【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 eserved. Output RF spectrum 輸出 RF頻譜 ? Output RF spectrum 輸出 RF頻譜 – 定義 ? 輸出 RF頻譜是在一定的帶寬和周期內(nèi)測(cè)量的由 MS的調(diào)制和功率噪聲產(chǎn)生的相對(duì)于中心頻率的頻偏與功率之間的關(guān)系 標(biāo)準(zhǔn)要求： Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Output RF spectrum 輸出 RF頻譜標(biāo)準(zhǔn)要求 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 調(diào)制譜 開(kāi)關(guān)譜 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度 ? Reference sensitivity 參考靈敏度 – 定義 ? 參考靈敏度是指達(dá)到規(guī)定的 BER或 FER 條件下 MS接收機(jī)的輸入電平。 標(biāo)準(zhǔn)要求： GSM900 的 2級(jí)和 3級(jí) MS 104dBm GSM900 的 4級(jí)和 5級(jí) MS 102dBm GSM1800 的 MS 102dBm Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度標(biāo)準(zhǔn)要求 Normal Conditions + / + Minimum No. of samples Measurement Test limit (1 ? ? ? ) FER 164 000 0 (?=1) C 975 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 % FER 164 000 0 (?=1) C 55 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 % FER 164 000 0 (?=1) C 124 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=) Class II (RBER) 8 200 108 % Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度 測(cè)試方法 ? 測(cè)試方法： 1. 模擬基站調(diào)整有用信號(hào)電平 ，使 MS的 RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 ， 2. 模擬基站將發(fā)給 MS的信號(hào)數(shù)據(jù)與經(jīng)過(guò) MS接收機(jī)解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，檢查擦除指示； 3. 模擬基站通過(guò)檢查 II類(lèi)連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定 II類(lèi)比特殘余比特差錯(cuò)事件的數(shù)目，這些比特取自 BFI 置 0的幀。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 可靠性測(cè)試 低溫 可靠性測(cè)試 ? 環(huán)境試驗(yàn) 低溫 低溫存儲(chǔ)：移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (－ 40 177。 3)℃ 低溫存儲(chǔ) 16 小時(shí)，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 低溫工作：移動(dòng)通信手持機(jī)在開(kāi)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (－ 10 177。 3)℃ 低溫試驗(yàn) 2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 高溫 高溫存儲(chǔ) 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫存儲(chǔ) 16小時(shí)后，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 高溫工作 移動(dòng)通信手持機(jī)在開(kāi)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫試驗(yàn) 2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 溫度沖擊 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受 (30 177。 3)℃ /(25 177。 3)℃ 的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 ? 沖擊 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 300m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間18ms的半正弦脈沖沖擊 18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 ? 碰撞 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 250m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間 6ms碰撞 3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 振動(dòng) 移動(dòng)通信手持機(jī)經(jīng)受如下頻率 /幅度的隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 頻率 隨機(jī)振動(dòng) ASD（加速度譜密度） 5～ 20Hz / s3 20～ 500Hz / s3（ 20Hz處），其他－ 3dB/倍頻程 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) 濕熱 ? 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)過(guò) (40 177。 2)℃ ，相對(duì)濕度 933+2 %的環(huán)境試驗(yàn)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 鹽霧 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受如下嚴(yán)酷等級(jí)的交變鹽霧試驗(yàn)后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 嚴(yán)酷等級(jí)： 三個(gè)噴霧周期，每個(gè) 2h，每個(gè)噴霧周期后有一個(gè)為期22h的濕熱儲(chǔ)存周期。噴霧條件為溫度為 (15～ 35)℃ ，濃度為 ( 177。 1)％的氯化鈉溶液；儲(chǔ)存條件為 (40 177。 2)℃ ,相對(duì)濕度為 90％～ 95％。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 砂塵 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下在能通過(guò)篩孔為 75μm、金屬絲直徑為 50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗(yàn)箱（室）內(nèi)（工作室和管通道）灰塵量為 2kg/m3的粉塵中放置 8小時(shí)后， 液晶屏表面不允許有粉塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) ? 機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) 撞擊 移動(dòng)通信手持機(jī)的顯示屏應(yīng)能夠經(jīng)受撞擊能量為 ( 177。 )J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。 擠壓 移動(dòng)通信手持機(jī)開(kāi)機(jī)狀態(tài)下承受 (250 177。 10)N的力擠壓 1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) 自由跌落 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下應(yīng)能夠從高度為 ( 177。 )m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 顯示屏可見(jiàn)面積不小于機(jī)殼正面表面積 40％或 25cm 2 的移動(dòng)通信手持機(jī)應(yīng)能夠在從高度為 ( 177。 )m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) 移動(dòng)通信手持機(jī)與附件的接口的壽命 移動(dòng)通信手持機(jī)與電池、充電器及耳機(jī)插槽各經(jīng)受 1000次、手機(jī)卡進(jìn)行 100次的插拔試驗(yàn)后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 按鍵壽命 移動(dòng)通信手持機(jī)上獨(dú)立的開(kāi)關(guān)機(jī)鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達(dá)到 5萬(wàn)次，其余按鍵的壽命都應(yīng)達(dá)到使用 10萬(wàn)次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn)方法 環(huán)境試驗(yàn)方法 移動(dòng)通信手持機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)順序建議按下列順序進(jìn)行 : ? a)低溫試驗(yàn) ? b)高溫試驗(yàn) ? c)溫度沖擊試驗(yàn) ? d)沖擊試驗(yàn) ? e)碰撞試驗(yàn) ? f)振動(dòng)試驗(yàn) ? g)恒定濕熱試驗(yàn) 鹽霧試驗(yàn)與砂塵試驗(yàn)可單獨(dú)分別進(jìn)行。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. EMC電磁兼容性 EMC電磁兼容性 YD/1032_EMI_2023 ? 電磁騷擾測(cè)試 ? 輻射騷擾測(cè)試（ RE） 輻射雜散 RSE ? 傳導(dǎo)騷擾測(cè)試（ CE） ? 諧波電流騷擾測(cè)試（ Harmonic） ? 電壓波動(dòng)與閃爍測(cè)試（ Fluctuctions and flicker） Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. EMC電磁兼容性 ? 電磁敏感度測(cè)試 ? 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾