數(shù)字電子技術(shù)第8章存儲器與可編程邏輯器件習(xí)題及答案(編輯修改稿)
2025-07-19 14:41 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 114（10244位的RAM）和38譯碼器組成40964位的存儲器8．７ 試用4片2114RAM連接成2K8位的存儲器。8．８ PROM實現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P8．8所示。（1） 分析電路功能，說明當(dāng)ABC取何值時，函數(shù)F1=F2=1；（2） 當(dāng)ABC取何值時，函數(shù)F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P8．88．９ 用PROM實現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。8．１０ 用PROM實現(xiàn)下列多輸出函數(shù)，畫出陣列圖。F1=++++ABDF2=++++F3=++++F4=8．１１ PAL器件的結(jié)構(gòu)有什么特點？8．１２ 描述PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別。8．１３ 任何一個組合邏輯電路都可以用一個PAL來實現(xiàn)嗎？為什么？8．１４ 選用適當(dāng)?shù)腜AL器件設(shè)計一個3位二進(jìn)制可逆計數(shù)器。當(dāng)X=0時，實現(xiàn)加法計數(shù)；當(dāng)X=1時，實現(xiàn)減法計數(shù)。8．１５ 為什么GAL能取代大多數(shù)的PAL器件？ 8．１６ 試用GAL16V8實現(xiàn)一個8421碼十進(jìn)制計數(shù)器。習(xí)題解答：8．1存儲器有哪些分類？各有何特點？（基本題，第4節(jié)）答：半導(dǎo)體存儲器可分類為：ROM、RAM和Flash存儲器。ROM屬于非易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失。ROM又可分為：掩膜ROM、PROM、EPROM和EEPROM。掩模ROM和PROM是一次性編程的，EPROM和EEPROM是可以重復(fù)編程的。掩模ROM、PROM和EPROM在正常工作時，所存數(shù)據(jù)是固定不變的，只能讀出，不能寫入。只有EEPROM在正常工作時所存數(shù)據(jù)是可以讀出，也可以寫入。RAM也稱為讀/寫存儲器，是易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。在正常工作時可以隨時讀出，也可以隨時寫入，因而使用靈活，讀寫方便。RAM分靜態(tài)（SRAM）和動態(tài)（DRAM）存儲器，它們的不同的特點是：DRAM需要刷新電路保存數(shù)據(jù)，而SRAM不需要。Flash閃存是理想的大容量、非易失性和可讀可寫的存儲器，且存儲速度較快，讀寫方便。所存數(shù)據(jù)在沒有電源的情況下可以無限定地保存下來。8．2 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們各適用于哪些場合？（基本題，第3節(jié)） 答：ROM和RAM的主要區(qū)別是：ROM屬于非易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失；而RAM是易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。 ROM通常用來存放不需要經(jīng)常修改的程序或數(shù)據(jù)，如計算機(jī)系統(tǒng)中的BIOS程序、系統(tǒng)監(jiān)控程序、顯示器字符發(fā)生器中的點陣代碼等。靜態(tài)RAM存儲電路由于MOS管較多，集成度不高，但不需要刷新電路，外部控制邏輯電路簡單，且存取速度比動態(tài)RAM快，因而通常用作微型計算機(jī)系統(tǒng)中的高速緩存(Cache)。動態(tài)RAM與靜態(tài)RAM相比，其基本存儲單元所用的MOS管少，存儲密度高、功耗低。但存取速度比靜態(tài)RAM慢，需要定時刷新。但由于DRAM的高存儲密度、低功耗及價格便宜等突出優(yōu)點，使之非常適用于在需要大容量的系統(tǒng)中用作主存儲器?，F(xiàn)代計算機(jī)均采用各種類型的DRAM作為可讀寫主存。8．３ 靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM在電路結(jié)構(gòu)和讀寫操作上有何不同？（基本題，第、3節(jié)） 答： SRAM和DRAM在電路結(jié)構(gòu)上的不同是：DRAM電路中有刷新電路，而SRAM沒有。這是因為DRAM電路是利用柵極電容保存信息的，而電容存在漏電效應(yīng)，為保證信息不因漏電丟失，所以必須定期對電路進(jìn)行刷新。SRAM和DRAM的讀/寫操作由片選信號、讀/寫信號（和輸出允許信號）控制。當(dāng)=0時，RAM為正常工作狀態(tài)，若=1，則執(zhí)行讀操作，存儲單元里的數(shù)據(jù)將送到輸入/輸出端上；若=0，則執(zhí)行寫操作，加到輸入/輸出端上的數(shù)據(jù)將寫入存儲單元；當(dāng)=1時，RAM的輸入/輸出端呈高阻狀態(tài)，即不能對RAM進(jìn)行讀/寫操作。所不同的是對于動態(tài)存儲器DRAM的每一次的讀/寫操作實質(zhì)上是對單管動態(tài)存儲電路信息的一次恢復(fù)或增強(qiáng)。8．4 說明Flash Memory有何特點和用途。它和其它存儲器比較有什么不同？（基本題，第4節(jié)）答：Flash Memory是一種具有較高存儲容量、較低價格、可在線擦除與編程的新一代讀寫存儲器，從基本工作原理上看，閃存屬于ROM型存儲器，但由于它又可以隨時改寫其中的信息，所以從功能上看，它又相當(dāng)于隨機(jī)存儲器RAM。從這個意義上說，傳統(tǒng)的ROM與RAM的界限和區(qū)別在閃存上已不明顯。它的這些獨特性能使其廣泛應(yīng)用于包括嵌入式系統(tǒng)、儀器儀表、汽車器件以及數(shù)碼影音產(chǎn)品中。 Flash Memory和其它存儲器比較其不同點可通過下表體現(xiàn)：內(nèi)存類型非易失性高密度一個晶體管單元系統(tǒng)內(nèi)部寫能力閃存是是是是SRAM不是不是不是是DRAM不是是是是ROM是是是不是EPROM是是是不是EEPROM是不是不是是8．5 某臺計算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存儲器設(shè)置有20位的地址線，16位的并行輸入/輸出端，試計算它的最大存儲容量？ （基本題，第1節(jié)） 答：它的最大存儲容量為：22016位=1M16位I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1…A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1…A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O321
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