蘇教版化學(xué)選修3金屬鍵金屬晶體同步測試(編輯修改稿)
2024-12-21 11:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 下，自由電子就會(huì)發(fā)生定向移動(dòng)形成電流；容易導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉谶\(yùn)動(dòng)時(shí)經(jīng)常與金屬離子碰撞而引起能量的交換，從 而能量從溫度高的部分傳到溫度低的部分，使整塊金屬達(dá)到相同的溫度；有延展性是因?yàn)榻饘匐x子和自由電子之間的較強(qiáng)作用，當(dāng)金屬受到外力時(shí)，晶體中的各離子層就會(huì)發(fā)生相對滑動(dòng)，但由于金屬離子和自由電子之間的相互作用沒有方向性，受到外力后相互作用沒有被破壞，故雖發(fā)生形變，但不會(huì)導(dǎo)致斷裂；易銹蝕是因?yàn)榻饘僖妆谎趸優(yōu)榻饘訇栯x子，與金屬晶體結(jié)構(gòu)無關(guān)。所以答案為 D。 答案： D 類題演練 2 按下列四種有關(guān)性質(zhì)的敘述，可能屬于金屬晶體的是（ ） ，熔點(diǎn)很低 ，熔點(diǎn)在 1 000 ℃ 左右 ，熔點(diǎn)很高 ，但溶于水或熔融后能導(dǎo)電 解析： A為分子晶體； B 中固體能導(dǎo)電，熔點(diǎn)在 1 000 ℃ 左右，不是很高，排除石墨等固體，應(yīng)為金屬晶體； C 為原子晶體； D 為離子晶體。 答案： 變式提升 3 下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)依次升高的是（ ） ,Mg,Al ,Rb,Cs ,Na,K 、硅鋁合金、單晶硅 解析： 金屬陽離子半徑越小，所帶電荷越多，自由電子越多，相互作用力就越大，熔沸點(diǎn)就會(huì)相應(yīng)升高，因此 AlMgNaKRbCs。而合金的熔 點(diǎn)一般比組成它的各成分金屬的熔點(diǎn)都低，因此 D 也錯(cuò)誤。 答案： 課后集訓(xùn) 基礎(chǔ)過關(guān) （ ） 解析： 白磷由 P4分子構(gòu)成，金屬鎂由 Mg2+和自由電子構(gòu)成，都不符合題意。而金剛石由碳原子構(gòu)成，氦氣為單原子分子，應(yīng)為正確答案。 答案： ，如果金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，自由電子與金屬陽離子間的作用力越大，金屬的熔沸點(diǎn)越高。由此判斷下列各組金屬熔沸點(diǎn)高低順序，其中正確的 是（ ） AlCa NaLi MgCa BaAl 解析： 電荷數(shù)： Al3+Mg2+=Ca2+=Ba2+Li+=Na+，金屬陽離子半徑： r(Ba2+)r(Ca2+)r(Na+) r(Mg2+)r(Al3+)r(Li+)，則 A和 C 中， C 正確。 B 中 LiNa， D選項(xiàng)中 AlMgBa，都不符合題意。 答案： ，其密度為 gcm3，用 X 射線研究該固體的結(jié)構(gòu)時(shí)得知：在邊長 107 cm 的正方體中含 有 20 個(gè)原子，則此元素的相對原子質(zhì)量最接近下列數(shù)據(jù)中的（ ） 解析： M=Vmρ= 20cm)10( 37? 1023 mol1 gcm3=150 gmol1,故 r=150。 答案： （ ） ，金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在 ，在一定外力作用下，不因形變而消失 ，金屬的導(dǎo)電性越好 解析： 常溫下， Hg為液態(tài)，不屬于晶體形式，故 A不正確。因?yàn)榻饘冁I沒有方向性，因此 金屬鍵在一定范圍內(nèi)不因形變而消失，這實(shí)際上是金屬有延展性的原因， B正確。鈣的金屬鍵應(yīng)強(qiáng)于 K，故熔沸點(diǎn)應(yīng)高于 K， C 不正確。溫度高，金屬離子的熱運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，對自由電子的移動(dòng)造成阻礙，導(dǎo)電性減弱，故 D 不正確。 答案： ，與自由電子無關(guān)的是（ ） 解析： 對于金屬，其易導(dǎo)電、導(dǎo)熱性及延展性均與自由電子有關(guān)。 答案： （含硅 %)在凝固時(shí)收縮率很小，因而這種合金適合于鑄造?，F(xiàn)有下列三種晶體： ① 鋁 ② 硅 ③ 鋁硅合金，它們的熔點(diǎn)從低到高的順序是（ ） A.①②③ B.②①③ C.③②① D.③①② 解析： 三種晶體中，一般合金的熔點(diǎn)低于組成的金屬單質(zhì)熔點(diǎn)，而鋁與硅比較，硅屬于原子晶體，具有較高的熔點(diǎn)，故答案為 D。 答案： （ ） 解析： 金屬晶體的熔沸點(diǎn)與金屬陽離子的半徑和原子最外層電子數(shù)有關(guān)，
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