模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-24(參考版)
2025-01-07 04:14本頁面
【正文】 ouiu BR CR????LRbiberbi?cib c e iiRi=RB//rbe?rbe= k? ??? k2Co RR上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2UCEQ=2 V = V ouiu BR CR????LRbiberbi?cib c e ii因?yàn)? LCQ ???????RI故 ]2,2min[ LCQCEQo p p ??? RIU上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 思 考 題 3. 能否增大 RC來提高共射極放大電路的電壓放大 倍數(shù)？設(shè) IB不變 ,當(dāng) RC過大時(shí)對(duì)放大電路的性能 有何影響？ 1. 共射極放大電路的電壓放大倍數(shù) Au是不是與 ? 成正比？ 2. 為什么說當(dāng) ?一定時(shí)通過增大 IE來提高共射極 放 大電路的電壓放大倍數(shù)是有限制的？試從 IC和 rbe兩方面來說明。 [解 ] (a) 畫出放大電路的直流通路 ou2CiuCCV?BR CR1C ??????TLR?[例 ] 在圖示電路中，已知 ： VCC=12 V， RC=2 k?，RB=360 k?； 晶體管 T為鍺管，其 , =? =60 , C1=C2=10 mF， RL=2 k?。 由圖可知 ouiu BR CR????TLRbiberbi?cib c e 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) beLrR??? ?ioUUAu ? bebi rIU ? )//( LCbo RRIU ??? LCCCCE RiVu ????式 M 直流負(fù)載線 交流負(fù)載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQI上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 交流負(fù)載線及放大電路波形分析 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 交流負(fù)載線的特點(diǎn) b. 經(jīng)過靜態(tài)工作點(diǎn) Qo M 直流負(fù)載線 交流負(fù)載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQIa. 斜率為 L1 R??c. 與橫軸的交點(diǎn)為 LCQCE Q RIU ??上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) e. 動(dòng)態(tài)范圍 (a) 比電路空載時(shí)小 M 直流負(fù)載線 交流負(fù)載線 P L/1 R??a?b?iC uCE O Qo N a b CEQUCCCC /VLCQCE Q RIU ??CQI),m i n (2 LCQC E SC E Qo p p RIUUU ????(c) 當(dāng)考慮 UCES時(shí)， (b) ],[min2 LCQCE Qo p p RIUU ???上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (2) 作圖繁瑣 圖解法的特點(diǎn) (1) 便于觀察 (4) 放大電路的一些性能指標(biāo)無法用圖解法求得 (3) 當(dāng)信號(hào)太 很小時(shí)無法作圖 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 微變等效電路法在放大電路動(dòng)態(tài)分析中的應(yīng)用 1． 晶體管的 H參數(shù)微變等效電路 (1) 晶體管線性化的條件 晶體管在小信號(hào)下工作 a. ΔiB與 Δ uBE 之間具有線性關(guān)系 b. β值恒定 (2) 晶體管可線性化的主要依據(jù) 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管共射極接法線性化原理 晶體管 – uce b e c NPN PNP 或 型 型 晶 管 體 + ic ube ib + – 線性二端口網(wǎng)絡(luò) 線 性 網(wǎng) 絡(luò) uce + –
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