【文章內(nèi)容簡介】 用硫酸和過硫酸鈉腐蝕電路板、粗化銅表面。 （三）貼膜顯影蝕刻去膜 通過曝光影像轉(zhuǎn)移原理及水平顯影蝕刻線的蝕刻，印制出需求之內(nèi)層線路或 P/G 面。具體工藝見下圖。 1%Na2CO消泡劑 G 3 有機廢氣（醇類） 濕膜 涂布 烘板 曝光 顯影 水洗 L31 顯影溶液 W31顯影廢水 除油 CuCl HCL、 H2O2 ～ %NaOH G4 鹽酸霧 蝕刻 水洗 去膜 水洗 烘干 L91酸性蝕刻溶液 W14重金屬廢水 L32去膜濃液 W32去膜廢水 S2 干膜渣 、烘板 對于高密度精細線路的制作通常采用液態(tài)光致抗蝕劑，它是由感光性樹脂、配合感光劑、色料、填料及溶劑等成分組成，經(jīng)光照射后產(chǎn)生聚合反應(yīng)而得到線路圖形。與千膜相比：濕膜的涂布厚度較?。ㄒ话?而干膜厚一般為 ），濕膜與基板密貼性好，可消除劃痕和凹坑引起的斷路，物料成本低，同時不需要載體聚酯薄膜和起保護作用的聚乙烯保護膜，不需要處理后續(xù)廢棄的薄膜。只是在烘板的過程中，濕膜中的溶劑等將會揮發(fā)出來。 曝光即在紫外光照射下，光引 發(fā)劑吸收了光能分解成游離基，游離基再引發(fā)光聚合單體產(chǎn)生聚合交聯(lián)反應(yīng)，反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的高分子結(jié)構(gòu)。將需要的圖形復制在電路板上。 是感光干膜中未曝光部分的活性基團與稀堿溶液反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)而溶解下來，留下已感光交聯(lián)固化的圖形部分。用 1%NazCOa溶液腐蝕電路板。 在印制板的制造過程中，用化學方法去除基材上無用導電材料（銅箔）形成電路圖形的工藝，稱為蝕刻。用 CUClz, HC HZOz溶液腐蝕電路板表面的銅箔。 是應(yīng)用 NaOH 溶液膨松剝除已顯影部分的濕膜，露出處于 濕膜保護下的線路圖形的過程。 （四）棕化 內(nèi)層電路板以 PE沖孔機沖出層間線路對位的鉚合基準孔。然后進行棕化。棕化具體工藝見下圖。 棕化除油劑 G2 硫酸霧 L82酸性廢液 W15重金屬廢水 L21有機濃液 L22有機濃液 W21有機清洗廢水 主要起除油作用。加入化學清洗劑進行除油。 主要是表面預處理，并保護棕化液免受污染。 化 其目的是使內(nèi)層電路板面上形成一層高抗撕裂強度的棕色氧化銅絨晶，以增加內(nèi)層板與膠片在進行壓合時的結(jié)合能力。 （五）壓合、鉆孔 具體工藝見下圖。 半 固 化 片 鏡 面 鋼 板 牛 皮 紙 銅 箔 G1 粉塵 S3 廢半固化片 G1 粉塵 S4 廢牛皮紙 S1 廢銅箔 鋁板、紙底板 G1 粉塵 說明： 與裁板工藝水洗處采用同一設(shè)備 疊合 熱壓合 冷壓合 鉆標靶、鑼邊 純水洗 烘干 熔合 水洗 鉆孔 除膠 W11重金屬廢水 S5 廢鋁板、 S4 廢紙底板 圖 516 壓合、鉆孔工藝流程圖 壓合 將經(jīng)過內(nèi)層線路、棕化處理后的基板兩側(cè)疊上半固化片，半固化片由玻璃纖維布和環(huán)氧樹脂等制成， 當溫度為 100℃時可熔化，具有粘性和絕緣性。并在半固化片外鋪上銅箔作外層。再將銅箔線路層和絕緣層按照電路板層數(shù)需要，熱壓在一起，其熱壓溫度為 200220℃，壓力 兆帕，為時 2 個小時，再經(jīng)冷壓合處理。 壓合后形成的多層電路板再進行鉆孔處理，一方面將內(nèi)外層的導電層連通，或作為電子元器件的插孔，另一方面可作為內(nèi)導電層的散熱孔。鉆孔時在電路板上面覆蓋一層鋁板，最下層有下紙基板、墊板（酚醛墊板）保證鉆孔面平整。 、鑼邊 鉆標靶主要為下面工序鉆孔是位，鑼邊是整齊壓合后的板邊。 鉆孔多數(shù)采用機 械鉆孔，但隨著密度互聯(lián)技術(shù)的發(fā)展，所需要的孔徑越來越小，采取激光等方式進行鉆孔。 （六）化學沉銅、電鍍銅加厚 化學沉銅使經(jīng)鉆孔后的非導體（除膠渣后通孔內(nèi)有的地方是半固化片（絕緣層））通孔壁上沉積一層密實牢固并具導電性的金屬銅層，作為電鍍銅加厚的底材。具體工藝流程見下圖。 膨松劑 高 錳 酸 鉀 H2SO4 G2 硫酸霧 L23有機濃液 W22有機清洗廢水 L71高錳酸鉀廢液 W23有機水洗廢水 L83酸性廢液 調(diào)整劑 Na2S2O8 膨脹 水洗 水洗 中和 G2 硫酸霧 G2 硫酸霧 W16 重金屬廢水 L24 有機溶液 W24 有機清洗廢水 L12含銅廢液 預 浸 鹽 活 化 劑 加速劑 W17 重金屬廢水 L84 酸性廢液 W18 重金屬廢水 L85酸性溶液 化學銅液 G5 甲醛廢氣 H2SO4 G2 硫酸霧 W19 重金屬廢水 L41 化銅廢液 W41 絡(luò)合水廢水 L35酸性廢液 硫酸、硫酸 銅、銅球、鹽 酸、電銅光劑 硝酸 G2 硫酸霧 G7 硝 酸霧 L13含銅廢液 W110重金屬廢水 L14含銅廢液 W111重金屬廢水 除膠渣 鉆孔時產(chǎn)生的高溫可使玻纖布等固化片有機物的鍵斷開氧化，膠渣（即氧化物）流淌在迭層中的導電層表面，必須去除，其原理是膠渣可溶于高錳酸鉀（ KMnO4）。除膠渣包括膨松、除膠、中和三個步驟。 水洗 清潔調(diào)整 純水洗 微蝕 純水洗 預浸 活化 純水洗 速化 純水洗 化學沉銅 純水洗 酸洗 電鍍銅加厚 水洗 剝掛架 水洗 烘干 基板的表面脫脂與孔內(nèi)壁表面調(diào)整同時進行，采用酸性調(diào)整劑使銅的表面氧化物、油污除去，促進表面對金屬鈀的吸附量，同時增加孔內(nèi)壁潤濕性。 微蝕的目的是為后續(xù)的化學沉銅提供一個微粗糙的活性銅表面，同時去除銅面殘留的氧化物。為了達到理想的效果，微蝕深度 ，通?？刂圃?微米左右。用過硫酸鈉／硫酸腐蝕電路板、粗化銅表面。是使用硫酸（ 24%)、過硫酸鈉（ 80120克／升）溶液輕微溶蝕銅箔基板表面以增加粗糙度，去除銅箔基板表面所帶電荷，使在后續(xù)活化過程中與觸媒有較佳密著性。操作溫度在 26士 4 ℃ ，操作時間為 1′～ 2′ ，當槽中 Cu2+達 25 克／升時更換槽液。 為防止水帶到隨后的活化液中，防止貴重的活化液的濃度和 PH值發(fā)生變化，通常在活化槽前先將生產(chǎn)板件浸入預浸液處理，預浸后生產(chǎn)板件直接進入活化槽中。因為大部分活化液是氯基的，所以預浸液也是氯基， 這樣對活化槽不會造成污染。在低濃度（ C1— ： ～ ）的預浸催化液中進行處理，以防止對后續(xù)活化液的污染，板子隨后無需水洗可直接進入把槽。操作溫度在 30士 4 *C，操作時間為 1— 2 秒，當槽中 Cu2+達 2020ppm以上時更換槽液。 活化的作用是在絕緣基體上吸附一層具有催化活動的金屬鈀顆粒，使經(jīng)過活化的基體表具有催化還原金屬銅的能力從而使化學沉銅反應(yīng)在整個催化處理過的基體表面順利進行?；罨哪z體鈀微粒主要是通過粒子的布朗運動和異性電荷的相互吸附作用分別吸附在微蝕后產(chǎn)生的活性銅面上和經(jīng)清洗調(diào)整 處理后的孔壁的非導電基材上，活化槽是沉銅生產(chǎn)線上最貴重的一個槽。將 PCB板浸于膠體鈀的酸性溶液（ Cl— 2N， Pd2+600～ 1200ppm）中，此處的膠體鈀溶液主要成分為 SnC12, PdC12,在活化溶液內(nèi) PdSn 呈膠體。使觸媒（鈀）被還原沉積于基板通孔及表面上，并溶解去除過量的膠體狀錫，使鈀完全地 裸露出來，作為化學銅沉積的底材。操作溫度在 28 士2℃，為了保證活化液污染的最小化，操作時間為 5′ — 6′ ，當槽中 Cu2+達 1500ppm 以上時更換槽液，避免工件提出槽液后再重新浸入槽液。 在化學沉銅 前除去一部分在鈀周圍包圍著的堿式錫酸鹽化合物，以使鈀核完全露出來，增強膠體鈀的活性，稱這一處理為加速處理。 Pd膠體吸 附后必須去處 Sn,使 Pd2+暴露，才能在化學沉銅過程中產(chǎn)生催化作用形成化學銅層。 經(jīng)過活化處理后，內(nèi)層與銅的表面吸附的 PdSR 膠體，經(jīng)加速劑處理后內(nèi)壁與銅環(huán)表面把呈金屬狀態(tài)。一般情況下，當加速液中的銅含量達到800ppm 則需要及時更換，約一周更換槽液一次。操作溫度在 28士 2 0C，操作時間為 3′ 4′ 。 化學沉銅是一種催化氧化還原反應(yīng)，因為化學沉銅銅層的機械性能較差，在經(jīng)受沖擊 時易產(chǎn)生斷裂，所以化學沉銅宜采用鍍薄銅工藝。化學鍍銅的機理如下：將電路板浸入含氫氧化鈉（ ／升）、甲醛（ 克／升）、絡(luò)合銅 (Cu2+: 1. 0v 1. 8g/1)的溶液中，使電路板上覆上一層銅。操作溫度在 32士 2℃，操作時間為 9′ 12′ ，翻槽頻率為一周。． 8．電鍍銅加厚 電鍍銅是以銅球作陽極， CUS04（ 65^75 克／升）和 H2SO4（ 180220克／升）作電解液，還有微量 HC1（ 4060ppm)和添加劑 (14 毫升／升）。電鍍不僅使通孔內(nèi)的銅層加厚，同時也可使熱壓在 外表面的銅箔加厚。操作溫度在 24 士 2℃，槽液不作更換，當生產(chǎn)面積超過 180 萬平方英尺或使用時間達半年時將槽液送入硫酸銅處理區(qū)用活性炭吸附雜質(zhì)，其余溶液繼續(xù)回用到產(chǎn)線上。 用 200 的硝酸將電鍍過程中鍍析在電鍍夾具上的金屬銅予以剝除，以免影響電鍍效率。 （七）外層刷磨 主要是對板子表面進行清潔、粗化。具體工藝流程見下圖。 水 W112重金屬廢水 S1 銅 粉 （八）外層貼膜、曝光、顯影蝕刻 刷磨 中壓水洗 循環(huán)水洗 烘干 干膜 %Na2CO3 CuCl2 G4 鹽酸霧 L33 顯影濃液 W33顯影廢水 L92酸性蝕刻廢水 NaOH 去液態(tài)阻焊工段 Wl13重金屬廢水 L34去膜濃液 W34去膜廢水 S2 干膜渣 外層貼膜、曝光、顯影蝕刻工藝流程圖 壓膜采用干膜，干膜又稱光致抗蝕劑，是由聚酯薄膜、光致抗蝕劑薄膜和聚乙烯保護膜三部分組成。聚酯薄膜是支撐感光膠層的載體，使之涂布成膜。聚乙烯保護膜是覆蓋在感光膠層上的保護膜，防止灰塵等污物粘污干膜。在壓膜前先剝?nèi)ミ@層保護膜。光致抗蝕劑薄膜是干膜的主體，為感光材料。壓膜是以適當?shù)臏囟燃皦毫⒏赡っ芎腺N附在上面。 該段工藝主要是通過顯影將未曝光部分干膜完全剝除，將要蝕除的銅曝露在酸性蝕刻液內(nèi)。經(jīng)過蝕刻，將整體線路的表面線路呈現(xiàn)出來。本項目中已由一般傳統(tǒng) 堿性蝕刻制程改為與內(nèi)層線路制作相同之酸性蝕刻制程，可完全消除傳統(tǒng)堿性蝕刻衍生之惡臭含氨廢氣、銅氨絡(luò)合廢水及剝錫鉛廢液處理之困難，大幅減少污染物排放種類及濃度。 利用干膜溶于強堿的特性，用 NaOH溶液將基板上已顯影部分的干膜去除。 （九）抗焊前刷磨 通常先用刷磨、水洗等方法將