【總結(jié)】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測(cè)試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測(cè)試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測(cè)試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】實(shí)驗(yàn)一認(rèn)識(shí)常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備和集成電路,邏輯筆實(shí)驗(yàn)與分析?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.熟悉門電路應(yīng)用分析。?2.熟悉實(shí)驗(yàn)箱各部分電路的作用。?3.掌握通信邏輯筆的制作和使用,對(duì)高、低電平、脈沖串的信號(hào)建立相應(yīng)的概念。?4.學(xué)會(huì)用門電路解決實(shí)際問題。二、實(shí)驗(yàn)儀器及材料?數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)箱以及各種集
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)綜合技術(shù)SynthesisTechnologyforICDesign任課教師:周莉聯(lián)系電話:13006592410E-mail:QQ:12571094562教學(xué)目標(biāo)?熟練掌握Verilog語(yǔ)法與RTL設(shè)計(jì)方法?熟練掌握綜合的基本概念?熟練掌握時(shí)序基本概念
2025-03-23 00:04
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形,大大簡(jiǎn)化了電路和設(shè)計(jì)成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。
2025-05-10 21:38
【總結(jié)】一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級(jí)硅),英文簡(jiǎn)稱(GSG),有時(shí)也被稱為(電子級(jí)硅)。2.單晶硅生長(zhǎng)常用(CZ法)和(區(qū)熔法)兩種生長(zhǎng)方式,生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為(硅錠)。3.晶圓的英文是(wafer),其常用的材料是(硅)和(鍺)。4.晶圓制
2025-03-26 05:14
【總結(jié)】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】可行性研究報(bào)告2013-152/53第一章項(xiàng)目概論一、項(xiàng)目名稱及承辦單位1、項(xiàng)目名稱:集成電路封裝生產(chǎn)項(xiàng)目2、項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì):新建3、項(xiàng)目承辦單位:****投資咨詢有限公司4、企業(yè)類型:有限責(zé)任公司二、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告委托編制單位編制單位:****投資咨詢有限公司三、可行性研究的目的本可行性研究報(bào)告對(duì)
2025-05-11 12:07
【總結(jié)】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)3?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]:運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路,它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號(hào)的加法、減法積分和微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便,把運(yùn)放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長(zhǎng)?外延生長(zhǎng)為在單晶襯底(基片)上生長(zhǎng)一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長(zhǎng)外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
【總結(jié)】555定時(shí)器及其應(yīng)用555定時(shí)器用555定時(shí)器組成施密特觸發(fā)器用555定時(shí)器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時(shí)器組成多諧振蕩器555定時(shí)器是一種應(yīng)用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號(hào)的產(chǎn)生、變換、控制與檢測(cè)。555定時(shí)器及其應(yīng)用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-05 18:18
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第十講CMOS集成電路工藝技術(shù)內(nèi)容(一)CMOS工藝概述(二)2umP阱硅柵CMOSIC工藝流程(三)先進(jìn)CMOSIC工藝(四)BiCMOS(五)功率MOSFET(六)BCD(一)CMOS工藝概述?MOSFET的開啟電壓?CMOS倒相器?CMOS結(jié)構(gòu)中的阱?LOCOS技術(shù)MOSFE
2025-01-06 18:46