的守恒。 解： 離子尺寸因素 從晶體穩(wěn)定性考慮，相互替代的離子尺寸愈相近，則固溶體愈穩(wěn)定。而此值 30%時(shí)，不能形成固溶體。 電負(fù)性因素 電負(fù)性相近，有利于固溶體的生成。（ a）判斷方程的合理性。這樣即可寫(xiě)出一組缺陷方程。因而間隙型缺陷在離子晶體中（除螢石型）較少見(jiàn)。 Al2O3 和 Cr2O3 形成連續(xù)固溶體。雖然 = =%＜ 15%，也不可能形成完全互溶的固溶體，而只能是有限固溶。 石英晶體 石英熔體 Na2O?2SiO2 結(jié)構(gòu) [SiO4] 按共頂方式對(duì)稱有規(guī)律有序排列， 遠(yuǎn)程有序 基本結(jié)構(gòu)單元 [SiO4] 呈架狀結(jié)構(gòu)，遠(yuǎn)程無(wú)序 基本結(jié)構(gòu)單元 [Si6O18]12 呈六節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán)， 遠(yuǎn)程無(wú)序 性質(zhì) 固體無(wú)流動(dòng)性，熔點(diǎn)高，硬度大，導(dǎo)電性差，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，化學(xué)穩(wěn)定性好 有流動(dòng)性， η 大，電導(dǎo)率大，表面張力大 有流動(dòng)性， η 較石英熔體小，電導(dǎo)率大，表面張力大 19 因。隨溫度降低，熔體粘度按指數(shù)關(guān)系遞增。 SiO2 熔體 — 內(nèi)部結(jié)構(gòu)為架狀，近程有序，遠(yuǎn)程無(wú)序。 解： 結(jié)構(gòu)差異：硅酸鹽玻璃：石英玻璃是硅酸鹽玻璃的基礎(chǔ)。 硼酸 鹽玻璃： B 和 O 交替排列的平面六角環(huán)的 B— O 集團(tuán)是硼酸鹽玻璃的重要基元，這些環(huán)通過(guò)B— O— B 鏈連成三維網(wǎng)絡(luò)。 硼酸鹽玻璃：硼酸鹽玻璃有某些優(yōu)異的特性。當(dāng) Na2O 含量達(dá)到 15%— 16%時(shí)，橋氧又開(kāi)始減少，熱膨脹系數(shù)重新上升，這種反?，F(xiàn)象就是硼反?，F(xiàn)象。 ，并比較兩種學(xué)說(shuō)在解釋玻璃結(jié)構(gòu)上的共同點(diǎn)和分歧。由于玻璃的強(qiáng)度與晶體 20 的強(qiáng)度屬于同一個(gè)數(shù)量級(jí)，玻璃的內(nèi)能與相應(yīng)晶體的內(nèi)能相差并不多，因此它們的結(jié)構(gòu)單元（四面體或三角體）應(yīng)是相同的，不同之處在與排列的周期性。 張力和表面能 ? 在固態(tài)下和液態(tài)下這兩者有何差別 ? 解：表面張力：垂直作用在單位長(zhǎng)度線段上的表面緊縮力或?qū)⑽矬w表面增大一個(gè)單位所需作的功； σ =力 /總長(zhǎng)度N