模擬電子技術(shù)基礎-24(編輯修改稿)
2025-01-23 04:14 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 在 uCE — iC的坐標系中也表示一條直線，該直線稱為放大電路的 交流負載線。 LCCCCE RiVu ????式 M 直流負載線 交流負載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQI上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 交流負載線及放大電路波形分析 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 交流負載線的特點 b. 經(jīng)過靜態(tài)工作點 Qo M 直流負載線 交流負載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQIa. 斜率為 L1 R??c. 與橫軸的交點為 LCQCE Q RIU ??上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 e. 動態(tài)范圍 (a) 比電路空載時小 M 直流負載線 交流負載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQI),m i n (2 LCQC E SC E Qo p p RIUUU ????(c) 當考慮 UCES時， (b) ],[min2 LCQCE Qo p p RIUU ???上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 (2) 作圖繁瑣 圖解法的特點 (1) 便于觀察 (4) 放大電路的一些性能指標無法用圖解法求得 (3) 當信號太 很小時無法作圖 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 微變等效電路法在放大電路動態(tài)分析中的應用 1． 晶體管的 H參數(shù)微變等效電路 (1) 晶體管線性化的條件 晶體管在小信號下工作 a. ΔiB與 Δ uBE 之間具有線性關(guān)系 b. β值恒定 (2) 晶體管可線性化的主要依據(jù) 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 晶體管共射極接法線性化原理 晶體管 – uce b e c NPN PNP 或 型 型 晶 管 體 + ic ube ib + – 線性二端口網(wǎng)絡 線 性 網(wǎng) 絡 uce + – + – ube ic ib 等效 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 0BBE0BBEie CEce ??? ??????UU iuiuh0CEBE0CEBEre Bb ??? ??????iI uuuuh0BC0BCfe CEce ??? ??????uU iiiih0CEC0CECoe Bb ??? ??????iI uiuih晶體管線性等效電路的 H參數(shù)描述 式中 cerebiebe uhihu ??ceoebfec uhihi ??線 性 網(wǎng) 絡 uce + – + – ube ic ib 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 晶體管的微變等效電路 可畫出等效電路 cerebiebe uhihu ??ceoebfec uhihi ??由 + _ b e c + _ hfeib + _ hie ube ib hreuce 1/hoe ic uce 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎 EQbbiebe )1( IUrhr T??????rbe——晶體管的共射極 輸入電阻 圖中 + _ b e c + _ ? ib + _ rbe ube ib hreuce 1/hoe ic uce EQIUT ——晶體管的發(fā)射結(jié)
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