ic芯片封裝流程(編輯修改稿)
2025-01-17 21:45 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ?EMC（塑封料）為黑色塊狀，低溫存儲，使用前需先回溫。其特 性為：在高溫下先處于熔融狀態(tài)，然后會逐漸硬化，最終成型。 ?Molding參數(shù)： Molding Temp： 175~185176。 C； Clamp Pressure： 3000~4000N； Transfer Pressure： 1000~1500Psi； Transfer Time： 5~15s； Cure Time： 60~120s； Cavity L/F L/F EOL– Molding（注塑） Molding Cycle L/F置于模具中，每個 Die位于 Cavity中，模具合模。 塊狀 EMC放入模具孔中 高溫下， EMC開始熔化，順著軌道流向 Cavity中 從底部開始，逐漸覆蓋芯片 完全覆蓋包裹完畢，成型固化 EOL– Laser Mark（激光打字） 在產(chǎn)品（ Package）的正面或者背面激光刻字。內(nèi)容有：產(chǎn)品名稱，生產(chǎn)日期，生產(chǎn)批次等； Before After EOL– Post Mold Cure（模后固化） 用于 Molding后塑封料的固化，保護 IC內(nèi)部結構，消除內(nèi)部應力。 Cure Temp： 175+/5176。 C； Cure Time： 8Hrs ESPEC Oven 4hrs EOL– Deflash（去溢料） Before After 目的： Deflash的目的在于去除 Molding后在管體周圍 Lead之間 多余的溢料； 方法：弱酸浸泡，高壓水沖洗； EOL– Plating（電鍍） Before Plating After Plating ? 利用金屬和化學的方法，在 Leadframe的表面 鍍上一層鍍層，以防止外界環(huán)境的影響（潮濕 和熱）。并且使元器件在 PCB板上容易焊接及 提高導電性。 ? 電鍍一般有兩種類型： PbFree：無鉛電鍍，采用的是 %的高純 度的錫（ Tin），為目前普遍采用的技術，符合 Rohs的要求； TinLead：鉛錫合金。 Tin占 85%， Lead占 15%，由于不符合 Rohs，目前基本被淘汰； EOL– Post Annealing Bake（電鍍退火） 目的： 讓無鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一段時間，目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長（ Whisker Growth）的問題 。 條件： 150+/5C。 2Hrs； 晶須 晶須，又叫Whisker，是指錫在長時間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長出的一種須狀晶體，可能導致產(chǎn)品引腳的短路 。 EOL– TrimForm（切筋成型） Trim：將一條片的 Lead Frame切割成單獨的 Unit（ IC）的過程； Form：對 Trim后的 IC產(chǎn)品進行引腳成型，達到工藝需要求的形狀， 并放置進 Tube或者 Tray盤中； EOL– TrimForm（切筋成型） Cutting Tool Forming Punch Cutting Die Stripper Pad Forming Die 1 2 3 4 EOL– Final Visual Inspection（第
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1