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手機(jī)研發(fā)硬件測(cè)試技術(shù)培訓(xùn)教材-wenkub

2023-03-15 20:31:42 本頁(yè)面
 

【正文】 的連接,并對(duì)移動(dòng)臺(tái)進(jìn)行充分屏蔽,避免干擾。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 功能測(cè)試 1. 功能測(cè)試 – 產(chǎn)品設(shè)計(jì)定義中的功能效果的確認(rèn)。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試設(shè)計(jì)的好處 ? 良好的測(cè)試設(shè)計(jì)和有效測(cè)試工具可減少重復(fù)低效的勞動(dòng) ? 有效地開發(fā)利用測(cè)試工具可使測(cè)試更深入、更全面 ? 有些復(fù)雜的測(cè)試只能依靠測(cè)試工具進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試 ? 在測(cè)試中經(jīng)常進(jìn)行測(cè)試設(shè)計(jì)是提升技術(shù)水平的有效手段 ? 我們?cè)谧鰷y(cè)試工作時(shí),不能因循守舊,需要時(shí)刻考慮如何改進(jìn)我們的 測(cè)試效果,提高我們的測(cè)試效率,在測(cè)試點(diǎn)上進(jìn)行深入研究,開發(fā)測(cè) 試工具,最終使我們的所有點(diǎn)的測(cè)試達(dá)到自動(dòng)化。 – 設(shè)計(jì)測(cè)試工具,設(shè)計(jì)測(cè)試軟件。 Copyright 169。具體可以從以下幾方面進(jìn)行考慮: ? 產(chǎn)品設(shè)計(jì)功能 根據(jù)功能的實(shí)現(xiàn),分別對(duì)實(shí)現(xiàn)該功能的各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試,從硬件、軟件、用戶界面,只有各個(gè)環(huán)節(jié)都暢通無(wú)阻,才能保證該功能的正常實(shí)現(xiàn)。 Copyright 169。 – 嚴(yán)重程度等級(jí)(嚴(yán)酷度類別)定義應(yīng)考慮到故障所造成的最壞的潛在后果來(lái)確定。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 – 能幫助設(shè)計(jì)者和決策者從各種方案中選擇滿足可靠性要求的最佳方案; – 保證所有元器件的各種故障模式及影響都經(jīng)過周密考慮; – 能找出對(duì)系統(tǒng)故障有重大影響的元器件和故障模式,并分析其影響程度; – 有助于在設(shè)計(jì)評(píng)審中對(duì)有關(guān)措施(如冗余措施)、檢測(cè)設(shè)備等作客觀的評(píng)價(jià); Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 設(shè)計(jì)檢查 ? 硬件設(shè)計(jì)審查 ? 原理圖審查 ? PCB審查 ? 發(fā)現(xiàn)硬件設(shè)計(jì)原理缺陷 ? 發(fā)現(xiàn)成本浪費(fèi)問題 ? 發(fā)現(xiàn)降額不規(guī)范設(shè)計(jì) ? 發(fā)現(xiàn)布局和布線的缺陷 ? 發(fā)現(xiàn) EMC等專項(xiàng)設(shè)計(jì)缺陷 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試在企業(yè)價(jià)值鏈中的地位 – ——采購(gòu) ——研發(fā) ——測(cè)試 ——生產(chǎn) ——銷售 —— – 測(cè)試是每項(xiàng)成功產(chǎn)品的必經(jīng)環(huán)節(jié) Copyright 169。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試的意義 測(cè)試并不僅僅是為了要找出錯(cuò)誤。 實(shí)現(xiàn)的保障: 產(chǎn)品的零缺陷構(gòu)筑于最底層的設(shè)計(jì),源于每一個(gè)函數(shù)、每一行代碼、每一部分單元電路及每一個(gè)電信號(hào)。如果測(cè)試的目的是為了盡可能多地找出錯(cuò)誤,那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)設(shè)計(jì)比較復(fù)雜的部分或是以前出錯(cuò)比較多的位置。手機(jī) 硬件測(cè)試技術(shù) Copyright 169。 – 如果測(cè)試目的是為了給最終用戶提供具有一定可信度的質(zhì)量評(píng)價(jià),那么測(cè)試就應(yīng)該直接針對(duì)在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)經(jīng)常用到的商業(yè)假設(shè)。測(cè)試就是要排除每一處故障和每一處隱患,從而構(gòu)建一個(gè)零缺陷的產(chǎn)品。通過分析錯(cuò)誤產(chǎn)生的原因和錯(cuò)誤的分布特征,可以幫助項(xiàng)目管理者發(fā)現(xiàn)當(dāng)前設(shè)計(jì)過程的缺陷,以便改進(jìn)。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試概述 目前業(yè)界硬件測(cè)試的開展?fàn)顩r 隨著質(zhì)量的進(jìn)一步要求,硬件測(cè)試工作在產(chǎn)品研發(fā)階段的投入比例已經(jīng)向測(cè)試傾斜,許多知名的國(guó)際企業(yè),硬件測(cè)試人員的數(shù)量要遠(yuǎn)大于開發(fā)人員。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 硬件測(cè)試概述 硬件測(cè)試對(duì)公司形象和公司發(fā)展的重要性 – 硬件測(cè)試是評(píng)估產(chǎn)品質(zhì)量的重要方法 – 產(chǎn)品質(zhì)量是公司的信譽(yù)和品牌象征 – 公司的信譽(yù)和質(zhì)量決定了公司的發(fā)展前景 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 正規(guī)審查的流程 – 審查專家的確定 – 評(píng)審專家預(yù)審 – 審查問題反饋整理 – 評(píng)審會(huì)議召開 – 審查問題確認(rèn),解決 – 評(píng)審問題跟蹤 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 ? FMEA的意義(續(xù)) – 能為進(jìn)一步定量分析提供基礎(chǔ); – 能為進(jìn)一步更改產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供資料; – 能為產(chǎn)品可測(cè)試方案提供基礎(chǔ)材料; – 能為技術(shù)支援人員提供維修指南; – 為基于故障模式的測(cè)試提供依據(jù)。 – 嚴(yán)酷度的定義是 FMEA的前提和基礎(chǔ),有了共識(shí)的嚴(yán)酷度才可以保證 FMEA的順利開展和問題的落實(shí)。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 測(cè)試計(jì)劃的內(nèi)容 測(cè)試計(jì)劃一般應(yīng)該包含一下的內(nèi)容: – 測(cè)試對(duì)象,明確版本,范圍,任務(wù)劃分 – 角色和職責(zé) – 測(cè)試和不被測(cè)試的特性原因 – 測(cè)試通過與否的標(biāo)準(zhǔn) – 測(cè)試任務(wù)安排 – 測(cè)試結(jié)束的交付件 – 工作量評(píng)估 Copyright 169。 ? 可靠性 ? 指標(biāo)性能需求 指標(biāo)包括基帶指標(biāo)、 RF指標(biāo)、可靠性指標(biāo)和指標(biāo)容差。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 測(cè)試前準(zhǔn)備 測(cè)試需求的來(lái)源(續(xù)) ? 應(yīng)用環(huán)境 應(yīng)用環(huán)境一般可從以下幾個(gè)方面考慮: 高溫、低溫、高低溫交變、鹽霧、濕熱、防塵、接地、電源、震動(dòng)、沖擊、存儲(chǔ)、運(yùn)輸 電磁兼容性 Copyright 169。 – 設(shè)計(jì)測(cè)試裝備。 Copyright 169。 Copyright 169。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 電流測(cè)試環(huán)境 Copyright 169。一般情況下 RF Test需要在 High、Low、 Middle 信道上進(jìn)行 RF Test. Copyright 169。 標(biāo)準(zhǔn)要求: 載波頻率誤差應(yīng)小于 1*107; RMS 相位誤差都不應(yīng)超過 5o , 3. 每一個(gè)突發(fā)脈沖的有用部份的相位最大峰值誤差都不應(yīng)超過20o Copyright 169。 ? 突發(fā)脈沖定時(shí)是指 MS 接收和發(fā)送之間的時(shí)間間隙。 Copyright 169。 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 調(diào)制譜 開關(guān)譜 Copyright 169。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. Reference sensitivity 參考靈敏度 測(cè)試方法 ? 測(cè)試方法: 1. 模擬基站調(diào)整有用信號(hào)電平 ,使 MS的 RF 接頭處輸入電平為參考靈敏度電平 , 2. 模擬基站將發(fā)給 MS的信號(hào)數(shù)據(jù)與經(jīng)過 MS接收機(jī)解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,檢查擦除指示; 3. 模擬基站通過檢查 II類連續(xù)比特最小樣本數(shù)序列,判定 II類比特殘余比特差錯(cuò)事件的數(shù)目,這些比特取自 BFI 置 0的幀。 低溫工作:移動(dòng)通信手持機(jī)在開機(jī)狀態(tài)下經(jīng) (- 10 177。 3)℃ 高溫存儲(chǔ) 16小時(shí)后,在正常大氣壓條件下恢復(fù)后,射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 溫度沖擊 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受 (30 177。 ? 碰撞 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)受峰值加速度 250m/s 2 脈沖持續(xù)時(shí)間 6ms碰撞 3000次后,功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) 濕熱 ? 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下經(jīng)過 (40 177。噴霧條件為溫度為 (15~ 35)℃ ,濃度為 ( 177。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. 環(huán)境試驗(yàn) ? 砂塵 移動(dòng)通信手持機(jī)在關(guān)機(jī)狀態(tài)下在能通過篩孔為 75μm、金屬絲直徑為 50μm的方孔篩的干燥滑石粉、試驗(yàn)箱(室)內(nèi)(工作室和管通道)灰塵量為 2kg/m3的粉塵中放置 8小時(shí)后, 液晶屏表面不允許有粉塵,功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 )J 的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞,功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。對(duì)折疊、滑動(dòng)及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的手持機(jī),應(yīng)在其合蓋狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)。 顯示屏可見面積不小于機(jī)殼正面表面積 40%或 25cm 2 的移動(dòng)通信手持機(jī)應(yīng)能夠在從高度為 ( 177。 按鍵壽命 移動(dòng)通信手持機(jī)上獨(dú)立的開關(guān)機(jī)鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)達(dá)到 5萬(wàn)次,其余按鍵的壽命都應(yīng)達(dá)到使用 10萬(wàn)次,功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 2023 MStar Semiconductor, Inc. All rights reserved. EMC電磁兼容性 EMC電磁兼容性 YD/1032_EMI_2023 ? 電磁騷擾測(cè)試 ? 輻射騷擾測(cè)試( RE) 輻射雜散 RSE ? 傳導(dǎo)騷擾測(cè)試( CE) ? 諧波電流騷擾測(cè)試( Harmonic) ? 電壓波動(dòng)與閃爍測(cè)試( Fluctuctions and flicker) Copyright 169。 參
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