【文章內(nèi)容簡介】 ns+ / +Minimum No. of samples Measurement Test limit(1 ? ? ? )FER 164 000 0 (?=1)C 975 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 %FER 164 000 0 (?=1)C 55 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 %FER 164 000 0 (?=1)C 124 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 108 %Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Reference sensitivity 參考靈敏度 測試方法? 測試方法：1. 模擬基站調(diào)整有用信號電平 ，使 MS的 RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 ，2. 模擬基站將發(fā)給 MS的信號數(shù)據(jù)與經(jīng)過 MS接收機解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進行比較，檢查擦除指示；3. 模擬基站通過檢查 II類連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定 II類比特殘余比特差錯事件的數(shù)目，這些比特取自 BFI 置 0的幀。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.可靠性測試 低溫 可靠性測試? 環(huán)境試驗 低溫 低溫存儲：移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng) (－ 40 177。 3)℃ 低溫存儲 16 小時，在正常大氣壓條件下恢復后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。低溫工作：移動通信手持機在開機狀態(tài)下經(jīng) (－ 10 177。 3)℃ 低溫試驗 2小時后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗? 高溫 高溫存儲移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫存儲 16小時后，在正常大氣壓條件下恢復后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。 高溫工作移動通信手持機在開機狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫試驗 2小時后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗? 溫度沖擊移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng)受 (30 177。 3)℃ /(25 177。 3)℃ 的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。? 沖擊移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 300m/s 2 脈沖持續(xù)時間 18ms的半正弦脈沖沖擊 18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。? 碰撞移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 250m/s 2 脈沖持續(xù)時間 6ms碰撞 3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗? 振動移動通信手持機經(jīng)受如下頻率 /幅度的隨機振動試驗后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。 頻率 隨機振動 ASD（加速度譜密度）5～ 20Hz / s320～ 500Hz / s3（ 20Hz處），其他－ 3dB/倍頻程Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗濕熱? 移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng)過 (40 177。 2)℃ ，相對濕度 933+2 %的環(huán)境試驗后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。鹽霧移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下經(jīng)受如下嚴酷等級的交變鹽霧試驗后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。嚴酷等級： 三個噴霧周期，每個 2h，每個噴霧周期后有一個為期22h的濕熱儲存周期。噴霧條件為溫度為 (15～ 35)℃ ，濃度為 ( 177。 1)％的氯化鈉溶液；儲存條件為 (40 177。 2)℃ ,相對濕度為 90％～ 95％。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗? 砂塵移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下在能通過篩孔為 75μm、金屬絲直徑為 50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗箱（室）內(nèi)（工作室和管通道）灰塵量為 2kg/m3的粉塵中放置 8小時后， 液晶屏表面不允許有粉 塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進行試驗。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機械應(yīng)力試驗? 機械應(yīng)力試驗 撞擊移動通信手持機的顯示屏應(yīng)能夠經(jīng)受撞擊能量為 ( 177。 )J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。擠壓移動通信手持機開機狀態(tài)下承受 (250 177。 10)N的力擠壓 1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進行試驗。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機械應(yīng)力試驗自由跌落移動通信手持機在關(guān)機狀態(tài)下應(yīng)能夠從高度為 ( 177。 )m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。顯示屏可見面積不小于機殼正面表面積 40％或 25cm 2 的移動通信手持機應(yīng)能夠在從高度為 ( 177。 )m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機械應(yīng)力試驗移動通信手持機與附件的接口的壽命移動通信手持機與電池、充電器及耳機插槽各經(jīng)受 1000次、手機卡進行 100次的插拔試驗后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。 按鍵壽命移動通信手持機上獨立的開關(guān)機鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達到 5萬次，其余按鍵的壽命都應(yīng)達到使用 10萬次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標準的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗方法環(huán)境試驗方法移動通信手持機的環(huán)境試驗順序建議按下列順序進行 :? a)低溫試驗? b)高溫試驗? c)溫度沖擊試驗? d)沖擊試驗? e)碰撞試驗? f)振動試驗? g)恒定濕熱試驗鹽霧試驗與砂塵試驗可單獨分別進行。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性 EMC電磁兼容性 YD/1032_EMI_2023? 電磁騷擾測試? 輻射騷擾測試（ RE） 輻射雜散 RSE ? 傳導騷擾測試（ CE）? 諧波電流騷擾測試（ Harmonic）? 電壓波動與閃爍測試（ Fluctuctions and flicker）Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性? 電磁敏感度測試? 射頻電磁場輻射抗擾度測試（ RS）? 傳導騷擾抗擾度測試（ CS）? 電快速瞬變脈沖群抗擾度測試（ EFT/B）? 靜電放電抗擾度測試（ ESD）? 電壓跌落、短時中斷抗擾度測試（ DIP/interruption）? 工頻磁場抗擾度測試（ PMS）? 浪涌抗擾度測試（ SURGE）Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性EMC電磁兼容性? 電力線感應(yīng)測試? 電力線接觸測試Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.ESD整機 ESD測試：測試 手機抗 ESD的性能， 驗證 被 測 機在室 溫靜 電環(huán) 境的 條 件下應(yīng) 正常工作。參考標準：國家標準 GB/試驗環(huán) 境：靜電發(fā)生器、待測手機開機、插入測試卡、充電中撥打電話 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.ESD試驗方法：252。 開機狀態(tài)，空氣放電將靜電發(fā)生裝置放于參考接地板中央，靜電槍接地線與參考接地板夾緊，將靜電類型開關(guān)調(diào)到 AIR，分別調(diào)節(jié)電壓177。2KV ， 177。4KV， 177。8KV， 177。10KV，沿被測機縫隙放電；每點放電 10次，每次間隔 1秒。252。 接觸放電換上接觸槍頭，將靜電類型開關(guān)調(diào)到 CONTACT，分別調(diào)節(jié)電壓到 177。2KV ， 177。4KV， 177。6KV，沿被測機縫隙（包括數(shù)據(jù)金屬口）放電；每點放電 10次，每次間隔 1秒。252。 測試過程中，被測機不能出現(xiàn)軟性錯誤和硬性錯誤，即通過重新開機操作可以糾正的錯誤和重新開機操作不可糾正的錯誤；測試后應(yīng)進行功能和信號測試。如果有一臺主被叫功能喪失或有一項主要射頻指標不合格，即可判定測試不合格。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.音頻 測試音頻 測試1. 發(fā)送響度評定值（ SLR）2. 接收響度評定值（ RLR）3. 空閑信道噪聲4. 發(fā)送靈敏度 /頻率特性5. 接收靈敏度 /頻率特性6. 側(cè)音掩蔽評定值（ STMR）7. 收聽者側(cè)音評定值（ LSTR）8. 穩(wěn)定度損耗9. 聲學回聲控制10. 發(fā)送失真11. 接收失真12. 帶外信號