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材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-預(yù)覽頁

2025-02-11 18:47 上一頁面

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【正文】 二、配位數(shù)和致密度 配位數(shù) 所謂配位數(shù)是指晶體中與任一個原子最近鄰、等距離的原子數(shù)目。國際上通用的是密勒( Miller) 指數(shù)。 對于一個晶向指數(shù),表示的不是一個具體的方向,而是所有相互平行,方向一致的晶向。 原子排列情況相同 , 但空間位向不同的所有晶向稱為晶向族 , 用 表示 , 上述八個晶向即可用 111表示 。 晶面指數(shù) 晶面指數(shù)的一般表達(dá)式為 ( hkl) , 其確定步驟如下: ( 1) 與確定晶面指數(shù)類似建立坐標(biāo)系 , 但坐標(biāo)原點應(yīng)位于待定晶面之外 , 以避免出現(xiàn)零截距 。 如圖給出了一些立方晶系中的一些主要晶面的晶面指數(shù)。 晶面族 在同一晶體結(jié)構(gòu)中 , 有些晶面上的原子排列和晶面間距完全相同 ,但具有不同的空間位向 , 這些晶面均歸并為一個晶面族 , 用表示 。 晶面指數(shù)的幾何意義 γ β α X Y Z N O 晶面指數(shù)與晶面位向間的關(guān)系 A B C D ;haOA? ;kaOB? ;laOC?;OAOD??cos ;OBOD??cos ;OCOD??cosOCOBOA 1:1:1c os:c os:c os ????∴ lkh ::c o s:c o s:c o s ????即: 從立體幾何可知,在正交晶系中: 1c o sc o sc o s 222 ??? ???所以 , 只要晶面指數(shù)一旦確定 , 晶面位向即可求得 。 這一組晶面叫做共帶面 , 而該直線 ( 用晶向指數(shù)表示 ) 叫做晶帶軸 。 第三節(jié) 金屬及合金的結(jié)構(gòu)特點 Structure Characteristic of Metal amp。 ( a) ( b) ( c) 密排六方晶胞 ( a) 模型; ( b) 晶胞; ( c) 晶胞原子數(shù) 配位數(shù): 12;致密度: (與面心立方相同) 晶胞中的間隙 由致密度計算結(jié)果可知,晶體中應(yīng)存在一定數(shù)量的間隙。 金屬原子 八面體間隙 金屬原子 四面體間隙 (a) (b) 體心立方結(jié)構(gòu)中的間隙 (a) 八面體間隙 (b) 四面體間隙 面心立方晶格中也有八面體間隙與四面體間隙兩種,如圖所示,它們分別是正八面體間隙和正四面體間隙 金屬原子 八面體間隙 金屬原子 四面體間隙 (a) (b) 面心立方結(jié)構(gòu)中的間隙 (a) 八面體間隙 (b) 四面體間隙 原子的堆垛方式 前面已指出,面心立方晶格和密排六方晶格的致密度與配位數(shù)完全一致,均屬于最密排列晶格,但是晶格類型卻不同,為了搞清這個問題,就需要了解原子的堆垛方式。每一個晶粒相當(dāng)于一個單晶體。晶體的點缺陷主要包括三種形式:晶體空位、間隙原子和置換原子,如圖所示。這種錯排現(xiàn)象是晶體內(nèi)部局部滑移造成的,根據(jù)局部滑移的方式不同,可以形成不同類型的位錯,最簡單、最基本的類型有 刃型位錯 和 螺型位錯 兩種,由它們組合可以構(gòu)成混合位錯和不全位錯等線缺陷。 面缺陷 晶體中的面缺陷是指在兩個方向尺寸很大而第三方向尺寸很小,呈面狀分布的缺陷。 晶界是晶體中的一種重要的缺陷。 亞晶界 實驗表明,在實際金屬的一個晶粒內(nèi)部晶格位向也并非一致,而是存在一些位向略有差異的小晶塊(位向差一般不超過 2176。亞晶界實際上是由一系列的位錯所組成。溶質(zhì)原子填充到溶劑晶格的間隙中形成間隙固溶體,如圖所示。中間相分為正常價化合物、電子化合物和間隙化合物三種。 電子化合物 電子化合物通常是 IB族或過渡族元素與 Ⅱ B、 Ⅲ A、 Ⅳ A和 Ⅴ A族元素所組成,它們不遵守化合價規(guī)律而是按照一定電子濃度比值形成金屬間化合物。 間隙化合物 間隙化合物主要是過渡族元素和碳原子所形成的碳化物。所謂高分子是是指分子量特別大的有機化合物,是由一種或者多種單體,通過聚合反應(yīng)形成的相對分子質(zhì)量很大的化合物,它是相對于低分子而言。組成大分子鏈時,鏈節(jié)的數(shù)目( n)叫做聚合度。一個分子量很大的分子用外力把它拉斷或切開,變成兩個分子后,高分子化合物的性質(zhì)一般沒有明顯的改變。因為高分子化合物是由很長的大分子鏈所構(gòu)成,當(dāng)鏈的某一部分受熱時,這一部分鏈的運動能量增加,但由于大分子鏈不易傳熱,因此,除了這一部分受熱外,鏈的其他部分則受熱不多,這些部分的運動能量就不大。 ( 4)具有絕緣性:高分子化合物對電、熱、聲具有良好的絕緣性能。 而絕大多數(shù)高分子聚合物都是分子量不等的同系物的混合物 。根據(jù)統(tǒng)計平均方法不同,其分子量的表示也不同。 重均分子量 按重量的統(tǒng)計平均 , 定義為: 式中: Wi: 第 i組分子的總質(zhì)量 。 其主鏈結(jié)構(gòu)如下: —C—C—C—C—C—C— 乙烯基聚合物就是屬于碳鏈聚合物的一種 。 如: —C—C—O—C— —C—C—H—C— —C—C—S—C— 聚酯就是一種典型的雜鏈聚合物 , 其特征是在碳主鏈中嵌入一個酯鍵: O —C—O— ( 3) 元素有機聚合物 主鏈由氧和其它元素組成 , 如: —O—Si—O—Si—O— 在大分子鏈中常見的 C、 H、 O、 N等元素都是原子量較小的輕元素 。 鍵接方式 : 結(jié)構(gòu)單元在鏈中的連接方式和順序決定于單體及合成反應(yīng)的性質(zhì) 。 2) 間同立構(gòu) 取代基 R相間地分布在主鏈的兩側(cè) 。 高分子鏈的柔順性與單鍵內(nèi)旋轉(zhuǎn)難易程度有關(guān) 。此類材料加熱后軟化 , 冷卻后又硬化成型 , 隨溫度變化可以反復(fù)進(jìn)行 。 ( 3)體型 (網(wǎng)狀 )高分子 分子鏈之間有許多鏈節(jié)互相交聯(lián),呈三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。一般物質(zhì)的聚集態(tài)可分為氣體、液體和固體。 第五節(jié) 無機非金屬材料的結(jié)構(gòu)特點 Structures of Inanic Nonmetallic Materials (Ceramics) 陶瓷是由金屬和非金屬的無機化合物所構(gòu)成的多晶多相固體物質(zhì),它實際上是各種無機非金屬材料的統(tǒng)稱。陶瓷和金屬類似,具有晶體構(gòu)造,但與金屬不同的是其結(jié)構(gòu)中并沒有大量的自由電子。它往往決定著陶瓷的力學(xué)、物理、化學(xué)性能。 氧化物結(jié)構(gòu) 氧化物結(jié)構(gòu)的特點是較大的氧離子緊密排列成晶體結(jié)構(gòu),較小的正離子填充在它們的空隙內(nèi)。普通水泥是人們最熟悉的硅酸鹽,它最明顯的優(yōu)勢是能將巖石骨料結(jié)合成整塊材料。 硅酸鹽具有下列結(jié)構(gòu)特點: ① 結(jié)構(gòu)中 Si4+間沒有直接的鍵 , 而它們是通過 O2–連接起來的 。 陶瓷晶體相中的缺陷 陶瓷材料是多晶體,同金屬一樣,有晶粒、晶界,有亞晶粒、亞晶界。所以陶瓷在常溫下幾乎沒有塑性變形能力,即脆性大。 因此 , 玻璃相就是陶瓷高溫?zé)Y(jié)時各組成物和雜質(zhì)產(chǎn)生一系列物理 、 化學(xué)反應(yīng)后形成的一種非晶態(tài)物質(zhì) 。此外,由于玻璃相結(jié)構(gòu)疏松,空隙中常有金屬離子填充,因而降低了陶瓷的電絕緣性,增加介電損耗。 氣孔對陶瓷性能有顯著影響 。 陶瓷材料的氣孔量用氣孔的相對體積(氣孔率)來表示,它是衡量陶瓷材料質(zhì)量的重要標(biāo)志。
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