【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 03的噴嘴，使得硅片被抬出水面后就與高濃度的03直接接觸，進(jìn)而在硅片表面形成一層致密的氧化膜。在采用AD干燥法的同時(shí)，可以有效地去除金屬沾污。該干燥法可以配合其他清洗工藝來(lái)共同使用，干燥過(guò)程本身不會(huì)帶來(lái)顆粒沾污。SE洗液HNO3（60%）：HF(%%)，SE能使硅片表面的鐵沾污降至常規(guī)清洗工藝的十分之一，各種金屬沾污均小于1010原子/cm2，不增加微粗糙度。這種洗液對(duì)硅的腐蝕速率比對(duì)二氧化硅快10倍，且與HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化層。CSE洗液HNO3：HF：H2O2=50：（~）：（~），35℃，3~5min。用CSE清洗的硅片表面沒(méi)有自然氧化層，微粗糙度較SE清洗的降低；對(duì)硅的腐蝕速率不依賴于HF的濃度，這樣有利于工藝控制。%時(shí)效果較好。幾種的清洗方案硅片襯底的常規(guī)清洗方法①三氯乙烯（除脂）80℃，15分鐘；②丙酮、甲醇20℃，依次2分鐘；③去離子水流洗2分鐘；④2號(hào)液(4∶1∶1)90℃，10分鐘；⑤去離子水流洗2分鐘；⑥擦片(用擦片機(jī))；⑦去離子水沖5分鐘；⑧1號(hào)液(4∶1∶1)90~95℃，10分鐘；⑨去離子水流洗5分鐘；⑩稀鹽酸(50∶1)，；去離子水流洗5分鐘；甩干(硅片)。該方案的清洗步驟為:先去油，接著去除雜質(zhì)，其中10步用于進(jìn)一步去除殘余的雜質(zhì)(主要是堿金屬離子)。DZDZ2清洗半導(dǎo)體襯底的方法①去離子水沖洗；②DZ1(95∶5)，50~60℃超聲10分鐘；③去離子水沖洗(5分鐘)；④DZ2(95∶5)，50~60℃超聲10分鐘；⑤去離子水沖洗(5分鐘)；⑥甩干或氮?dú)獯蹈?。該方案中用電子清洗劑代替方案一中的酸堿及雙氧水等化學(xué)試劑，清洗效果大致與方案一相當(dāng)。硅拋光片的一般清洗方法①無(wú)鈉清洗劑加熱煮三次；②熱去離子水沖洗；③3號(hào)液；④熱去離子水沖洗；⑤去離子水沖洗；⑥稀氫氟酸漂洗；⑦去離子水沖洗；⑧1號(hào)液；⑨去離子水沖洗；⑩甩干。對(duì)于用不同的拋光方式(有蠟或無(wú)蠟)得到的拋光片，其被各種類型的污染雜質(zhì)沾污的情況各不相同，清洗的側(cè)重點(diǎn)也就各不相同，因此上述各清洗步驟的采用與否及清洗次數(shù)的多少也就各不相同。以下所有試劑配比均為體積比。所用有機(jī)試劑均是分析級(jí)試劑。部分試劑的濃度如下:w(H2O2)≥20%；w(HF)≥40%；w(H2SO4):95~98%.①除脂三氯乙烯溶液中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min；異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min；去離子水漂洗3次；高純氮?dú)獯蹈?；②氧化在新配的H2SO4∶H2O2(1∶1)溶液中氧化3min；在70℃溫水中漂洗3min(避免Si表面因驟冷出現(xiàn)裂紋)；去離子水中漂洗2次，每次3min；③刻蝕HF∶C2H5OH(1∶10)溶液中刻蝕3min；C2H5OH中漂洗3次，每次3min；高純氮?dú)獯蹈?。化學(xué)清洗后，把樣品快速傳入真空系統(tǒng)，這是因?yàn)镠鈍化的硅表面在空氣中只能維持幾分鐘內(nèi)不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及時(shí)進(jìn)入超高真空系統(tǒng)，可將清洗后的Si片放入無(wú)水C2H5OH中，這既可以延緩表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空氣中的雜質(zhì)所污染。傳統(tǒng)的RCA清洗法主要清洗液SPM（三號(hào)液）（H2SO4∶H2O2∶H2O）在120～150℃清洗10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。經(jīng)SPM清洗后，硅片表面會(huì)殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物轉(zhuǎn)化為氟化物而有效地沖洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性強(qiáng)，可用臭氧來(lái)取代H2O2(H2SO4/O3/H2O稱為SOM溶液)，以降低H2SO4的用量和反應(yīng)溫度。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1DHF（HF(H2O2)∶H2O）在20～25℃清洗30s腐蝕表面氧化層，去除金屬沾污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，但不能充分地去除Cu。HF：H2O2=1：50。APM(SC1)（一號(hào)液）（NH4OH∶H2O2∶H2O）在65～80℃清洗約10min主要去除粒子、部分有機(jī)物及部分金屬。由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(Si02)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。此溶液會(huì)增加硅片表面的粗糙度。Fe，Zn，Ni等金屬會(huì)以離子性和非離子性的金屬氫氧化物的形式附著在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附著。體積比為(1∶1∶5)~(1∶2∶7)的NH4OH(27%)、H2O2(30%)和H2O組成的熱溶液。稀釋化學(xué)試劑中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超聲清洗，可在更短時(shí)間內(nèi)達(dá)到相當(dāng)或更好的清洗效果。SC1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O為1∶104)處理，在去除金屬雜質(zhì)和顆粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的HF溶液短時(shí)間浸漬，以去除在SC1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC1原始溶液濃度1/10的稀釋溶液清洗，以避免表面粗糙，降低產(chǎn)品成本，以及減少對(duì)環(huán)境的影響。HPM(SC2)（二號(hào)液）（HCl∶H2O2∶H2O）在65～85℃清洗約10min用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。H2O2會(huì)使硅片表面氧化，但是HCl不會(huì)腐蝕硅片表面，所以不會(huì)使硅片表面的微粗糙度發(fā)生變化。(1∶1∶6)~(2∶1∶8)的H2O2(30%)、HCl(37%)和水組成的熱混合溶液。對(duì)含有可見(jiàn)殘?jiān)膰?yán)重沾污的晶片，可用熱H2SO4H2O(2∶1)混合物進(jìn)行預(yù)清洗。傳統(tǒng)的RCA清洗流程各洗液的清洗說(shuō)明SC1洗液去除顆粒硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(約6mm呈親水性)，該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。①，其與NH4OH、H2O2濃度及清洗液溫度無(wú)關(guān)。②SiO2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無(wú)關(guān)。③Si的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而快當(dāng)，到達(dá)某一濃度后為一定值，H202濃度越高這一值越小。④NH4OH促進(jìn)腐蝕，H2O2阻礙腐蝕。⑤若H2O2的濃度一定，NH4OH濃度越低，顆粒去除率也越低，如果同時(shí)降低H2O2濃度可抑制顆粒的去除率的下降。⑥隨著清洗液溫度升高，顆粒去除率也提高在一定溫度下可達(dá)最大值。⑦顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關(guān)為確保顆粒的去除要有一定量以上的腐蝕。⑧超聲波清洗時(shí)由于空化現(xiàn)象只能去除≥?！荩词挂簻叵陆档?0℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲清洗對(duì)晶片產(chǎn)生損傷。⑨在清洗液中硅表面為負(fù)電位有些顆粒也為負(fù)電位，由于兩者的電的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。去除金屬雜質(zhì)①由于硅表面氧化和腐蝕，硅片表面的金屬雜質(zhì)，隨腐蝕層而進(jìn)入清洗液中。②由于清洗液中存在氧化膜或清洗時(shí)發(fā)生氧化反應(yīng)，生成氧化物的自由能的絕對(duì)值大的金屬容易附著在氧化膜上。如:Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上而Ni、Cu則不易附著。③Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有時(shí)會(huì)附著在自然氧化膜上。④清洗后硅表面的金屬濃度取決于清洗液中的金屬濃度。其吸附速度與清洗液中的金屬絡(luò)合離子的形態(tài)無(wú)關(guān)。⑤清洗時(shí)，硅表面的金屬的脫附速度與吸附速度因各金屬元素的不同而不同。特別是對(duì)Al、Fe、Zn。若清洗液中這些元素濃度不是非常低的話清洗后的硅片表面的金屬濃度便不能下降。對(duì)此在選用化學(xué)試劑時(shí)按要求特別要選用金屬濃度低的超純化學(xué)試劑。⑥清洗液溫度越高，晶片表面的金屬濃度就越高。若使用兆聲波清洗可使溫度下降有利去除金屬沾污。⑦去除有機(jī)物由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有機(jī)物被分解成COH2O而被去除。⑧微粗糙度Ra晶片表面Ra與清洗液的NH4OH組成比有關(guān)，組成比例越大，其Ra變大。：H202：H2O=1:1:。:1:5。第三篇：二硫磺清洗總結(jié)二硫磺裝置FeS鈍化清洗工作總結(jié)淄博吉泰工貿(mào)有限公司 二○一○年三月二硫磺裝置FeS鈍化清洗工作總結(jié)一、煉油裝置進(jìn)行FeS 鈍化清洗的目的煉油廠在煉制含硫原油時(shí)，常減壓蒸餾裝置、催化裂化裝置、重油加工裝置、加氫裝置、氣體分離、脫硫等裝置會(huì)產(chǎn)生大量的FeS，F(xiàn)eS吸附在煉油廠的設(shè)備和管道上，裝置正常操作時(shí)不會(huì)帶來(lái)大的問(wèn)題，但在停工打開(kāi)設(shè)備時(shí)，F(xiàn)eS與空氣中的氧接觸能發(fā)生強(qiáng)氧化還原反應(yīng)并放出大量的熱,熱量積累后引發(fā)自燃，造成火災(zāi)和爆炸事故，大多數(shù)煉油廠都有過(guò)地表設(shè)備或內(nèi)部設(shè)備發(fā)生FeS 自燃的經(jīng)歷。在含有殘留油氣和空氣的條件下,塔、管線、儲(chǔ)罐和換熱器的內(nèi)部發(fā)生自燃或爆炸事故的后果是極具破壞性的。此外,設(shè)備與管道內(nèi)的H2S 很容易對(duì)檢修人員造成人身傷害和環(huán)境污染,因此,需要在檢修前對(duì)設(shè)備與管道進(jìn)行FeS的鈍化清洗，防止設(shè)備在打開(kāi)人孔時(shí)自燃，消除H2S、RSH等異味；清除FeS、H2S，達(dá)到進(jìn)人條件。2010年3月6日，按廠部要求，淄博吉泰工貿(mào)有限公司對(duì)二硫磺裝置的急冷塔C20吸收塔C20再生塔C203, D101A酸氣罐、D202酸氣罐以及以上設(shè)備的附帶設(shè)備等進(jìn)行FeS鈍化清洗。二、藥劑及使用方法l、JT1型多功能FeS鈍化劑：由淄博吉泰工貿(mào)有限公司生產(chǎn)，該劑可高效快速地除去設(shè)備上的FeS、Fe203等無(wú)機(jī)垢，同時(shí)吸收設(shè)備內(nèi)的H2S、RSH，消除異味，清洗殘液對(duì)環(huán)保無(wú)不利影響。其主要物化指標(biāo)為： 項(xiàng) 目 密度/，20℃外觀技術(shù)指標(biāo) ≥ 淺黃色試驗(yàn)方法 GB/T 1884 目測(cè)配量：BY1—1多功能FeS鈍化劑與水按1～10比例配制使用。藥劑用量：急冷塔C201系統(tǒng)計(jì)劃用劑3噸，吸收塔C20再生塔C203系統(tǒng)計(jì)劃用劑5噸, D101A酸氣罐計(jì)劃用劑1噸，合計(jì)約9噸。三、FeS鈍化清洗方案準(zhǔn)備工作停工過(guò)程中，對(duì)設(shè)備須進(jìn)行退胺液、水洗及高溫蒸汽吹掃，除去內(nèi)部集結(jié)的油垢、污垢；清洗方案確定后，在交付淄博吉泰工貿(mào)公司前按清洗方案所確定的流程改通，各設(shè)備內(nèi)提前注入一定的水量，注意設(shè)備內(nèi)的注水量一定要控制在安全線以下，防止水溢流或竄入其它部位。多年未進(jìn)行清洗的設(shè)備，車(chē)間在停工過(guò)程中應(yīng)徹底吹掃、水洗、蒸汽汽提干凈，除去內(nèi)部集結(jié)的殘留物等，保證下一步清洗工作的順利進(jìn)行；凡清洗設(shè)備富含脫硫胺液MDEA的，要將設(shè)備內(nèi)殘存的胺液徹底放空排盡，并按停工程序徹底吹掃、水洗、蒸汽汽提干凈；對(duì)內(nèi)部積累的硫化物可能較多的設(shè)備，現(xiàn)場(chǎng)一定要有安全監(jiān)護(hù)人員和措施，否則不準(zhǔn)施工。注水及添加藥劑流程需要取得車(chē)間及有關(guān)部門(mén)的同意方可進(jìn)行操作； 清洗過(guò)程中請(qǐng)車(chē)間派1～2名工藝或當(dāng)班人員給予協(xié)助。保證清洗過(guò)程中水、電、汽的正常供給；設(shè)備清洗前、中、后，確認(rèn)與設(shè)清洗備相連部位隔離情況： 注劑及鈍化清洗方案（一）二硫磺胺液吸收塔C202與再生塔203系統(tǒng)（含D202）拆塔C203底放空線（DN80）閥門(mén)下法蘭，接臨時(shí)接線至注劑泵和藥劑槽；清洗前請(qǐng)車(chē)間將清洗設(shè)備與不參與清洗的設(shè)備隔離，將新鮮水通過(guò)回流泵P204注入C203，保證C203底部液位達(dá)80%。水循環(huán)時(shí)如水量不足需及時(shí)向系統(tǒng)內(nèi)補(bǔ)水；從臨時(shí)接線處注劑進(jìn)入C203系統(tǒng)，；D202罐及P204A、B出口線采用浸泡方式，從D202罐底放空閥處注劑注水。塔C203底注劑完成后，由二硫磺車(chē)間按生產(chǎn)流程進(jìn)行循環(huán)清洗。 從C203底部放空處、臨時(shí)施工三通跨線處放空；（二）二硫磺急冷塔C201 1．配管拆P201/B泵入口線上DN40彎頭連接管，接臨時(shí)泵。2．加水流程清洗前請(qǐng)車(chē)間將該系統(tǒng)隔離，由P201入口新鮮水線向C201注水至80%液位。建立水循環(huán)，如水量不足需向C201內(nèi)補(bǔ)水；從臨時(shí)接線處注劑進(jìn)入C201底； P201入口→P201出口→A204/3→E201→ C201頂→C201底，→P201入口,進(jìn)行循環(huán)；從C201底部放空處放空。（三）二硫磺D101罐配管接帶三通的15米臨時(shí)管線至D101頂部放空線(DN40)； 接消防水向罐D(zhuǎn)101內(nèi)注水、藥劑，浸泡； 鈍化液循環(huán)或浸泡6～8小時(shí)后，鈍化液循環(huán)結(jié)束，鈍化工作結(jié)束，停泵。報(bào)安環(huán)部，由安環(huán)部安排采樣檢測(cè)清洗液的COD、氨氮、硫化物等指標(biāo)，符合要求方可排放。化學(xué)處理完畢，設(shè)備在檢修過(guò)程中不發(fā)生FeS鈍的自燃問(wèn)題；清洗后設(shè)備達(dá)到進(jìn)人條件。2010年3月6日10：00至7日6：00，二硫磺裝置陸續(xù)將D101，C201系統(tǒng)，C20C203系統(tǒng)等交付鈍化，施工人員按預(yù)定計(jì)劃分別對(duì)交付的設(shè)備進(jìn)行管線連接，然后分別按清洗方案進(jìn)行清洗鈍化，各塔器、罐、管線、冷換設(shè)備清洗鈍化完畢后，車(chē)間采樣送環(huán)保檢測(cè)分析COD、硫化物，氨氮，符合排放要求。8日人孔打開(kāi)后進(jìn)行檢查，清洗效果良好，塔及容器內(nèi)的FeS鈍化的比較徹底，H2S、小分子RSH等吸附較好，部分清洗部位系統(tǒng)檢查照片如下：二硫磺的照片都用本次檢修由淄博吉泰工貿(mào)有限公司對(duì)二硫磺裝置的急冷塔C20吸收塔C20再生塔C203, D101A酸氣罐、D202酸氣罐以及以上設(shè)備的附帶設(shè)備等進(jìn)行FeS鈍化清洗。期間得到了車(chē)間、廠設(shè)備部、安環(huán)部、生產(chǎn)技術(shù)部等單位的大力支持褐幫