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正文內(nèi)容

多芯片封裝技術(shù)及其應(yīng)用(編輯修改稿)

2025-08-10 14:56 本頁面
　

【文章內(nèi)容簡介】 條件是必須精確定義所需的可靠性等級。 圓片背面減薄技術(shù)MCP可內(nèi)置疊層的芯片數(shù)量在迅速增加，內(nèi)含四個、五個、甚至八個芯片，產(chǎn)品化在1mm封裝高度下內(nèi)置五個芯片，開發(fā)出內(nèi)置9個芯片疊層的產(chǎn)品，計劃2005年可內(nèi)置的芯片數(shù)為10個，2006年為11個。每塊MCP器件內(nèi)置芯片數(shù)量越多，其封裝高度也隨之增加，為解決這一矛盾，研發(fā)MCP過程中，必須將電路層制作完后的圓片背面減薄瘦身，再劃片為單個芯片，MCP化。目前的減薄方法主要有超精密磨削、化學(xué)機(jī)械拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、常壓等離子腐蝕、干式拋光等技術(shù)，提高圓片背面減薄加工效率，減小其表面和亞表面損傷，減緩或避免圓片翹曲變形，機(jī)械研磨減薄一般在150μm左右，等離子刻蝕方法可達(dá)100μm。，5～6層疊片的MCP一般要求芯片減薄到85μm左右，如果是9片疊層的話，芯片厚度為70μm，小于50μm的減薄技術(shù)已在研發(fā)中。今后，圓片背面減薄趨向20～30μm的極限厚度，圓片越薄，其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應(yīng)力也越小。 再分布隱埋層RDL技術(shù)再分布隱埋層RDL技術(shù)可重新安排壓焊點到芯片讓任何合理的位置，這一技術(shù)包括單層鋁、單層或多層銅的金屬鍍層選擇以及多層薄膜RDL，多層薄膜RDL允許四層設(shè)計和重新分配。采用RDL技術(shù)，芯片中心的壓焊點可被重新分配到芯片的周邊、兩側(cè)或任何一側(cè)。通過這種變化，設(shè)計師可更加靈活地考慮封裝方面的芯片放置，比如，芯片可分別以垂直層疊、交錯層疊，并排層疊的方式排列。 隔片技術(shù)生產(chǎn)廠商追求的終極MCP就是在既定的安裝高度與內(nèi)置芯片數(shù)量前提下，可任意組合疊層的芯片。為實現(xiàn)此目標(biāo)，采用無功能的超薄柔性隔片（Dummychip），確保芯片間空隙，滿足芯片布線要求。9片疊層MCP中，3層是隔片，其他的6層才有功能。目前，MCP可做到基帶處理芯片和閃存、SRAM疊層，開發(fā)在樹脂層中埋入金屬引線工藝，替代隔片，縮小近一半間隔距離，設(shè)立如何解決大規(guī)模邏輯芯片和其他存儲芯片MCP化課題。 低弧度引線鍵合當(dāng)芯片減薄厚度小于100μm左右時，要求引線鍵合弧度高必須小于這一數(shù)字，采用25μm金絲的正常鍵合弧高為125μm，使用反向引線鍵合優(yōu)化工藝后，可以達(dá)到75μm以下的弧高。與此同時，反向引線鍵合技術(shù)要增加一個打彎工藝，保證不同鍵合層的間隙。 鍵合引線無搖動技術(shù)鍵合引經(jīng)密度增高、長度延伸、形狀更復(fù)雜時，會增加短路的可能性。
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