最齊全的模擬電子技術基礎參考(編輯修改稿)
2025-01-19 14:27 本頁面
【文章內容簡介】 的結構示意圖 雜質對半導體導電性的影響 摻入雜 質對本征半導體的導電性有很大的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下 : T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p =1010/cm31 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 2 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度 : n=51016/cm3雜質半導體簡化模型 PN結 PN結的形成 PN結的單向導電性 PN結的電容效應 PN結的形成 在一塊本征半導體兩側通過擴散不同的雜質 ,分別形成 N 型半導體和 P 型半導體。此時將在 N型半導體和 P 型半導體的結合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 多子的擴散運動 ?由 雜質離子 形成空間電荷區(qū) ? 空間電荷區(qū) 形成 內電場 ? 內電場促使少子漂移?內電場阻止多子擴散 最后多子 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 。對于 P型半導體和 N型半導體結合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū) 稱為 P N 結 , 在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。 圖 PN結的形成過程 （ 動畫 13） PN 結形成的過程可
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