【正文】 ，而表面活性劑的使用，可以防止已經(jīng)清洗掉的顆粒重新吸附在硅片表面。在干燥槽的上方安裝有一組03的噴嘴，使得硅片被抬出水面后就與高濃度的03直接接觸，進(jìn)而在硅片表面形成一層致密的氧化膜。這種洗液對(duì)硅的腐蝕速率比對(duì)二氧化硅快10倍，且與HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化層。幾種的清洗方案硅片襯底的常規(guī)清洗方法①三氯乙烯（除脂）80℃，15分鐘；②丙酮、甲醇20℃，依次2分鐘；③去離子水流洗2分鐘；④2號(hào)液(4∶1∶1)90℃，10分鐘；⑤去離子水流洗2分鐘；⑥擦片(用擦片機(jī))；⑦去離子水沖5分鐘；⑧1號(hào)液(4∶1∶1)90~95℃，10分鐘；⑨去離子水流洗5分鐘；⑩稀鹽酸(50∶1)，；去離子水流洗5分鐘；甩干(硅片)。硅拋光片的一般清洗方法①無(wú)鈉清洗劑加熱煮三次；②熱去離子水沖洗；③3號(hào)液；④熱去離子水沖洗；⑤去離子水沖洗；⑥稀氫氟酸漂洗；⑦去離子水沖洗；⑧1號(hào)液；⑨去離子水沖洗；⑩甩干。部分試劑的濃度如下:w(H2O2)≥20%；w(HF)≥40%；w(H2SO4):95~98%.①除脂三氯乙烯溶液中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min；異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min；去離子水漂洗3次；高純氮?dú)獯蹈?；②氧化在新配的H2SO4∶H2O2(1∶1)溶液中氧化3min；在70℃溫水中漂洗3min(避免Si表面因驟冷出現(xiàn)裂紋)；去離子水中漂洗2次，每次3min；③刻蝕HF∶C2H5OH(1∶10)溶液中刻蝕3min；C2H5OH中漂洗3次，每次3min；高純氮?dú)獯蹈伞Ｓ肧PM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1DHF（HF(H2O2)∶H2O）在20～25℃清洗30s腐蝕表面氧化層，去除金屬沾污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，但不能充分地去除Cu。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。稀釋化學(xué)試劑中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超聲清洗，可在更短時(shí)間內(nèi)達(dá)到相當(dāng)或更好的清洗效果。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。②如硅表面外層的Si以H鍵結(jié)構(gòu)，硅表面在化學(xué)上是穩(wěn)定的，即使清洗液中存在Cu等貴金屬離子也很難發(fā)生Si的電子交換，因Cu等貴金屬也不會(huì)附著在裸硅表面。這個(gè)Cu粒子核比Si的負(fù)電性大，從Si吸引電子而帶負(fù)電位，后來(lái)Cu離子從帶負(fù)電位的Cu粒子核得到電子析出金屬Cu，Cu粒子就這樣生長(zhǎng)起來(lái)。(2)硅片表面經(jīng)SC2清洗后，表面Si大部分以O(shè)鍵為終端結(jié)構(gòu)，形成成一層自然氧化膜，呈親水性。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可極好地除去金屬沾污。，同時(shí)可降低清洗液溫度，減少金屬附著。用低表面張力的清洗液，其Ra變化不大(基本不變)。(2)添加2~10ppmO3超凈水清洗對(duì)去除有機(jī)物很有效，可在室溫進(jìn)行清洗而不必進(jìn)行廢液處理，比SC1清洗的效果更好。晶片表面的自然氧化膜不會(huì)再生長(zhǎng)。=)，比Cu2+離子優(yōu)先從5i中奪取電子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2+離子狀態(tài)存在于清洗液中。DHF+表面活性劑清洗在HF%的DHF液中加入表面活性劑，其清洗效果與HF+H202清洗相同。AD清洗在AD干燥法中，同樣使用HF與03。在采用AD干燥法的同時(shí)，可以有效地去除金屬沾污。CSE洗液HNO3：HF：H2O2=50：（~）：（~），35℃，3~5min。該方案的清洗步驟為:先去油，接著去除雜質(zhì)，其中10步用于進(jìn)一步去除殘余的雜質(zhì)(主要是堿金屬離子)。對(duì)于用不同的拋光方式(有蠟或無(wú)蠟)得到的拋光片，其被各種類型的污染雜質(zhì)沾污的情況各不相同，清洗的側(cè)重點(diǎn)也就各不相同，因此上述各清洗步驟的采用與否及清洗次數(shù)的多少也就各不相同?；瘜W(xué)清洗后，把樣品快速傳入真空系統(tǒng)，這是因?yàn)镠鈍化的硅表面在空氣中只能維持幾分鐘內(nèi)不被重新氧化。經(jīng)SPM清洗后，硅片表面會(huì)殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。HF：H2O2=1：50。此溶液會(huì)增加硅片表面的粗糙度。SC1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O為1∶104)處理，在去除金屬雜質(zhì)和顆粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的HF溶液短時(shí)間浸漬，以去除在SC1形成的水合氧化物膜。H2O2會(huì)使硅片表面氧化，但是HCl不會(huì)腐蝕硅片表面，所以不會(huì)使硅片表面的微粗糙度發(fā)生變化。①，其與NH4OH、H2O2濃度及清洗液溫度無(wú)關(guān)。⑤若H2O2的濃度一定，NH4OH濃度越低，顆粒去除率也越低，如果同時(shí)降低H2O2濃度可抑制顆粒的去除率的下降?！荩词挂簻叵陆档?0℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲清洗對(duì)晶片產(chǎn)生損傷。如:Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上而Ni、Cu則不易附著。⑤清洗時(shí)，硅表面的金屬的脫附速度與吸附速度因各金屬元素的不同而不同。⑥清洗液溫度越高，晶片表面的金屬濃度就越高。：H202：H2O=1:1:。此外,設(shè)備與管道內(nèi)的H2S 很容易對(duì)檢修人員造成人身傷害和環(huán)境污染,因此,需要在檢修前對(duì)設(shè)備與管道進(jìn)行FeS的鈍化清洗，防止設(shè)備在打開人孔時(shí)自燃，消除H2S、RSH等異味；清除FeS、H2S，達(dá)到進(jìn)人條件。藥劑用量：急冷塔C201系統(tǒng)計(jì)劃用劑3噸，吸收塔C20再生塔C203系統(tǒng)計(jì)劃用劑5噸, D101A酸氣罐計(jì)劃用劑1噸，合計(jì)約9噸。保證清洗過程中水、電、汽的正常供給；設(shè)備清洗前、中、后，確認(rèn)與設(shè)清洗備相連部位隔離情況： 注劑及鈍化清洗方案（一）二硫磺胺液吸收塔C202與再生塔203系統(tǒng)（含D202）拆塔C203底放空線（DN80）閥門下法蘭，接臨時(shí)接線至注劑泵和藥劑槽；清洗前請(qǐng)車間將清洗設(shè)備與不參與清洗的設(shè)備隔離，將新鮮水通過回流泵P204注入C203，保證C203底部液位達(dá)80%。2．加水流程清洗前請(qǐng)車間將該系統(tǒng)隔離，由P201入口新鮮水線向C201注水至80%液位?；瘜W(xué)處理完畢，設(shè)備在檢修過程中不發(fā)生FeS鈍的自燃問題；清洗后設(shè)備達(dá)到進(jìn)人條件。二硫磺裝置所有清洗鈍化部位的人孔打開后，會(huì)同車間有關(guān)人員對(duì)清洗 情況進(jìn)行了檢查，塔壁、人孔壁、容器等部位清洗的都比較干凈，塔內(nèi)未發(fā)現(xiàn)有積存油泥，未出現(xiàn)著火情況，達(dá)到了FeS鈍化清洗的目的。此種方案效果明顯，后期運(yùn)營(yíng)維護(hù)方便。、設(shè)備配置 圖31光伏組件清洗專用車圖32光伏組件清洗專用四通轉(zhuǎn)換頭 主要設(shè)備有：專用改裝水車（帶水箱、增壓裝置等），容量10m3左右，具體如圖31所示。可調(diào)噴嘴：清洗人員可以根據(jù)組件表面程度，控制出水量，保證正常清洗的前提下，更好的節(jié)約水資源；噴嘴多采用扇形出水方式。其中，擦拭人員工作量比較大，易疲勞，須定期和水洗人員交換作業(yè)；擦拭人員還負(fù)責(zé)指揮清洗車的移動(dòng)和停止以及水管的排布，3人中可選一位做現(xiàn)場(chǎng)指揮，提高工作效率。清洗時(shí)，可以在水沖狀態(tài)下用雨刮用力擦拭即可清除。 由于固定式組件的朝向和傾角統(tǒng)一，便于大規(guī)模清洗。雙軸跟蹤較高，需要采用大一管徑的水管進(jìn)行集中、強(qiáng)力沖洗。但由于不同地點(diǎn)、不同季節(jié)，污垢對(duì)光伏組件的影響不同，清洗前后周邊環(huán)境的變化對(duì)數(shù)據(jù)比較帶來(lái)很多干擾因素，業(yè)內(nèi)對(duì)此事的研究也很少。清洗對(duì)光伏電站發(fā)電量提高及清洗周期的合理選擇需要長(zhǎng)期的觀察得到一般規(guī)律，同時(shí)也要注意結(jié)合周邊環(huán)境具體分析清洗的周期。針對(duì)地面光伏電站會(huì)產(chǎn)生自行式光伏組件清洗裝置。圖37高空清洗作業(yè)車圖51地面電站自行式光伏組件清洗裝置 圖52BIPV自行式光伏組件清洗裝置 針對(duì)BIPV（光伏建筑一體化）電站，可采用自行式光伏組件清洗裝置，包括支架，支架上有清洗機(jī)構(gòu)以及使清洗機(jī)構(gòu)移動(dòng)的運(yùn)行機(jī)構(gòu)，支架上還有太陽(yáng)能電池、蓄電裝置和控制裝置。由于需求量和規(guī)模都很小，此臺(tái)設(shè)備的售價(jià)居高不下，大約￥20萬(wàn)元/臺(tái)。各國(guó)也在花費(fèi)人力物力尋找各類自潔技術(shù)。膜層具有超親水性能，雨水成水幕狀，雨水沖刷能力變強(qiáng)，杜絕水珠吸附空氣中灰塵。此外，有對(duì)著電池板吹空氣，或者增加不粘層來(lái)實(shí)現(xiàn)自潔功能。②SiO2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無(wú)關(guān)。⑥隨著清洗液溫度升高，顆粒去除率也提高在一定溫度下可達(dá)最大值。⑨在清洗液中硅表面為負(fù)電位有些顆粒也為負(fù)電位，由于兩者的電的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。③Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有時(shí)會(huì)附著在自然氧化膜上。特別是對(duì)Al、Fe、Zn。若使用兆聲波清洗可使溫度下降有利去除金屬沾污。:1:5。但隨自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等貴金屬(氧化還原電位比氫高)，會(huì)附著在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。④從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核。 SC2洗液(1)清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生，在酸性溶液中不易發(fā)生，并具有較強(qiáng)的去除晶片表面金屬的能力，但經(jīng)SC1洗后雖能去除Cu等金屬，但晶片表面形成的自然氧化膜的附著(特別是Al)問題還未解決。HF終結(jié)中可得到高純化表面，阻止離子的重新沾污。清洗技術(shù)的改進(jìn) SC1液的改進(jìn) ，應(yīng)降低NH4OH組成比即NH4OH:H202：H20=:1:1，當(dāng)Ra=。使用SC1液洗，其Ra變大，約是清洗前的2倍。 有機(jī)物的去除(1)如硅片表面附著有機(jī)物，就不能完全去除表面的自然氧化層和金屬雜質(zhì)，因此清洗時(shí)首先應(yīng)去除有機(jī)物。在APM清洗時(shí)附著在晶片表面的金屬氫氧化物也可被去除。(5)添加強(qiáng)氧化劑H202(E。因此Cu2+離子和5i電子交換很難發(fā)生，并越來(lái)越不易附著。由于03具有非常強(qiáng)的氧化性，可以將硅片表面的有機(jī)沾污氧化為CO2和H2O，達(dá)到去除表面有機(jī)物的目的，同時(shí)可以迅速在硅片表面形成一層致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金屬沾污，同時(shí)將03氧化形成的氧化膜腐蝕掉，在腐蝕掉氧化膜的同時(shí)，可以將附著在氧化膜上的顆粒去除掉，兆聲波的使用將使顆粒去除的效率更高，而表面活性劑的使用，可以防止已經(jīng)清洗掉的顆粒重新吸附在硅片表面。在干燥槽的上方安裝有一組03的噴嘴，使得硅片被抬出水面后就與高濃度的03直接接觸，進(jìn)而在硅片表面形成一層致密的氧化膜。這種洗液對(duì)硅的腐蝕速率比對(duì)二氧化硅快10倍，且與HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化層。幾種的清洗方案 硅片襯底的常規(guī)清洗方法① 三氯乙烯（除脂）80℃，15分鐘； ② 丙酮、甲醇20℃，依次2分鐘； ③ 去離子水流洗2分鐘；④ 2號(hào)液(4∶1∶1)90℃，10分鐘； ⑤ 去離子水流洗2分鐘； ⑥ 擦片(用擦片機(jī))； ⑦ 去離子水沖5分鐘；⑧ 1號(hào)液(4∶1∶1)90~95℃，10分鐘； ⑨ 去離子水流洗5分鐘； ⑩ 稀鹽酸(50∶1)，； 11 去離子水流洗5分鐘； 12 甩干(硅片)。 硅拋光片的一般清洗方法 ① 無(wú)鈉清洗劑加熱煮三次； ② 熱去離子水沖洗； ③ 3號(hào)液；④ 熱去離子水沖洗； ⑤ 去離子水沖洗； ⑥ 稀氫氟酸漂洗； ⑦ 去離子水沖洗； ⑧ 1號(hào)液； ⑨ 去離子水沖洗； ⑩ 甩干。部分試劑的濃度如下:w(H2O2)≥20%；w(HF)≥40%；w(H2SO4):95~98%.① 除脂 三氯乙烯溶液中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3 min；異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3 min；去離子水漂洗3次；高純氮?dú)獯蹈?；?氧化在新配的H2SO4∶H2O2(1∶1)溶液中氧化3 min；在70℃溫水中漂洗3 min(避免Si表面因驟冷出現(xiàn)裂紋)；去離子水中漂洗2次，每次3 min；③ 刻蝕HF∶C2H5OH(1∶10)溶液中刻蝕3 min；C2H5OH中漂洗3次，每次3 min；高純氮?dú)獯蹈?。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。H2SO4(98%):H2O2(30%)=4:1 DHF（HF(H2O2)∶H2O）在20～25℃清洗30s 腐蝕表面氧化層，去除金屬沾污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，但不能充分地去除Cu。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。稀釋化學(xué)試劑中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超聲清洗，可在更短時(shí)間內(nèi)達(dá)到相當(dāng)或更好的清洗效果。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。②如硅表面外層的Si以H鍵結(jié)構(gòu)，硅表面在化學(xué)上是穩(wěn)定的，即使清洗液中存在Cu等貴金屬離子也很難發(fā)生Si的電子交換，因Cu等貴金屬也不會(huì)附著在裸硅表面。這個(gè)Cu粒子核比Si的負(fù)電性大，從Si吸引電子而帶負(fù)電位，后來(lái)Cu離子從帶負(fù)電位的Cu粒子核得到電子析出金屬Cu，Cu粒子就這樣生長(zhǎng)起來(lái)。(2)硅片表面經(jīng)SC2清洗后，表面Si大部分以O(shè)鍵為終端結(jié)構(gòu)，形成成一層自然氧化膜，呈親水性。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可極好地除去金屬沾污。，同時(shí)可降低清洗液溫度，減少金屬附著。用低表面張力的清洗液，其Ra變化不大(基本不變)。(2)添加2~10ppmO3超凈水清洗對(duì)去除有機(jī)物很有效，可在室溫進(jìn)行清洗而不必進(jìn)行廢液處理，比SC1清洗的效果更好。晶片表面的自然氧化膜不會(huì)再生長(zhǎng)。=)，比Cu2+離子優(yōu)先從5i中奪取電子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2+離子狀態(tài)存在于清洗液中。 DHF+表面活性劑清洗在HF %的DHF液中加入表面活性劑，其清洗效果與HF+H202清洗相同。 AD清洗在AD干燥法中，同樣使用HF與03。在采用AD干燥法的同時(shí)，可以有效地去除金屬沾污。 CSE洗液HNO3：HF：H2O2=50：（~）：（~），35℃，3~5mi