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江蘇大學(xué)材料科學(xué)基礎(chǔ)考研課程試題集-文庫吧在線文庫

2025-04-27 05:14上一頁面

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【正文】 請(qǐng)簡述二元合金結(jié)晶的基本條件有哪些。 間隙機(jī)制:包括間隙機(jī)制和填隙機(jī)制,其中間隙機(jī)制是主要機(jī)制。 三、綜合分析題:(共 50 分,每小題 25 分) 其強(qiáng)化程度取決于第二相的數(shù)量、尺寸、分布、形態(tài)等,且如果第二相強(qiáng)度低于基體則不一定能夠起到強(qiáng)化作用。 高分子材料:分子內(nèi)部以共價(jià)鍵為主,分子間為分子鍵和氫鍵為主。 陶瓷晶體相可分為哪兩大類?有何共同特點(diǎn)? 答:氧化物陶瓷和硅酸鹽陶瓷。 答:擴(kuò)散激活能的物理意義是原子躍遷過程中必須克服周圍原子對(duì)其的阻礙,即必須克服勢(shì)壘。 3. ( 2 ) 兩位錯(cuò)位于同一滑移面,因此 G 相同,故: 晶界能量高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜——容易滿足固態(tài)相變的條件——固態(tài)相變首先發(fā)生地 ? ?4.請(qǐng)說明間隙化合物與間隙固溶體的異同。在AB二元相圖中,分析wB=,在室溫下的相組成物及組織組成物,并計(jì)算各相組成物的相對(duì)含量。iii.8. 畫出將該錠子進(jìn)行再結(jié)晶退火后,晶粒示意圖。二、作圖計(jì)算題(每題10分,共40分)1. 請(qǐng)計(jì)算簡單立方和體心立方晶體的(100)、(110)和(111)晶面的面間距(假設(shè)兩種點(diǎn)陣的點(diǎn)陣常數(shù)都是a)。 請(qǐng)畫出X合金平衡冷卻時(shí)的冷區(qū)曲線,及各階段相變反應(yīng)。該鋼絲是新的,且沒有瑕疵,是分析該鋼絲繩斷裂的原因。若小原子溶入后,分布隨機(jī),大小原子點(diǎn)陣不能合并,仍然保留大原子點(diǎn)陣,稱為間隙固溶體。隨過冷度增大,形核率先增后減。 已知銅的臨界切分應(yīng)力為1Mpa,問要使面上產(chǎn)生[101]方向的滑移,應(yīng)在[001]方向上施加多大的力?對(duì)立方晶系,兩晶向[h1k1l1]和[h2k2l2]夾角公式為:故滑移面的法線與拉力軸方向[001]的夾角為:同理,滑移方向[101]與拉力軸方向[001]的夾角為:由分切應(yīng)力公式得: A組元(熔點(diǎn)600℃)與B組元(熔點(diǎn)500℃)在液態(tài)時(shí)無限互溶;2)(腐蝕劑均為3%硝酸酒精)工業(yè)純鐵: PT12鋼: 已知Al為面心立方晶體,原子半徑為rA。和[是密排面和密排方向,因此可以構(gòu)成滑移系。擴(kuò)散激活能越低擴(kuò)散系數(shù)越大,因此激活能低的擴(kuò)散方式的擴(kuò)散系數(shù)較大,如晶界和位錯(cuò)處的擴(kuò)散系數(shù)較大。因位錯(cuò)線方向垂直于柏氏矢量,所以是刃位錯(cuò)。分子鍵:分子或分子團(tuán)顯弱電性,相互吸引;鍵合很弱,無方向性;熔點(diǎn)、硬度低,不導(dǎo)電,導(dǎo)熱性差。a純Mg+%Ni設(shè)有C1和C2兩種合金,C1為亞共晶,C2為過共晶。4.請(qǐng)簡述二元合金結(jié)晶的基本條件有哪些。 并請(qǐng)回答:ii.2. 已知鉬為體心立方結(jié)構(gòu),請(qǐng)回答:(1) 20鋼若在Al晶體的八面體間隙中能溶入最大的小原子半徑為rB,請(qǐng)計(jì)算rB與rA的比值是多少。這兩部分統(tǒng)稱為存儲(chǔ)能,其中前者為主要的。 答:? 晶界特征: ? 和 均位于 Fcc 鋁的 (111) 晶面上,因此理論上 和 的滑移均是可能的。 已知碳在 γ - Fe 中擴(kuò)散時(shí), D 0 = 10 - 5 m 2 /s , Q = 10 5 J/mol 。 冷軋純銅板,如果要求保持較高強(qiáng)度,應(yīng)進(jìn)行何種熱處理?若需要繼續(xù)冷軋變薄時(shí),又應(yīng)進(jìn)行何種熱處理? 答:保持較高強(qiáng)度則應(yīng)進(jìn)行低溫退火,使其只發(fā)生回復(fù),去除殘余應(yīng)力;要繼續(xù)冷變形則應(yīng)進(jìn)行高溫退火,使其發(fā)生再結(jié)晶,以軟化組織。 2.2006年西北工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)試題 參考答案 一、簡答題(每題 10 分,共 50 分) 1. 2. 請(qǐng)根據(jù)所附二元共晶相圖分析解答下列問題: 1)分析合金 I 、 II 的平衡結(jié)晶過程,并繪出冷卻曲線; 2) 說明室溫下 I 、 II 的相和組織是什么?并計(jì)算出相和組織的相對(duì)含量; 3)如果希望得到室溫組織為共晶組織和 5% 的 β 初 的合金,求該合金的成分; 4)分析在快速冷卻條件下, I 、 II 兩合金獲得的組織有何不同。 彌散強(qiáng)化:又稱時(shí)效強(qiáng)化。 答: 1. 在面心立方晶體中,分別畫出 、 和、指出哪些是滑移面、滑移方向,并就圖中情況分析它們能否構(gòu)成滑移系?若外力方向?yàn)?[001] ,請(qǐng)問哪些滑移系可以開動(dòng)? 2. 請(qǐng)判定下列位錯(cuò)反應(yīng)能否進(jìn)行,若能夠進(jìn)行,請(qǐng)?jiān)诰О麍D上做出矢量圖。 3. 兩位錯(cuò)發(fā)生交割時(shí)產(chǎn)生的扭折和割階有何區(qū)別? 答:位錯(cuò)的交割屬于位錯(cuò)與位錯(cuò)之間的交互作用,其結(jié)果是在對(duì)方位錯(cuò)線上產(chǎn)生一個(gè)大小和方向等于其柏氏矢量的彎折,此彎折即被稱為扭折或割階。(假設(shè)液相線和固相線固相線均為直線)。 位錯(cuò)線方向:[112];(3)(1) Cu先屈服;(2)Bi初,隨溫度降低Bi增多,液相成分延BiQ的延長線向E3E移動(dòng);液相成分達(dá)到E3E后發(fā)生共晶反應(yīng),L174。 若其離子半徑=,=,則其原子堆積密度為多少?(2) 2. 位錯(cuò)密度有哪幾種表征方式? 3.5. 已知三元簡單共晶的投影圖,見附圖,(1) 請(qǐng)畫出AD代表的垂直截面圖及各區(qū)的相組成(已知TATD);(2) 請(qǐng)畫出X合金平衡冷卻時(shí)的冷區(qū)曲線,及各階段相變反應(yīng)。三、綜合分析題:(共50分,每小題25分)某面心立方晶體的可動(dòng)滑移系為。一、簡答題:(共40分,每小題8分)請(qǐng)簡述間隙固溶體、間隙相、間隙化合物的異同點(diǎn)?請(qǐng)簡述影響擴(kuò)散的主要因素有哪些。 有一鋼絲(直徑為1mm)包復(fù)一層銅(總直徑為2mm)。 ,試計(jì)算單位刃位錯(cuò)線受力的大小和方向(取點(diǎn)陣常數(shù)為a=)。二、計(jì)算、作圖題:(共60分,每小題12分)1. 在面心立方晶體中,分別畫出、和、指出哪些
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