【文章內(nèi)容簡介】 觸型半導(dǎo)體硅二極管 　　 穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū)(a)穩(wěn)壓管符號 (b) 穩(wěn)壓管伏安特性+I/mAU/VO+ ?正向? +反向?U?I圖 116　穩(wěn)壓管的伏安特性和符號 穩(wěn)壓管的參數(shù)主要有以下幾項： 1. 穩(wěn)定電壓 VZ 穩(wěn)壓管被反向擊穿后，在規(guī)定電流值時，管子兩端的反 向擊穿電壓。 4. 動態(tài)電阻 rZ 穩(wěn)壓管處于反向擊穿時，管子兩端電壓變化量與電 流變化量的比值。 3. 穩(wěn)定電流 IZ 測定 VZ時所規(guī)定的參考穩(wěn)定電流值。? 穩(wěn)壓管 5. 溫度系數(shù) ?V 反映穩(wěn)定電壓 VZ受溫度影響大小的參數(shù)rZ大好還是小好 ? 2. 額定功率 PZM 由最高允 許結(jié) 溫所限定的功率參數(shù)。1. 若輸入電壓為正弦信號，請畫出以下電路的輸出電壓波形思考題2. 當(dāng) vi1和 vi2的值為 0V或 5V時 ,求 vi1和 vi2的值不同組合情況下，輸出電壓 vo的值。設(shè)二極管是理想的。理想模型 恒壓模型5V6sinωtD1 D2D D2為硅管3. 二極管電路如圖所示，試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出 AO兩端電壓 VAO。設(shè)二極管是理想的。(a) (b) (c) (d)4. 穩(wěn)壓管 DZ的穩(wěn)定電壓VZ=8V，限流電阻 R=3kΩ，設(shè)vi=15sinωtV，試畫出 vO的波形。內(nèi)容回顧半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體兩種載流子電子和空穴摻入 5價元素施主雜質(zhì)失去電子后留下帶正電的離子摻入 3價元素受主雜質(zhì)得到電子后留下帶負(fù)電的離子多子：空穴少子：電子多子：電子少子：空穴N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體PN結(jié)1. 擴散運動 多子的運動，產(chǎn)生內(nèi)電場，阻礙擴散運動。2. 漂移運動 少子在內(nèi)電場作用下的運動，削弱內(nèi)電場， 使擴散運動容易進行無外加電場時擴散運動和漂移運動處于平衡狀態(tài)外加正向偏壓（ P N）時PN結(jié)正向?qū)?，由擴散運動產(chǎn)生正向電流 IF外加反向偏壓（ P N）時PN結(jié)反向截止，由漂移運動產(chǎn)生反向飽和電流 IS I ? IS反向偏壓繼續(xù)增加 電擊穿（可逆），熱擊穿（不可逆）N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體二極管死區(qū)電壓反向擊穿電壓vDiD0 vDiD0vDiD0 vD0iDvDiDVDID Q理想模型 恒壓降模型折線模型 小信號模型　穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū)I/mAU/VO+ ?正向? +反向?U?I動態(tài)電阻rZ小的管子穩(wěn)壓性能較好第二部分 半導(dǎo)體三極管? BJT的結(jié)構(gòu)簡介? BJT的電流分配與放大作用? BJT的特性曲線? 半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管 (Bipolar Junction Transistor: BJT)是指通過一定的工藝，將兩個 PN結(jié)結(jié)合在一起的器件。圖 117 半導(dǎo)體三極管器件P PNN NP(1) NPN 型 BJT(2) PNP 型 BJT圖 118 NPN型 BJT的結(jié)構(gòu)示意圖? 發(fā)射區(qū)比集電區(qū)的摻雜濃度高? 集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏收集電子發(fā)射結(jié) 集電結(jié)EBC發(fā)射電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)內(nèi)的多數(shù)載流子電子不斷通過發(fā)射結(jié)擴散到基區(qū)，形成發(fā)射級電流 IE。 另外，基區(qū)的空穴也擴散到發(fā)射區(qū)，但由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠高于基區(qū)，這部分空穴流與電子流相比可忽略不計。VEE VCCIE發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(2) 電子在基區(qū)中的擴散與復(fù)合 由發(fā)射區(qū)來的電子注入基區(qū)后，就在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的邊界積累起來，在基區(qū)中形成一定的濃度梯度。因此，電子就要向集電結(jié)方向擴散，在擴散過程中又會與基區(qū)中的空穴復(fù)合。VEE VCCIE發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(2) 電子在基區(qū)中的擴散與復(fù)合 同時， VEE的正端不斷從基區(qū)拉走電子。電子復(fù)合的數(shù)目與電源從基區(qū)拉走的電子數(shù)目相等，使基區(qū)的空穴濃度保持不變。這樣就形成了基極電流 IB，所以基極電流就是電子在基區(qū)與空穴復(fù)合的電流。VEE VCCIEIB發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(2) 電子在基區(qū)中的擴散與復(fù)合 也就是說，注入基區(qū)的電子有一部分未到達集電結(jié)，如復(fù)合越多，則到達集電結(jié)的電子越少，對放大是不利的。所以為了減小復(fù)合，通常把基區(qū)做的很?。ㄎ⒚琢考墸⑹够鶇^(qū)的摻雜濃度很低，使大部分電子都能到達集電極。VEE VCCIEIB發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏發(fā)射電子 收集電子? 管內(nèi)載流子的傳輸發(fā)射結(jié) 集電結(jié)(3) 集電極收集擴散過來的電子 由于集電結(jié)反偏，集電結(jié)的勢壘很高，集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴很難通過集電結(jié)。但是這個勢壘對基區(qū)擴散到集電結(jié)邊緣的電子卻有很強的吸引力，可使電子很快地漂移過集電結(jié)為集電區(qū)所收集，形成集電極電流 IC。VEE VCCIEIBIC發(fā)射電子思考：PNP型 BJT應(yīng)該如何連接？NPN型VCVBVE VCVBVEIE的方向由管內(nèi)流向管外IE的方向由管外流進管內(nèi)? |VBVE|的值較小，一般硅管 取 ~，鍺管取 ~? 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏PNP型? 電流分配關(guān)系(2) 根據(jù) KCL， iE