【文章內(nèi)容簡介】 的總結；所得結果與已有結果的比較以及在本課題的研究中尚存在的問題；對進一步開展研究的見解與建議。它集中反映作者的研究成果，表達作者對所研究課題的見解和主張，是全文的思想精髓，是文章價值的體現(xiàn)。一般寫得概括 、篇幅較短。撰寫時應注意下列事項： （ 1）結果要簡單、明確。在措辭上應嚴密，容易被人領會。 （ 2）結果應反映個人的研究工作，屬于前人和他人已有過的結論可不提。 （ 3）要實事求是地介紹自己研究的成果，切忌言過其實，在無充分把握時，應留有余地。因為對科學問題的探索是永無止境的。 7．注釋 如有引用他人成果的，一定要有注釋。不管在論文的哪一部分，采用到前人的觀點、方法、結論、成果時，都必須注明其來源。如不這樣做，就有抄襲、剽竊、侵權之嫌。 8．參考文獻與附錄 參考 文獻與附錄是畢業(yè)論文不可缺少的組成部分。它反映畢業(yè)論文的取材來源、材料的廣博程度及可靠程度。一份完整的參考文獻也是向讀者提供的一份有價值的信息資料。引用參考文獻時，必須注意寫法的規(guī)范性。 此外，有些不宜放在正文中，但有參考價值的內(nèi)容，可編入論文的附錄中，如公式的推演、編寫的算法語言程序等。 如果論文中引用的符號較多，為了節(jié)省論文的篇幅，并且便于讀者查對，可以編寫一個符號說明，注名符號所代表的意義。 9．謝辭 謝辭是在論文的結尾處，以簡短文字，對課題研究與寫作過程中曾給予支持的人 員，如指導老師及其他的人員，表示自己的謝意。這不僅是一種禮貌，也是對他人勞動的尊重，是治學者應有的思想作風。 三、畢業(yè)設計（論文）格式要求 11 1．畢業(yè)設計（論文）要求使用統(tǒng)一的封面格式，計量單位以國際單位制 造（ SI）為基礎；注釋用頁末注，即把注文放在加注處一頁的下端；公式、圖表應按順序編號，并與正文對應。 ，圖面整潔、布局合理、線條粗細均勻、圓弧連接 光滑、尺寸標注規(guī)范、文字注釋用工程字書寫，圖表須按規(guī)定要求或工程要求繪 制。 3．參考文獻以引用先后順序編號（注于正文相應處），必須引用 直接閱讀 的原文文獻，已錄用待發(fā)表的文章需引用時，必須注明刊物名稱。請在文獻題目 后給出文獻類型標識（專著 [M]、論文集 [C]、學位論文 [D]、報告 [R]、期刊 [J]、 標準 [S]、專利 [P]。 ① 科技書籍和專著：編著者．譯者．書名 [M]（文集用 [C]）．版本．出版地：出版者，出版年．頁碼． ② 科技論文：作者．篇名 [J]．刊名，出版年，卷號（期號）：頁碼． 作者．篇名． ⅹⅹ 單位博（碩）論文，年． 四 、 畢業(yè)設計（論文）打印格式標準 ： （ 1）畢業(yè)論文須用 A4 標準白紙，使 用簡化漢字，計算機打印、復印。 （ 2） 頁面設置為 ：上邊距為 ；下邊距為 ；左邊距為 ；右 邊距為 ；裝訂線為 ；頁眉為 ；頁腳為 ； （ 3） 頁眉設置： 左對齊 “ 南昌大學 共青學院 畢業(yè)設計（論文） ” ，右對齊為各章章名。用 5 號宋體 。 （ 4） 頁腳設置 ： 插入頁碼，居中。 （ 5） 正文選擇格式段落 ： 畢業(yè)設計（論文）正文采用 5 號 宋體，標題采用小 4 號宋體 ，字間距設置為標準字間距，行間距設置為 固定值 20 磅 。 段前、段后均為 0 磅 ， 標題可適當選擇加寬，如設置為：段前、段后 均為 3 磅。 （ 6） 畢業(yè)設計（論文）頁碼的標注： 采用阿拉伯數(shù)字 ，從前言頁開始 , 依次編號（題目頁，中外文摘要頁，目錄頁用羅馬字母標注）。 畢業(yè)論文封面：由教務處提供封面的統(tǒng)一格式模板。 畢業(yè)論文章、節(jié)的編號 ： 采用阿拉伯數(shù)字分級編號，最多至 3 級。 12 南昌大學共青學院畢業(yè)設計（論文）書寫式樣 一、 摘要式樣 中文摘要式樣（ 正文五號宋體） IIIⅤ族氮化物及其高亮度藍光 LED 外延片的 MOCVD 生長和性質研究 （三號宋體） 摘 要 （四號宋體） 寬禁帶 III－ Ⅴ 族氮化物 半導體 材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應用前景。自 1994年日本日亞化學工業(yè)公司率先在國際上突破了 GaN基藍光 LED外延材料生長技術以來，美、日等國十余家公司相繼報導掌握了這項關鍵技術，并分別實現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn) GaN基 LED。盡管如此，這項高技術仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關鍵思想及核心技術仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究 GaN基材料生長中的物理及化學問題，為生長可商品化的高亮度 GaN基 LED外延材料提供科學依據(jù)。 本文在自制常壓 MOCVD 和英國進口 MOCVD 系統(tǒng)上對 III－ Ⅴ 族氮化物 的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。通過設計并優(yōu)化外延片多層結構，生長的 藍光 LED 外延片質量達到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲 得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結果： 1．首次 提出了采用偏離化學計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在 GaN 外延生長上得以實現(xiàn)。 采用這種緩沖層， 顯著改善了 GaN 外延膜的 結晶性能，使GaN基藍光 LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了 GaN基藍光 LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。 ???? 本文得到了國家 863 計劃、國家自然科學基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。 關鍵詞（ 五號黑體） ： 氮化物， MOCVD， LED, 盧瑟福背散射溝道，光致發(fā)光，光透射譜 13 外文摘要式樣 Study on MOCVD growth and properties of IIIⅤ nitrides and high brightness blue LED wafers Abstract GaN based Ⅲ Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor. More than ten panies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia pany in Japan first realized the mercialization of GaN based blue LED in 1994. In this thesis,GaN and its ternary were grown by a homemade atmosphere pressure metalanic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6 2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as: 1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χ min of GaN layers was just only %. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μ A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology. ???? This work was supported by 863 program in China. Keyword: Nitrides, MOCVD, LED, Photoluminescence, RBS/channeling, Optical absorption 14 二、目錄式樣 （內(nèi)容五號宋體） 目 錄 （四號宋體） 摘要 ?????????????????????????????????? Ⅰ Abstract ????????????????????????????????? Ⅱ 第一章 GaN 基半導體材料及器件進展（多數(shù)文章為“緒論”）?????????? 1 1 .1 III 族氮化物材料及其器件的進展與應用 ????????????????? 1 1. 2 III 族氮化物的基本結構和性質 ?????????????????? 4 1. 3 摻雜和雜質特性 ??????????????????????? 12 1. 4 氮化物材料的制備 ????????????????????????? 13 1. 5 氮化物器件 ????????????????????????????? 19 1. 6 GaN 基材料 與其它材料的比較 ????????????????????? 22 1. 7 本論文工作的內(nèi)容與安排 ??????????????????????? 24 第 二章 氮化物 MOCVD 生長系統(tǒng)和生長工藝 ?????????????????? 31 2. 1 MOCVD 材料生長機理 ????????????????????????? 31 2. 2 本論文氮化物生長所用的 MOCVD 設備 ?????????????????? 32 ???? 結論 ??????????????????????????????????? 136 參考文獻（ References）??????????????????????????? 138 致謝 ???????????????????????? ??????????? 150 15 三、正文式樣 （標題小四號宋體，正文五號宋體） 第一章 GaN 基半導體材料及器件進展 1 .1 III 族氮化物材料及其器件的進展與應用 在科學技術的發(fā)展進程中，材料永遠扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關的千萬種材料中，半導體材料的作用尤其如此。以 Si 為代表的第一代半導體誕生于 20 世紀40 年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。以 GaAs 為代表的第二代半導體誕生于 20 世紀 60 年代，它們成為制作光電子器件的基礎。 III－Ⅴ族氮化物半導體 材料及器件研究歷時 30 余年，前 20 年進展緩慢，后 10 年發(fā)展迅猛。由于 III 族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質，優(yōu)異的材料機械和化學性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。 III－Ⅴ族氮化物半導體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。 ???? 1． 2 III 族氮化物的基本結構和性質 ???? 四、圖表式樣 （五號宋體） 1．表式樣 表 11 用不同技術得到的帶隙溫度系數(shù)、 Eg0、 ?c 和 T0 的值 樣品類型 實驗 方法 帶隙溫度系數(shù) dEg/dT(eV/K) T=300K Eg0(eV) ?c (eV/K) T0 (K) 參考文獻 GaN/Al2O3 光致發(fā)光 104 104 996 61