材料表面工程-第四講(編輯修改稿)
2025-04-02 19:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 毒性 。 v 分類 28 一、 氣相沉積技術(shù) 按沉積 T 高溫 CVD 按實(shí)施方法 中溫 CVD 低溫 CVD 普通 CVD MOCVD 如： 平面硅和 MOS集成電路的鈍化膜 等離子增強(qiáng) CVD 光化學(xué)反應(yīng) CVD 金屬有 機(jī)物 CVD 如： 在刀具上沉積TiC/TiN超硬膜 如 :沉積 SiN 900~2023℃ 激光 CVD 500~800℃ 500℃ PECVD LCVD 按沉積系統(tǒng)壓強(qiáng) 常壓 CVD 減壓 CVD 1atm( 105 Pa) 數(shù)十 ~數(shù)百 Pa 29 一、 氣相沉積技術(shù) 氣動(dòng)連鎖裝置 氣體控制系統(tǒng) 主真空泵 防振臺(tái) 感應(yīng)加熱 壓力表 清洗氮 裝料門組件 反應(yīng)室 冷阱 反應(yīng)氣體管 排氣 波紋管 真空閥 F減壓 CVD 30 一、 氣相沉積技術(shù) F等離子體增強(qiáng) CVD (PECVD) 擴(kuò)散泵 加熱器 SiH4+Ar 試樣 高頻發(fā)生器 反應(yīng)室 質(zhì)量流量計(jì) N2 機(jī)械泵 質(zhì)量流量計(jì) 等離子區(qū) 31 一、 氣相沉積技術(shù) F 金屬有機(jī)化合物 CVD (MOCVD) 質(zhì)量流量計(jì) 4個(gè) 反應(yīng)室 H2Se AsH3 GaAs基片 排氣 RF 線圈 托架 凈化器 TMG TMA DEZ 石墨制成 H2 采用 GaAs作為基片 不銹鋼發(fā)泡器 高壓氣瓶 用氫氣稀釋至 5~10% 用氫氣稀釋至幾十 ~幾百 ppm 至廢氣回收裝置 32 一、 氣相沉積技術(shù) F 光化學(xué) CVD l 利用光化學(xué)反應(yīng) ， 使反應(yīng)物吸收一定波長和能量的光子 ， 促使其中的原子團(tuán)和離子發(fā)生反應(yīng) ， 生成化合物的 CVD方法 。 l 主要用于沉積 SiO Si3N4以及多晶硅膜；生長 M膜和 Ga、 Ge、 Ti、 W等元素的氧化物膜 。 l 一、 氣相沉積技術(shù) l 二、 高能束表面處理 目 錄 二、 高能束表面處理 ? ? 概述 及其分類 ? ?4. 離子注入原理 、 裝置及應(yīng)用 34 ? ?高能束 激光束 、 電子束 、 離子束 。 ?表面改性 獲得與基體的組織 、 性能不同的材料表面 。 ?高能束加熱和冷卻速度極高 微晶或非晶制備 。 ?離子注入 把異類原子引入表面層 表面合金化 。 35 二、 高能束表面處理 ? 概述 及其分類 ?概述： ?金屬對(duì)激光的吸收 —— 部分反射 ,部分吸收； ?吸收能量 —— 電子躍遷； ?吸收率與波長 、 溫度 、 金屬表面自身性質(zhì) 有關(guān)； ?激光與金屬作用的類型：熱作用 、 力作用 、 光作用 。 36 二、 高能束表面處理 ?分類： ?不改變基材表面成分 37 二、 高能束表面處理 38 F 改變基材表面成分 二、 高能束表面處理 39 v 激光熔覆技術(shù) 二、 高能束表面處理 40 l 激光熔覆材料的添加 216。 預(yù)制涂層法：先涂覆 、 噴涂 、 電鍍一層材料； 216。 同步送料法：將材料直接送入激光熔池 ， 多為粉末 、 線材 。 二、 高能束表面處理 l 激光熔覆技術(shù)特點(diǎn) 216。 類似于噴焊或堆焊 ， 與二者相比特點(diǎn)： (1) 稀釋率低； (2)基材熱變形最小； (3)熔覆層致密 ， 結(jié)合強(qiáng)度高；
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