ebsd樣品制備工藝2の(編輯修改稿)
2025-03-06 12:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 純金屬 /第二相細(xì)小的合金機(jī)械拋光 ，推薦石英硅乳膠 (Colloidal silica)特殊的制備方式262023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué)n 小尺寸樣品的處理u鑲嵌法u電鍍法p 環(huán)氧樹脂冷鑲p 電木熱鑲p 導(dǎo)電的鑲嵌材料p 電鍍 Cu， Ni或者其它金屬材料n 導(dǎo)電性差樣品的處理u鍍金，噴碳272023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué)主要內(nèi)容鈦合金試樣的制備機(jī)械拋光后 離子轟擊后model 682 Gatan PECSn 離子轟擊2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 29鈦合金基體 ?機(jī)械拋光 ?電解拋光鈦合金第二相?機(jī)械拋光 ?電解拋光離子束轟擊后Gatan Model 691 Precision Ion Polishing System (PIPS)經(jīng)電解拋光使用離子束轟擊后花樣質(zhì)量對比2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 30離子束轟擊條件： 1mA ion beam at 6kV, 60deg. 旋轉(zhuǎn)Zero ion milling 5 minutes 15minutes?花樣質(zhì)量增加?隨時間增加花樣質(zhì)量增加?試樣表面逐漸被剝蝕 2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 3115 分鐘25 分鐘2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 32表 面 質(zhì) 量離子束轟擊 1個小時后離子束轟擊時間過長后試樣表面2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 33離子束轟擊過程中試樣不旋轉(zhuǎn)，使得試樣表面出現(xiàn)凹坑Monel sample（蒙乃爾銅 鎳合金）2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 34對一定程度的凹坑 EBSD仍然可以標(biāo)定形成凹坑后試樣標(biāo)定2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 352023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué)n 聚焦離子束 (FIB)?FIB主要功能： 形貌觀察 微區(qū)刻蝕 微沉淀3637HCP =紅 色Cubic=藍(lán) 色鈦 合金的三 維 EBSD標(biāo) 定2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 38Cross Section Polisher(截面拋磨機(jī) )Ar離子束加工2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué)? 2023年發(fā)展 起來? 為 EPMA SEM/EDS AES試樣的制備提供了方便39使用使用 Ar+離子離子 槍槍 刻刻 蝕蝕關(guān)閉樣品室抽真空電子槍關(guān)閉啟動電子槍 刻蝕試樣表面截面拋磨機(jī)方便簡單離子槍Ar 離子2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 40截面拋磨機(jī)與機(jī)械拋光的比截面拋磨機(jī)與機(jī)械拋光的比 較較機(jī)械拋光CP 拋磨 時間 : 4 hoursAuNiPCu背散射電子圖像加速電壓 : 5kVCP2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 41AuNiPCuCard Edge Connector背散射 電 子像EBSD analysisCPPolymer base在 Cu層清晰的晶體取向襯度表明界面拋磨后試樣表面沒有發(fā)生受損2023年 EBSD顯微分析高級應(yīng)用培訓(xùn) 重慶大學(xué) 42BSE imageNormal Direct
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