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正文內(nèi)容

[理學(xué)]模擬電子技術(shù)第1章(編輯修改稿)

2025-01-04 00:55 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 區(qū),空間電荷區(qū)內(nèi)缺少載流子,結(jié)內(nèi)阻率很高,因此 PN結(jié)是個高阻區(qū) ,結(jié)內(nèi)載流子很少所以又叫耗盡層。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 2. PN結(jié)的導(dǎo)電特性 ( 1) PN結(jié)外加正向電壓 ( 2) PN結(jié)外加反向電壓 ( 3) PN結(jié)擊穿特性 跳轉(zhuǎn)到第一頁 ( a ) 外 加 正 向 電 壓自 建 場IF+ -RU圖 PN結(jié)單向?qū)щ? 空間電荷 區(qū)變窄 P N ( 1) PN結(jié)外加正向電壓 跳轉(zhuǎn)到第一頁 擴散結(jié)果是在 P區(qū)積累大量電子, N區(qū)積累大量的空穴。大量電子不斷向 P區(qū)擴散并與 P區(qū)中的多數(shù)載流子空穴復(fù)合而消失;大量空穴不斷向 N區(qū)擴散并與 N區(qū)中的多數(shù)載流子電子復(fù)合而消失。為保持 P區(qū)和 N區(qū)體內(nèi)的電中性, P區(qū)和 N區(qū)中因復(fù)合而損失的多數(shù)載流子必須由電源來補充 ,這就是在外加正向電壓作用下,空穴擴散電流和電子擴散電流流通的過程。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 由于電子和電荷是帶異號電荷的 , 所以實際上空穴擴散電流 IFP 和電子擴散電流 IFN 的方向相同 , 都是由 P區(qū)指向 N區(qū) , 總擴散電流 IF等于空穴擴散電流與電子擴散電流之和 。 IF = IFP + IFN 當外加電壓升高時 , 耗盡層中內(nèi)電場被進一步削弱 , 擴散作用更占優(yōu)勢 , 因而正向電流隨正向電壓升高而迅速增大 。 由于多數(shù)載流子的濃度較大 , 當外加電壓不太高時 , 就可以形成擴散電流 , 所以 PN結(jié)的正向電阻較小 。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 ( 2) PN結(jié)外加反向電壓 如果給 PN結(jié)外加一個反向電壓也叫反向偏置,即外電源正極接 N區(qū),負極接 P區(qū),如圖 ( b)所示。這時,外電場 EF與內(nèi)電場 Ei的方向一致,加強了空間電荷區(qū)的電場強度。耗盡層的厚度比平衡時加寬,使多數(shù)載流子的擴散運動更難進行。 PN結(jié)加反向電壓使空間電荷區(qū)的電場加強,更加有利于少數(shù)載流子的漂移運動。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 P區(qū)的少數(shù)載流子 — 電子在電場作用下到達N區(qū),形成電子漂移電流 IRN。同樣 N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向 P區(qū)漂移形成空穴漂移電流 IRP。總的漂移電流為 IR = IRN + IRP 由于少數(shù)載流子的濃度很小,即是它們?nèi)科?,其總漂移電流還是很小的,所以外加反向電壓時, PN結(jié)的反向電阻很大。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 圖 PN結(jié)單向?qū)щ? 空間電荷區(qū)寬 P N ( b ) 外加反向電壓 I F + R U E F E i 跳轉(zhuǎn)到第一頁 當反向電壓達到一定數(shù)值時,由于外電場過強,會使反向電流急劇增加,稱為電擊穿。此時對應(yīng)的反向電壓值稱為擊穿電壓,發(fā)生擊穿后,只要反向電壓略有增加,就會使反向電流急劇增大。 跳轉(zhuǎn)到第一頁 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù) 二極管的檢測 跳轉(zhuǎn)到第一頁 在 PN結(jié)的 P區(qū)和 N區(qū)分別用引線引出,P區(qū)的引線稱為陽極, N區(qū)的引線稱為陰極(或負極),將 PN結(jié)用外殼封裝起來,便構(gòu)成了晶體二極管,其結(jié)構(gòu)和圖形符號如圖 。二極管文字符號用字母D表示,圖形符號中箭頭所指的方向是正向?qū)ǖ姆较颉? 跳轉(zhuǎn)到第一頁 陰 極 引 線陽 極 引 線二 氧 化 硅 保 護 層P 型 硅N 型 硅( c ) 平 面 型金 屬 觸 絲陽 極 引 線N 型 鍺 片陰 極 引 線外 殼( a ) 點 接 觸 型鋁 合 金 小 球N 型 硅陽 極 引 線P N 結(jié)金 銻 合 金底 座陰 極 引 線( b ) 195。 230。 189。 211。 180。 165。 208。 205。陰 極陽 極( d ) 符 號圖 二極管的結(jié)構(gòu)和符號 跳轉(zhuǎn)到第一頁 陰 極 引 線陽 極 引 線二 氧 化 硅 保 護 層P 型 硅N 型 硅( c ) 平 面 型金 屬 觸 絲陽 極 引 線N 型 鍺 片陰 極 引 線
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