【正文】 為一定值，H202濃度越高這一值越小。自潔技術的發(fā)展需要將生產(chǎn)成本進一步降低，才更具有競爭力，最好將其控制在太陽能電池板總成本的1%以下。還有靠震動整塊電池板抖落灰塵的技術。例如，靜電除塵技術已經(jīng)較為完善，除塵效果明顯。此種設計理念也可應用于地面光伏電站的清洗（鋼結構導軌的制作成本比BIPV的要高）。太陽能電池連接蓄電裝置，由太陽能電池向蓄電裝置充電，蓄電裝置在控制裝置的控制下向毛刷輥動力機構和行走輪動力機構提供電源，水噴淋管道位于太陽能光伏組件的上方。它的設計思路初步是將移動、儲水、清洗和擦拭合為一體的高機械化裝置。5組件清洗發(fā)展趨勢簡析 隨著大型光伏并網(wǎng)電站建設與運營的興起，光伏組件清洗技術也會得到較快的發(fā)展。以廣州市為例，放置在戶外一個月或三個月的光伏組件，%~4%。人員配置：駕駛員1人，沖洗人員1人，管道扶正等輔助人員1人，共3人；具體如圖35和圖36所示。具體如圖34所示。冬季清洗時間設定在每日上午9:00陽光充足時，根據(jù)室外溫度確定清洗結束時間，防止氣溫過低而結冰，造成污垢堆積。圖33清洗人員配套裝備——長柄長度可調(diào)型雨刮 清洗方法與流程 選用扇形噴嘴，根據(jù)現(xiàn)場光伏組件表面狀況，調(diào)節(jié)水壓至易清洗掉污垢即可，一般6kg的壓力較為適宜。長柄長度可調(diào)型雨刮：屬清洗玻璃專用工具，具體見圖33。 四通轉換接頭：簡易原理如圖32所示。但成本高，不適合大規(guī)模利用。第四篇：清洗方案總結自潔工藝方案 通過研發(fā)和技術投入，生產(chǎn)能夠自我清潔的光伏組件或配套系統(tǒng)。2010年3月6日10：00至7日6：00，二硫磺裝置陸續(xù)將D101，C201系統(tǒng)，C20C203系統(tǒng)等交付鈍化，施工人員按預定計劃分別對交付的設備進行管線連接，然后分別按清洗方案進行清洗鈍化，各塔器、罐、管線、冷換設備清洗鈍化完畢后，車間采樣送環(huán)保檢測分析COD、硫化物，氨氮，符合排放要求。建立水循環(huán)，如水量不足需向C201內(nèi)補水；從臨時接線處注劑進入C201底； P201入口→P201出口→A204/3→E201→ C201頂→C201底，→P201入口,進行循環(huán)；從C201底部放空處放空。水循環(huán)時如水量不足需及時向系統(tǒng)內(nèi)補水；從臨時接線處注劑進入C203系統(tǒng)，；D202罐及P204A、B出口線采用浸泡方式，從D202罐底放空閥處注劑注水。三、FeS鈍化清洗方案準備工作停工過程中，對設備須進行退胺液、水洗及高溫蒸汽吹掃，除去內(nèi)部集結的油垢、污垢；清洗方案確定后，在交付淄博吉泰工貿(mào)公司前按清洗方案所確定的流程改通，各設備內(nèi)提前注入一定的水量，注意設備內(nèi)的注水量一定要控制在安全線以下，防止水溢流或竄入其它部位。2010年3月6日，按廠部要求，淄博吉泰工貿(mào)有限公司對二硫磺裝置的急冷塔C20吸收塔C20再生塔C203, D101A酸氣罐、D202酸氣罐以及以上設備的附帶設備等進行FeS鈍化清洗。:1:5。若使用兆聲波清洗可使溫度下降有利去除金屬沾污。特別是對Al、Fe、Zn。③Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有時會附著在自然氧化膜上。⑨在清洗液中硅表面為負電位有些顆粒也為負電位，由于兩者的電的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。⑥隨著清洗液溫度升高，顆粒去除率也提高在一定溫度下可達最大值。②SiO2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無關。(1∶1∶6)~(2∶1∶8)的H2O2(30%)、HCl(37%)和水組成的熱混合溶液。最后，常常用SC1原始溶液濃度1/10的稀釋溶液清洗，以避免表面粗糙，降低產(chǎn)品成本，以及減少對環(huán)境的影響。Fe，Zn，Ni等金屬會以離子性和非離子性的金屬氫氧化物的形式附著在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附著。APM(SC1)（一號液）（NH4OH∶H2O2∶H2O）在65～80℃清洗約10min主要去除粒子、部分有機物及部分金屬。由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物轉化為氟化物而有效地沖洗掉。若清洗后的Si片不能及時進入超高真空系統(tǒng)，可將清洗后的Si片放入無水C2H5OH中，這既可以延緩表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空氣中的雜質所污染。以下所有試劑配比均為體積比。DZDZ2清洗半導體襯底的方法①去離子水沖洗；②DZ1(95∶5)，50~60℃超聲10分鐘；③去離子水沖洗(5分鐘)；④DZ2(95∶5)，50~60℃超聲10分鐘；⑤去離子水沖洗(5分鐘)；⑥甩干或氮氣吹干。用CSE清洗的硅片表面沒有自然氧化層，微粗糙度較SE清洗的降低；對硅的腐蝕速率不依賴于HF的濃度，這樣有利于工藝控制。該干燥法可以配合其他清洗工藝來共同使用，干燥過程本身不會帶來顆粒沾污。整個工藝過程可以分為液體中反應與氣相處理兩部分。DHF+陰離子表面活性劑清洗在DHF液中，硅表面為負電位，粒子表面為正電位，當加入陰離子表面活性劑，可使得硅表面和粒子表面的電位為同符號，即粒子表面電位由正變?yōu)樨?，與硅片表面正電位同符號，使硅片表面和粒子表面之間產(chǎn)生電的排斥力，可以防止粒子的再附著。即使硅表面附著金屬Cu也會從氧化劑H202奪取電子呈離子化。(3)Al、Fe、Ni等金屬同DHF清洗一樣，不會附著在晶片表面。DHF的改進HF+H202清洗(1)HF%+H2O210%可在室溫下清洗可防止DHF清洗中的Cu等貴金屬附著。，控制其pH值，可控制清洗液中金屬絡合離子的狀態(tài)抑制金屬的再附著，也可抑制Ra的增大和COP的發(fā)生。、。表面活性劑的加入，可降低硅表面的自由能，增強其表面純化。(3)由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蝕，因此不能達到去除粒子的效果。Cu下面的斷一面供給與Cu的附著相平衡的電子一面生成Si02。但是如液中存在Cl、Br等陰離子，它們會附著于Si表面的終端氫鍵不完全地方，附著的Cl、Br陰離子會幫助Cu離子與Si電子交換，使Cu離子成為金屬Cu而附著在晶片表面。H2O2會使硅片表面氧化，但是HCl不會腐蝕硅片表面，所以不會使硅片表面；在酸；①用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附著在自然；②如硅表面外層的Si以H鍵結構，硅表面在化學上是；③因溶液中的Cu2+離子的氧化還原電位(E0=0；④從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核；⑤在硅片表面形成的SiO2，在DHF清洗后被腐蝕；；(1)；在酸性溶液中硅表面呈負電位，顆粒表面為正電位，由于兩者之間的吸引力粒子容易附著在晶片表面。SC1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O為1∶104)處理，在去除金屬雜質和顆粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的HF溶液短時間浸漬，以去除在SC1形成的水合氧化物膜。此溶液會增加硅片表面的粗糙度。HF：H2O2=1：50。經(jīng)SPM清洗后，硅片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉?；瘜W清洗后，把樣品快速傳入真空系統(tǒng)，這是因為H鈍化的硅表面在空氣中只能維持幾分鐘內(nèi)不被重新氧化。對于用不同的拋光方式(有蠟或無蠟)得到的拋光片，其被各種類型的污染雜質沾污的情況各不相同，清洗的側重點也就各不相同，因此上述各清洗步驟的采用與否及清洗次數(shù)的多少也就各不相同。該方案的清洗步驟為:先去油，接著去除雜質，其中10步用于進一步去除殘余的雜質(主要是堿金屬離子)。CSE洗液HNO3：HF：H2O2=50：（~）：（~），35℃，3~5min。在采用AD干燥法的同時，可以有效地去除金屬沾污。AD清洗在AD干燥法中，同樣使用HF與03。DHF+表面活性劑清洗在HF%的DHF液中加入表面活性劑，其清洗效果與HF+H202清洗相同。=)，比Cu2+離子優(yōu)先從5i中奪取電子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2+離子狀態(tài)存在于清洗液中。晶片表面的自然氧化膜不會再生長。(2)添加2~10ppmO3超凈水清洗對去除有機物很有效，可在室溫進行清洗而不必進行廢液處理，比SC1清洗的效果更好。用低表面張力的清洗液，其Ra變化不大(基本不變)。，同時可降低清洗液溫度，減少金屬附著。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可極好地除去金屬沾污。(2)硅片表面經(jīng)SC2清洗后，表面Si大部分以O鍵為終端結構，形成成一層自然氧化膜，呈親水性。這個Cu粒子核比Si的負電性大，從Si吸引電子而帶負電位，后來Cu離子從帶負電位的Cu粒子核得到電子析出金屬Cu，Cu粒子就這樣生長起來。②如硅表面外層的Si以H鍵結構，硅表面在化學上是穩(wěn)定的，即使清洗液中存在Cu等貴金屬離子也很難發(fā)生Si的電子交換，因Cu等貴金屬也不會附著在裸硅表面。⑨COP(晶體的原生粒子缺陷)對于CZ(直拉)硅單晶片經(jīng)反復清洗后經(jīng)測定每次清洗后硅片表面的顆粒≥2μm的顆粒會增加，但對外延晶片，即使反復清洗也不會使≥。⑦去除有機物由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有機物被分解成COH2O而被去除。若清洗液中這些元素濃度不是非常低的話清洗后的硅片表面的金屬濃度便不能下降。④清洗后硅表面的金屬濃度取決于清洗液中的金屬濃度。去除金屬雜質①由于硅表面氧化和腐蝕，硅片表面的金屬雜質，隨腐蝕層而進入清洗液中。⑦顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關為確保顆粒的去除要有一定量以上的腐蝕。③Si的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而快當，到達某一濃度后為一定值，H202濃度越高這一值越小。是否有批量黃金片，及時反饋技術確認原因。、LLL6N6177。（二）表面鈍化作用→增加少子壽命，進而增加3ISC和VOC。巡檢在擴散過程中抽測時應注意單晶和多晶、一二線、三四線、五六線的抽片順序。5警戒線70和90 超OOC，反饋技術調(diào)整，并跟蹤調(diào)整的結果。三、擴散的原理（三氯氧磷在600℃高溫下分解生成五氯化磷和五氧化二磷）化學反應：POCl3在高溫下（＞600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5)四、擴散的操作流程上料→插片→進舟→擴散→推舟→在線測方塊電阻→卸片。③磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。③HF槽：去磷硅玻璃、中和硅片表面殘留的堿液。后清洗【刻蝕】一、刻蝕目的去除擴散后硅片四周的N型硅，防止漏電。劃痕：切片損傷指紋印：主要為操作問題及所使用的手套問題。七、預處理目的：去除硅片表面的機械損傷層，油污等，減少白斑、白點的產(chǎn)生，為制絨創(chuàng)造一個良好的反應環(huán)境。即通過硝酸與氫氟酸的混合溶液對硅片表面腐蝕進行制絨。多晶：由于多晶晶體排列雜亂，無法利用堿液對硅晶體的各項異性腐蝕進行制絨，所以要用酸溶液對硅晶體進行各項同性腐蝕。四、監(jiān)控手段單晶：減薄量、反射率、絨面尺寸、顏色一致性、擴散后外觀 多晶：減薄量、反射率、網(wǎng)紋等級、擴散后外觀五、用到的化學品單晶：NaOH、HF，HCL（酸洗）、IPA（異丙醇）多晶：NaOH（堿洗）、HCL+HF（酸洗）、HNO3（硝酸）六、硅片表面處理的目的去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）清楚表面油污和金屬雜質形成起伏不平的絨面，增加對太陽光的吸收，增加PN結面積，提高短路電流（ISC),最終提高電池轉換效率。發(fā)白：表面清洗劑殘留阻礙反應，而發(fā)白部分絨面極小。十、影響腐蝕量的因素溶液溫度、反應時間、溶液濃度。②堿槽：中和硅片殘留的酸液，去除多孔硅。②：死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復合，會導致少子壽命的降低，進而降低了VOC和ISC。—標志擴散到半導體中的雜質總量的一個重要指數(shù)。5警戒線80和100 單晶MONO—70B中心值80177。注：常用的擴散方法有三種我公司采用三氯氧磷（P0Cl3）液態(tài)源擴散方式。二、目的：（一）鍍減反射薄膜→可以有效降低光的反射率。四、工藝及折射率單晶LL4SN—2177。措施：由于技術員輸入返工片的鍍膜時間巡檢：巡查時關注返工片的類型和數(shù)量，是否有批量同類返工片。②SiO2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無關。⑥隨著清洗液溫度升高，顆粒去除率也提高在一定溫度下可達最大值。⑨在清洗液中硅表面為負電位有些顆粒也為負電位，由于兩者的電的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。③Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高pH值清洗液中是不可溶的有時會附著在自然氧化膜上。特別是對Al、Fe、Zn。若使用兆聲波清洗可使溫度下降有利去除金屬沾污。:1:5。但隨自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等貴金屬(氧化還原電位比氫高)，會附著在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。④從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核。SC2洗液(1)清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生，在酸性溶液中不易發(fā)生，并具有較強的去除晶片表面金屬的能力，但經(jīng)SC1洗后雖能去除Cu等金屬，但晶片表面形成的自然氧化膜的附著(特別是Al)問題還未解決。HF終結中可得到高純化表面，阻止離子的重新沾污。清洗技術的改進SC1液的改進，應降低NH4OH組成比即NH4OH:H202：H20=:1:1，當Ra=。使用SC1液洗，其Ra變大，約是清洗前的2倍。有機物的去除(1)如硅片表面附著有機物，就不能完全去除表面的自然氧化層和金屬雜質，因此清洗時首先應去除有機物。在APM清洗時附著在晶片表面的金屬氫氧化物也可被去除。(5)添加強氧化劑H202(E。因此Cu2+離子和5i電子交換很難發(fā)生，并越來越不易附著。由于03具有非常強的氧化性，可以將硅片表面的有機沾污氧化為CO2和H2O，達到去除表面有機物的目的，同時可以迅速在硅片表面形成一層致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金屬沾污，同時將03氧化形成的氧化膜腐蝕掉，在腐蝕掉氧化膜的同時，可以將附著在氧化膜上的顆粒去除掉，兆聲波的使用將使顆粒去除的效率更高