【正文】 0002． 擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度，所有擴(kuò)散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。（ ） 0010． 燒結(jié)過程中，如果晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率，可達(dá)到燒結(jié)體致密化。 0002． 答：不正確。 0006． 答：正確。 晶粒正常生長(zhǎng)時(shí)，晶界移動(dòng)受到雜質(zhì)或氣孔的牽制，為了利用晶界作為原子移動(dòng)的快速通道，希望氣孔維持在晶界或三個(gè)晶粒的交匯點(diǎn)上， 晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率，晶界在 牽制氣孔移動(dòng)的同時(shí)，氣孔作為空位源而快速向燒結(jié)體外排除。螺型位錯(cuò)只能滑移。 三 、名詞解釋 0001 晶體 0002 等同點(diǎn) 0003 空間點(diǎn)陣 0004 結(jié)點(diǎn) 0005 晶體定向 0006 晶體常數(shù) 0007 對(duì)稱 0008 對(duì)稱型 0009 晶類 0010 單形 0011 聚形 0012 布拉菲格子 0013 晶胞 0014 空間群 015 單鍵強(qiáng) 0016 分化和縮聚 0017 網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體 0018 凝聚系統(tǒng) 0019 介穩(wěn)平衡 0020 低共熔點(diǎn) 0021 雙升點(diǎn) 0022 雙降點(diǎn) 0023 馬鞍點(diǎn) 0024 連線規(guī)則 0025 切線規(guī)則 0026 三角形規(guī)則 0027 重心規(guī)則 0028 穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散 0029 本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散 0030 自擴(kuò)散與互擴(kuò)散 0031 擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散通量 0032 配位數(shù)與配位體 0033 同質(zhì)多晶與多晶轉(zhuǎn)變 0034 位移性轉(zhuǎn)變與重建性轉(zhuǎn)變 0035 弗倫克爾缺陷與肖特基缺陷 0036 刃型位 錯(cuò)和螺型位錯(cuò) 0037 晶子學(xué)說和無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說 0038 晶體場(chǎng)理論 0039 配位場(chǎng)理論 0040 螢石型和反螢石型 0041 類質(zhì)同晶和同質(zhì)多晶 0042 二八面體型與三八面體型 0043 同晶取代與陽(yáng)離子交換 0044 尖晶石與反尖晶石 0045 米勒指數(shù) 0046 離子晶體的晶格能 0047 離子極化 0048 鐵電效應(yīng) 0049 壓電效應(yīng) 0050 硼反常現(xiàn)象 0051 熔體、玻璃體 0052 界核半徑 0053 無序擴(kuò)散 0054 燒結(jié)宏觀定義 0055 非均相成核 0056 礦化劑 0057 晶界結(jié)構(gòu) 0058 橋氧離子 0059 吸附 0060 表面能： 0061 初次再結(jié)晶 0062 二次再結(jié)晶 0063 晶粒長(zhǎng)大 名詞解釋 參考答案 0001． 晶體是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性重復(fù)排列的固體。表示晶體結(jié)構(gòu)特征的參數(shù)（ a、 b、 c， α(b∧ c)、 β(a∧ c)、 γ(a∧ b)）稱為晶胞常數(shù)，晶胞參數(shù)也即晶體常數(shù)。 0013． 任何晶體都對(duì)應(yīng)一 種布拉菲格子，因此任何晶體都可劃分出與此種布拉菲格子平行六面體相對(duì)應(yīng)的部分，這一部分晶體就稱為晶胞。 網(wǎng)絡(luò)變性體： 單鍵強(qiáng)度＜ 250kJ/mol， 這類氧化物不能形成玻璃，但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，從而使玻璃性質(zhì)改變，即稱為網(wǎng)絡(luò)變形體。 0024． 連線規(guī)則：將一界線（或其延長(zhǎng)線）與相應(yīng)的連線（或其延長(zhǎng)線）相交，其交點(diǎn)是該界線上的溫度最高點(diǎn)。配位體：晶體結(jié)構(gòu)中與某一個(gè)陽(yáng)離子直接相鄰、形成配位關(guān)系的各個(gè)陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。位錯(cuò)線與滑移方向相互平行的位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò)。 0040． 螢石型： CaF2型結(jié)構(gòu)中， Ca2+按面心立方緊密排列， F占據(jù)晶胞中全部四面體空隙。 0044． 正尖晶石：在 AB2O4尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)中，若 A2+分布在四面體空隙、而 B3+分布于八面體空隙，稱為正尖晶石；反尖晶石：若 A2+分布在八面體空隙、而 B3+一半分布于四面體空隙另一半分布于八面體空隙，通式為B(AB)O4，稱為反尖晶石。質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散是無序的、隨機(jī)的。 0061． 初次再結(jié)晶是指從塑性變形的、具有應(yīng)變的基質(zhì)中，生長(zhǎng)出新的無應(yīng)變晶粒的成核和長(zhǎng)大過程。 ，青銅器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。 ＋反伸 ＋反映 L1 外，允許存在的其它軸次有 ________種。 ： ≠ b ≠ c， α=β=γ= 90176。 : A.（ hkl） B.[uvw] C.｛ hkl｝ D.（ hk n 個(gè)等大球體作最緊密堆積，將有 ________個(gè)八面體空隙存在。 = b = c， α=β=γ=90176。 ＋ 1 ＋ 1 ________大類。 A. 1 屬于 ________晶系。 Al離子填充在 ________八面體空隙中。 （高溫型）晶胞中含 有 ________個(gè)分子。 （高溫型）晶胞中有 ________套等同點(diǎn)。 ________大通性。 ， Z=________。 ________類。 ，當(dāng)超過固溶限度時(shí)，固溶體是 ________。 0125. 對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1r2)/r115%時(shí)，生成 ________。 ，上標(biāo)不寫表示帶________個(gè)電荷。 ，設(shè) D 為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值， D0 為計(jì)算的理論密度，若 D D0，則固溶體為 ________。 ________組成的。 16 能的 ________。與非晶體比較晶體具有自限性、均一性、異向性、對(duì)稱性、最小內(nèi)能和穩(wěn)定性。在這個(gè)晶胞中，這個(gè)球還與另外 2 個(gè)面心、 1 個(gè)頂角上的球構(gòu)成 4 個(gè)四面體空隙（即 1/8 小立方體的體心位置）；由于對(duì)稱性，在上面的晶胞中，也有 4 個(gè)四面體空隙由這個(gè)參與構(gòu)成。 當(dāng) CaCl2 中 Ca2+置換 KCl 中 K+而出現(xiàn)點(diǎn)缺陷，其缺陷反應(yīng)式如下： 17 CaCl2 + +2ClCl CaCl2 中 Ca2+進(jìn)入到 KCl 間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反應(yīng)式為： CaCl2 +2 +2ClCl ，所謂位置平衡、電中性、質(zhì)量平衡是指什么？ 解：位置平衡是指在化合物 MaXb 中， M 格點(diǎn)數(shù)與 X 格點(diǎn)數(shù)保持正確的比例關(guān)系，即 M： X=a： b。當(dāng)它們半徑差 15%時(shí)，形成連續(xù)置換型固溶體。 解：從化學(xué)組成、相組成考慮，固溶體、化合物和機(jī)械混合物的區(qū)別以 AO 溶質(zhì)溶解在 B2O3 溶劑中為例列下表比較之 。這樣又可寫出一組缺陷方程。因?yàn)椋? ① = =10%＜ 15% ② 結(jié)構(gòu)類型相同，均屬剛玉型結(jié)構(gòu)。 ？ 解：影響熔體粘度的主要因素：溫度和熔體的組成。 硅膠 — 疏松多孔。這種連環(huán)結(jié)構(gòu)與石英玻璃硅氧四面體的不規(guī)則網(wǎng)絡(luò)不同，任何O— B 三角體的周圍空間并不完全被臨接的三角體所填充，兩個(gè)原子接近的可能性較小。致使 B2O3 玻璃從原來二度空間層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu)，從而加強(qiáng)了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并使玻璃的各種物理性能 變好。網(wǎng)絡(luò)學(xué)說強(qiáng)調(diào)了 玻璃中離子與多面體相互間排列的均勻性、連續(xù)性及無序性等方面結(jié)構(gòu)特征。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說：玻璃的結(jié)構(gòu)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)相似，同樣形成連續(xù)的三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。 (如 Na2O)加到 SiO2 熔體中，使氧硅比增加，當(dāng) O/Si≈ ～ 3 時(shí)，即達(dá)到形成玻璃的極限， O/Si3時(shí)，則不能形成玻璃，為什么 ? 解：在熔體結(jié)構(gòu)中， O/Si 比值對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，如當(dāng) O/Si 比值為 2 時(shí)，熔體中含有大小不等的歪扭的 [SiO2]n 聚集團(tuán)（即石英玻璃熔體）；隨著 O/Si 比值的增加，硅氧負(fù)離子集團(tuán)不斷變小，當(dāng) O/Si 比值增至 4時(shí)，硅 氧負(fù)離子集團(tuán)全部拆散成為分立狀的 [SiO4]4，這就很難 形成玻璃。由于 Si— O— Si 鍵角變動(dòng)范圍大，使石英玻璃中 [SiO4]四面體排列成無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。它們的結(jié)構(gòu)有什么不同？ 解：利用 X— 射線檢測(cè)。 解： Na2OSiO2 系統(tǒng)中， SiO2 含量增加， η 增大， σ 減?。灰?yàn)?SiO2 含量增加，聚合離子團(tuán)尺寸增大，遷移阻力增大， η 增大， e/r 減小，相互作用力減小， σ 減?。?ROSiO2 系統(tǒng)中， SiO2 含量增加， η 增大， σ 減??；因?yàn)闊o SiO2 時(shí) ROO2 系統(tǒng) η 很低，表面張力大；加入 SiO2，系統(tǒng)中出現(xiàn)聚合離子團(tuán)， SiO2 增加，聚合離子團(tuán)尺寸增大，數(shù)目增大， η 增大， σ 減小。當(dāng)然正確的判斷必須用固溶體密度測(cè)定法來決定。 18 解： 3MgO 2 + +3OO （ 1） 2MgO 2 + +2OO （ 2） YF3 Y +F +2FF （ 3） 2YF3 2Y + +6FF （ 4） （ a）書寫缺陷方程首先考慮電價(jià)平衡，如方程（ 1）和（ 4）。結(jié)構(gòu)不同最多只能生成有限固溶體。 解：刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的異同點(diǎn)見下表所示。試舉 例寫出 CaCl2 中Ca2+置換 KCl 中 K+或進(jìn)入到 KCl 間隙中去的兩種點(diǎn)缺陷反應(yīng)表示式。而晶胞則是實(shí)在的具體質(zhì)點(diǎn)構(gòu)成。 ， 密排的晶面表面能 ________。 ，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散方式一般為________。 ________凹形曲面上的蒸氣壓。 15 ________種缺陷形式。 ________種類型。 表示帶________個(gè)電荷。 ________： ________鍵合而成。 ，氧多面體中正離子配位數(shù)一般為 ________。 晶胞中有 ________套等同點(diǎn)。 ________晶系。 ________個(gè)分子。 晶胞中有 ________套等同點(diǎn)。 ，可能存在的配位數(shù)有________個(gè)。 ________種。 = b = c， α=β=γ=90176。