模擬電子技術(shù)第五章場效應(yīng)管及其放大電路(編輯修改稿)
2025-01-16 05:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ds 用以描述漏源電壓 vDS 對漏極電流 iD的影響，相當(dāng)于漏極特性上某點切線斜率的倒數(shù)。飽和區(qū)輸出電阻很大，一般為幾十到幾百千歐。三、極限參數(shù)3. 最大漏源電壓 V(BR)DS 指發(fā)生雪崩擊穿時，漏極電流 iD急劇上升時的 vDS。與 vGS有關(guān)。4. 最大柵源電壓 V(BR)GS 指 PN結(jié)電流開始急劇增大時的 vGS。1. 最大漏極電流 IDM 指管子正常工作時漏極電流允許的上限值。2. 最大耗散功率 PDM 由 PDM= VDS ID決定，在管子內(nèi)部將變成熱能，使管子的溫度升高，為了使管子溫度不致升的太高，限制其耗散功率不能超過 PDM。 MOSFET放大電路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算2. 小信號模型分析* 帶 PMOS負載的 NMOS放大電路3. MOSFET 三種基本放大電路比較1 簡單的共源極放大電路一、靜態(tài)工作點的計算注意：通過判斷 VDS是否大于 VGSVT，來確定管子工作在飽和區(qū)還是可變電阻區(qū)。當(dāng) VGSVT，管子截止。例題 : 電路如圖所示，設(shè) Rg1=60kΩ， Rg2=40kΩ， Rd=15kΩ，VDD=5V， VT=1V， Kn=。試計算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓 VDSQ。假設(shè)工作在飽和區(qū) (放大區(qū)）滿足解：2 帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路靜態(tài)工作點的計算射極電阻也具有穩(wěn)定靜態(tài)工作點例題 : 電路如圖所示，設(shè) VT=1V， Kn=500μA/V2， VDD=5V， VSS=5V， Rd=10kΩ， R=， ID=。若流過 Rg1 和 Rg2的電流是 ID的 1/10，試確定 Rg1和 Rg2的值。例題 : 電路如圖所示，由電流源提供偏置（可由其它 MOS管構(gòu)成）。設(shè)NMOS管的參數(shù)為 Kn=160μA/V2， VT=1V， VDD=VSS=5V， IDQ=， VDQ=。試求電路參數(shù)。靜態(tài)時， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ IVS ＝ VG － VGS （飽和區(qū)） VDS ＝ VD － VS =VDD－ IDRD－ VS 二、小信號模型產(chǎn)生諧波或非線性失真漏極信號電流λ= 0 λ≠ 0例題 : 電路如圖所示， 設(shè) VDD=5V， Rd=， VGS=2V， VT=1V，Kn=， λ=。 試當(dāng)管工作在飽和區(qū)時，試確定電路的小信號電壓增益。共源極放大電路例題 : 電路如圖所示，設(shè) Rg1=150kΩ， Rg2=47kΩ， VT=1V， Kn=500μA/V2， λ=0， VDD=5V， VSS=5V， Rd=10kΩ， R=， Rs=4kΩ。求電路的電壓增益和源電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。例題 : 電路如圖所示，耦合電容對信號頻率可視為交流短路，場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)， rds很大，可忽略。試畫出小信號等效電路，求出輸入電阻、小信號電壓增益、源電壓小信號增益和輸出電阻 。共漏極放大電路（源極跟隨器）3. MOSFET 三種基本放大電路比較 ()共源極放大電路共漏極放大電路 (源極輸出器）共柵極放大電路 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 J
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