存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件簡(jiǎn)介(編輯修改稿)
2025-01-20 20:55 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 入。 3/1/2023 10（（ 2）） RAM 的讀寫原理的讀寫原理 （以圖（以圖 8－－ 1為例）為例） 當(dāng) CS=０ 時(shí)， RAM被選中工作?！ ? 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示選中列地址為 A11A10A9A8=0000、行地址為A7A6A5A4A3A2A1A0=00000000的存儲(chǔ)單元。 此時(shí)只有 X0和 Y0為有效，則選中第一個(gè)信息單元的 k個(gè)存儲(chǔ)單元，可以對(duì)這 k個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿? 3/1/2023 11 若此時(shí)若此時(shí) R/W ＝＝ 1，則執(zhí)行，則執(zhí)行 讀讀 操作，將所選存儲(chǔ)單操作，將所選存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)送到元中的數(shù)據(jù)送到 I/O端上。端上。 若此時(shí) R/W=0 時(shí)，進(jìn)行 寫寫 入數(shù)據(jù)操作。 當(dāng) CS=1時(shí)，不能對(duì) RAM進(jìn)行讀寫操作，所有端均為 高阻態(tài)高阻態(tài) 。 3/1/2023 12 （ 3） RAM的存儲(chǔ)單元按工作原理分為： 靜態(tài)存儲(chǔ)單元 ：利用基本 RS觸發(fā)器存儲(chǔ)信息。保存的信息不易丟失。 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元 ：利用 MOS的柵極電容來存儲(chǔ)信息。由于電容的容量很小，以及漏電流的存在，為了保持信息，必須定時(shí)給電容充電，通常稱為 刷新 。 3/1/2023 132. 靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器 （（ SRAM）） 集成電路集成電路 6264簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介 采用 CMOS工藝制成，存儲(chǔ)容量為
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