【文章內(nèi)容簡介】 ns+ / +Minimum No. of samples Measurement Test limit(1 ? ? ? )FER 164 000 0 (?=1)C 975 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 %FER 164 000 0 (?=1)C 55 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 %FER 164 000 0 (?=1)C 124 Class Ib (RBER) 20 000 000 0 (?=)Class II (RBER) 8 200 108 %Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.Reference sensitivity 參考靈敏度 測試方法? 測試方法：1. 模擬基站調(diào)整有用信號電平 ，使 MS的 RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 ，2. 模擬基站將發(fā)給 MS的信號數(shù)據(jù)與經(jīng)過 MS接收機(jī)解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，檢查擦除指示；3. 模擬基站通過檢查 II類連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，判定 II類比特殘余比特差錯(cuò)事件的數(shù)目，這些比特取自 BFI 置 0的幀。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.可靠性測試 低溫 可靠性測試? 環(huán)境試驗(yàn) 低溫 低溫存儲：移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (－ 40 177。 3)℃ 低溫存儲 16 小時(shí)，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。低溫工作：移動通信手持機(jī)在開機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (－ 10 177。 3)℃ 低溫試驗(yàn) 2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)? 高溫 高溫存儲移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫存儲 16小時(shí)后，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 高溫工作移動通信手持機(jī)在開機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (55 177。 3)℃ 高溫試驗(yàn) 2小時(shí)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)? 溫度沖擊移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受 (30 177。 3)℃ /(25 177。 3)℃ 的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。? 沖擊移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 300m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間 18ms的半正弦脈沖沖擊 18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。? 碰撞移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 250m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間 6ms碰撞 3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)? 振動移動通信手持機(jī)經(jīng)受如下頻率 /幅度的隨機(jī)振動試驗(yàn)后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 頻率 隨機(jī)振動 ASD（加速度譜密度）5～ 20Hz / s320～ 500Hz / s3（ 20Hz處），其他－ 3dB/倍頻程Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)濕熱? 移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)過 (40 177。 2)℃ ，相對濕度 933+2 %的環(huán)境試驗(yàn)后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。鹽霧移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受如下嚴(yán)酷等級的交變鹽霧試驗(yàn)后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。嚴(yán)酷等級： 三個(gè)噴霧周期，每個(gè) 2h，每個(gè)噴霧周期后有一個(gè)為期22h的濕熱儲存周期。噴霧條件為溫度為 (15～ 35)℃ ，濃度為 ( 177。 1)％的氯化鈉溶液；儲存條件為 (40 177。 2)℃ ,相對濕度為 90％～ 95％。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)? 砂塵移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下在能通過篩孔為 75μm、金屬絲直徑為 50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗(yàn)箱（室）內(nèi)（工作室和管通道）灰塵量為 2kg/m3的粉塵中放置 8小時(shí)后， 液晶屏表面不允許有粉 塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)? 機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn) 撞擊移動通信手持機(jī)的顯示屏應(yīng)能夠經(jīng)受撞擊能量為 ( 177。 )J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。擠壓移動通信手持機(jī)開機(jī)狀態(tài)下承受 (250 177。 10)N的力擠壓 1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī)，應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)自由跌落移動通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下應(yīng)能夠從高度為 ( 177。 )m處跌落在混凝土表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。顯示屏可見面積不小于機(jī)殼正面表面積 40％或 25cm 2 的移動通信手持機(jī)應(yīng)能夠在從高度為 ( 177。 )m處跌落在表面后，除允許表面有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.機(jī)械應(yīng)力試驗(yàn)移動通信手持機(jī)與附件的接口的壽命移動通信手持機(jī)與電池、充電器及耳機(jī)插槽各經(jīng)受 1000次、手機(jī)卡進(jìn)行 100次的插拔試驗(yàn)后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 按鍵壽命移動通信手持機(jī)上獨(dú)立的開關(guān)機(jī)鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達(dá)到 5萬次，其余按鍵的壽命都應(yīng)達(dá)到使用 10萬次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.環(huán)境試驗(yàn)方法環(huán)境試驗(yàn)方法移動通信手持機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)順序建議按下列順序進(jìn)行 :? a)低溫試驗(yàn)? b)高溫試驗(yàn)? c)溫度沖擊試驗(yàn)? d)沖擊試驗(yàn)? e)碰撞試驗(yàn)? f)振動試驗(yàn)? g)恒定濕熱試驗(yàn)鹽霧試驗(yàn)與砂塵試驗(yàn)可單獨(dú)分別進(jìn)行。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性 EMC電磁兼容性 YD/1032_EMI_2023? 電磁騷擾測試? 輻射騷擾測試（ RE） 輻射雜散 RSE ? 傳導(dǎo)騷擾測試（ CE）? 諧波電流騷擾測試（ Harmonic）? 電壓波動與閃爍測試（ Fluctuctions and flicker）Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性? 電磁敏感度測試? 射頻電磁場輻射抗擾度測試（ RS）? 傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試（ CS）? 電快速瞬變脈沖群抗擾度測試（ EFT/B）? 靜電放電抗擾度測試（ ESD）? 電壓跌落、短時(shí)中斷抗擾度測試（ DIP/interruption）? 工頻磁場抗擾度測試（ PMS）? 浪涌抗擾度測試（ SURGE）Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.EMC電磁兼容性EMC電磁兼容性? 電力線感應(yīng)測試? 電力線接觸測試Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.ESD整機(jī) ESD測試：測試 手機(jī)抗 ESD的性能， 驗(yàn)證 被 測 機(jī)在室 溫靜 電環(huán) 境的 條 件下應(yīng) 正常工作。參考標(biāo)準(zhǔn)：國家標(biāo)準(zhǔn) GB/試驗(yàn)環(huán) 境：靜電發(fā)生器、待測手機(jī)開機(jī)、插入測試卡、充電中撥打電話 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.ESD試驗(yàn)方法：252。 開機(jī)狀態(tài)，空氣放電將靜電發(fā)生裝置放于參考接地板中央，靜電槍接地線與參考接地板夾緊，將靜電類型開關(guān)調(diào)到 AIR，分別調(diào)節(jié)電壓177。2KV ， 177。4KV， 177。8KV， 177。10KV，沿被測機(jī)縫隙放電；每點(diǎn)放電 10次，每次間隔 1秒。252。 接觸放電換上接觸槍頭，將靜電類型開關(guān)調(diào)到 CONTACT，分別調(diào)節(jié)電壓到 177。2KV ， 177。4KV， 177。6KV，沿被測機(jī)縫隙（包括數(shù)據(jù)金屬口）放電；每點(diǎn)放電 10次，每次間隔 1秒。252。 測試過程中，被測機(jī)不能出現(xiàn)軟性錯(cuò)誤和硬性錯(cuò)誤，即通過重新開機(jī)操作可以糾正的錯(cuò)誤和重新開機(jī)操作不可糾正的錯(cuò)誤；測試后應(yīng)進(jìn)行功能和信號測試。如果有一臺主被叫功能喪失或有一項(xiàng)主要射頻指標(biāo)不合格，即可判定測試不合格。Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved.音頻 測試音頻 測試1. 發(fā)送響度評定值（ SLR）2. 接收響度評定值（ RLR）3. 空閑信道噪聲4. 發(fā)送靈敏度 /頻率特性5. 接收靈敏度 /頻率特性6. 側(cè)音掩蔽評定值（ STMR）7. 收聽者側(cè)音評定值（ LSTR）8. 穩(wěn)定度損耗9. 聲學(xué)回聲控制10. 發(fā)送失真11. 接收失真12. 帶外信號