【文章內容簡介】 eserved. Output RF spectrum 輸出 RF頻譜 ? Output RF spectrum 輸出 RF頻譜 – 定義 ? 輸出 RF頻譜是在一定的帶寬和周期內測量的由 MS的調制和功率噪聲產生的相對于中心頻率的頻偏與功率之間的關系 標準要求： Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Output RF spectrum 輸出 RF頻譜標準要求 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 調制譜 開關譜 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度 ? Reference sensitivity 參考靈敏度 – 定義 ? 參考靈敏度是指達到規(guī)定的 BER或 FER 條件下 MS接收機的輸入電平。 標準要求： GSM900 的 2級和 3級 MS 104dBm GSM900 的 4級和 5級 MS 102dBm GSM1800 的 MS 102dBm Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度標準要求 Normal Conditions + / + Minimum No. of samples Measurement Test limit (1 ? ? ? ) FER 164 000 0 (?=1) C 975 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 % FER 164 000 0 (?=1) C 55 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 % FER 164 000 0 (?=1) C 124 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 108 % Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度 測試方法 ? 測試方法： 1. 模擬基站調整有用信號電平 ，使 MS的 RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 ， 2. 模擬基站將發(fā)給 MS的信號數(shù)據(jù)與經過 MS接收機解調和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進行比較，檢查擦除指示； 3. 模擬基站通過檢查 II類連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定 II類比特殘余比特差錯事件的數(shù)目，這些比特取自 BFI 置 0的幀。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 可靠性測試 低溫 可靠性測試 ? 環(huán)境試驗 低溫 低溫存儲：移動通信手持機在關機狀態(tài)下經 (－ 40 177。 3)℃ 低溫存儲 16 小時，在正常大氣壓條件下恢復后，射頻性能、功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 低溫工作：移動通信手持機在開機狀態(tài)下經 (－ 10 177。 3)℃ 低溫試驗 2小時后，射頻性能應符合相關標準的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗 ? 高溫 高溫存儲 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經 (55 177。 3)℃ 高溫存儲 16小時后，在正常大氣壓條件下恢復后，射頻性能、功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 高溫工作 移動通信手持機在開機狀態(tài)下經 (55 177。 3)℃ 高溫試驗 2小時后，射頻性能應符合相關標準的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗 ? 溫度沖擊 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經受 (30 177。 3)℃ /(25 177。 3)℃ 的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 ? 沖擊 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經受峰值加速度 300m/s 2 脈沖持續(xù)時間18ms的半正弦脈沖沖擊 18次后，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 ? 碰撞 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經受峰值加速度 250m/s 2 脈沖持續(xù)時間 6ms碰撞 3000次后，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗 ? 振動 移動通信手持機經受如下頻率 /幅度的隨機振動試驗后應功能正常，射頻性能應符合相關標準的要求。 頻率 隨機振動 ASD（加速度譜密度） 5～ 20Hz / s3 20～ 500Hz / s3（ 20Hz處），其他－ 3dB/倍頻程 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗 濕熱 ? 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經過 (40 177。 2)℃ ，相對濕度 933+2 %的環(huán)境試驗后，射頻性能應符合相關標準的要求。 鹽霧 移動通信手持機在關機狀態(tài)下經受如下嚴酷等級的交變鹽霧試驗后功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 嚴酷等級： 三個噴霧周期，每個 2h，每個噴霧周期后有一個為期22h的濕熱儲存周期。噴霧條件為溫度為 (15～ 35)℃ ，濃度為 ( 177。 1)％的氯化鈉溶液；儲存條件為 (40 177。 2)℃ ,相對濕度為 90％～ 95％。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗 ? 砂塵 移動通信手持機在關機狀態(tài)下在能通過篩孔為 75μm、金屬絲直徑為 50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗箱（室）內（工作室和管通道）灰塵量為 2kg/m3的粉塵中放置 8小時后， 液晶屏表面不允許有粉塵，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。對折疊、滑動及旋轉結構的手持機，應在其合蓋狀態(tài)下進行試驗。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機械應力試驗 ? 機械應力試驗 撞擊 移動通信手持機的顯示屏應能夠經受撞擊能量為 ( 177。 )J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。對折疊、滑動及旋轉結構的手持機，應在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。 擠壓 移動通信手持機開機狀態(tài)下承受 (250 177。 10)N的力擠壓 1000次后，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。對折疊、滑動及旋轉結構的手持機，應在其合蓋狀態(tài)下進行試驗。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機械應力試驗 自由跌落 移動通信手持機在關機狀態(tài)下應能夠從高度為 ( 177。 )m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 顯示屏可見面積不小于機殼正面表面積 40％或 25cm 2 的移動通信手持機應能夠在從高度為 ( 177。 )m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機械應力試驗 移動通信手持機與附件的接口的壽命 移動通信手持機與電池、充電器及耳機插槽各經受 1000次、手機卡進行 100次的插拔試驗后，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 按鍵壽命 移動通信手持機上獨立的開關機鍵及側鍵壽命應達到 5萬次，其余按鍵的壽命都應達到使用 10萬次，功能、外觀及裝配應符合相關標準的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗方法 環(huán)境試驗方法 移動通信手持機的環(huán)境試驗順序建議按下列順序進行 : ? a)低溫試驗 ? b)高溫試驗 ? c)溫度沖擊試驗 ? d)沖擊試驗 ? e)碰撞試驗 ? f)振動試驗 ? g)恒定濕熱試驗 鹽霧試驗與砂塵試驗可單獨分別進行。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. EMC電磁兼容性 EMC電磁兼容性 YD/1032_EMI_2023 ? 電磁騷擾測試 ? 輻射騷擾測試（ RE） 輻射雜散 RSE ? 傳導騷擾測試（ CE） ? 諧波電流騷擾測試（ Harmonic） ? 電壓波動與閃爍測試（ Fluctuctions and flicker） Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. EMC電磁兼容性 ? 電磁敏感度測試 ? 射頻電磁場輻射抗擾