北科大電子技術(shù)第14章(編輯修改稿)
2025-01-17 02:54 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 3. a) V陽(yáng) V陰 → 導(dǎo)通 V陽(yáng) V陰 → 截止 b) UD 0 → 導(dǎo)通 UD 0 → 截止(1438)二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RLui uouiuott二極管的應(yīng)用舉例例例 1：： 二極管半波 整流(1439)例例 2：： 二極管的 檢波 應(yīng)用R RLuI uR uOP11：例 uR： R和 C構(gòu)成微分電路tttuIuRuOt1 t2作用：除去正尖脈沖(1440)例例 3：： 已知：管子為鍺管， VA = 3V， VB = 0V。 導(dǎo)通壓降 為 ， 試求： VY = ?方法：先判二極管誰(shuí)優(yōu)先導(dǎo)通， 導(dǎo)通后二極管起嵌位作用 兩端壓降為定值。因： VA VB故： DA優(yōu)先導(dǎo)通 DB截止若： DA導(dǎo)通壓降為 則： VY = 解：P12：例 DA12VVAVB VYDBR作用：鉗位(1441)ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui ≤ 8V，二極管截止，可看作開(kāi)路，二極管截止，可看作開(kāi)路 uo = ui已知：已知： 理想二極管，畫(huà)出理想二極管，畫(huà)出 uo 波波形。形。8V例例 4：：二極管的用途：二極管的用途： 整流、檢波、鉗位、限幅、開(kāi)關(guān)、元件保整流、檢波、鉗位、限幅、開(kāi)關(guān)、元件保護(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)取Ｗo(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)取i18V參考點(diǎn)參考點(diǎn)二極管陰極電位為二極管陰極電位為 8 VD8VRuoui+ +– –(1442)例例 5：： 已知：管子為鍺管， VA = 3V， VB = 0V。 導(dǎo)通壓降 為 ， 試求： VY = ?方法：先判二極管誰(shuí)優(yōu)先導(dǎo)通， 導(dǎo)通后二極管起嵌位作用 兩端壓降為定值。因： VA VB故： DB 優(yōu)先導(dǎo)通 DA截止若： DB導(dǎo)通壓降為 則： VY = 解：P12：例 DAVAVBDBVY+12VR(1443)FD1D2AB12V例例 6：：設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降為 。(1444)FD1D2AB+12V例例 7：：設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降為 。(1445)例例 5：： 已知：管子為鍺管， VA = 3V， VB = 0V。 導(dǎo)通壓降 為 ， 試求： VY = ?方法：先判二極管誰(shuí)優(yōu)先導(dǎo)通， 導(dǎo)通后二極管起嵌位作用 兩端壓降為定值。因： VA VB故： DB 優(yōu)先導(dǎo)通 DA截止若： DB導(dǎo)通壓降為 則： VY = 解：P12：例 DAVAVBDBVY+12VR(1446)FD1D2AB12V例例 6：：設(shè)二極管的導(dǎo)通壓降為 。(1447)符號(hào) UZIZIZM?UZ?IZ伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時(shí)，需加反向電壓，工作于反向擊穿區(qū)。穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓原理： 穩(wěn)穩(wěn) 壓管反向擊穿壓管反向擊穿以后，電流變化很以后，電流變化很大，但其兩端電壓大，但其兩端電壓變化很小。變化很小。_ +UIO167。 穩(wěn)壓二極管曲線越陡電壓越穩(wěn)_+_ +(1448)UZIZIZM?UZ?IZ伏安特性 穩(wěn)壓管反向擊穿是可逆的，當(dāng)去掉反向電壓后，穩(wěn)壓二極管恢復(fù)正常。 使用時(shí)要加限流電阻，穩(wěn)壓二極管在電路中可以起到穩(wěn)壓作用。 反向電流超過(guò)允許反向電流超過(guò)允許范圍時(shí)穩(wěn)壓二極管會(huì)范圍時(shí)穩(wěn)壓二極管會(huì)發(fā)生過(guò)熱擊穿而損發(fā)生過(guò)熱擊穿而損壞。壞。UIO曲線越陡電壓越穩(wěn)_+_ +注意：注意：(1449)(1) 穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管正常工作 (反向擊穿 )時(shí)管子兩端的電壓。(2) 電壓溫度系數(shù) ?U 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)，環(huán)境溫度每 變化 1?C引起 穩(wěn)壓值變化的 百分?jǐn)?shù) 。(3) 動(dòng)態(tài)電阻(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM(5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZMrZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) : _+UZ (1450)例例 1：： 已知： Uz = 12V， IZM = 18mA， R = 。 試求： Iz = ? 限流電阻 R 的阻值是否合適？解： Iz = ( 20 – Uz ) / R = ( 2012 ) / = 5mA因： IZ IZM故：限流電阻 R 的阻值合適P14：例 +IZDZ+20VR=?UZ=12VIZM=18mA_+(1451)負(fù)載電阻：例例 2：： 穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù) :uoiZDZRiLiui RL解： uimax = → 流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為 IZmax試求：限流電阻 R 和輸入電壓 ui 的正常值。要求： ui 發(fā)生 ?20% 波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。(1452)uoiZDZRiLiui RL聯(lián)立方程 ① 、 ② 可解得：uimin = → 流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為 IZmin(1453)167。 晶體管(a) 金屬圓殼封裝三極管 (b) 塑料封裝三極管 (c) 大功率三極管 常見(jiàn)晶體管外形圖(1454) 基本結(jié)構(gòu)常見(jiàn)：硅管主要是平面型，鍺管都是合金型(a)平面型 (b)合金型B EP型硅 N型硅SiO2保護(hù)膜銦球N型鍺N型硅CBECPP銦球晶體管結(jié)構(gòu)圖(1455)NPN型晶體管 PNP型晶體管發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)集電結(jié)集電結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)基極基極發(fā)射極發(fā)射極 集電極集電極CE N NPB 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)集電結(jié)集電極集電極發(fā)射極發(fā)射極基極基極CE P PNBNNCEB PCETBIBIEIC符號(hào)BECPPNETCBIBIEIC符號(hào)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖(1456)基區(qū)：最
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