第五章-核磁共振碳譜(編輯修改稿)
2024-09-12 00:11 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 1） ?C的化學(xué)位移與 1H的化學(xué)位移標(biāo)度方法時(shí)一致；（ 2） 直接反映所觀(guān)察核周?chē)幕鶊F(tuán)、電子的分布情況，其值與核所受屏蔽作用的大小有關(guān)；（ 3） 內(nèi)標(biāo) ?C(TMS) = 0, 溶劑（氘代試劑）的?C的化學(xué)位移經(jīng)常作為第二個(gè)參考標(biāo)度。 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 1） 碳原子的軌道雜化sp3雜化 ： ?C 0~60， 處于較高場(chǎng) 。 CH3CH2CH季 Csp雜化 ： ?C 60~90， 處于中間場(chǎng) 。 三重鍵使去屏蔽效應(yīng)降低，比 sp2雜化的 碳處于較高場(chǎng)。sp2雜化 ： ?C 100~220， 處于低場(chǎng) C=C的碳處于較低場(chǎng) ?C=100~160， C=O的碳處于最低場(chǎng) ?C=160~220。 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 2） 碳核周?chē)碾娮釉泼芏? 碳核外電子云密度越大，屏蔽效應(yīng)越強(qiáng)， ?C移向高場(chǎng)； 碳負(fù)離子出現(xiàn)在高場(chǎng)，碳正離子出現(xiàn)在低場(chǎng) 。 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 3） 誘導(dǎo)效應(yīng)誘導(dǎo)效應(yīng)使 ?C信號(hào)向低場(chǎng)位移，對(duì) aC影響較大，對(duì) bC和 gC影響較小。 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 4） 共軛效應(yīng) 共軛效應(yīng)降低了重鍵的鍵級(jí)，使電子在共軛體系中的分布不均勻，導(dǎo)致 ?C向低場(chǎng)或高場(chǎng)位移。 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 5） 空間效應(yīng) 空間上接近的碳上 H之間的斥力作用使相連碳上的電子云密度有所增加，從而增大屏蔽效應(yīng)，化學(xué)位移移向高場(chǎng)。（鄰位交叉效應(yīng)）空間位阻使共軛程度降低，?C移向低場(chǎng)。順式 反式 影響化學(xué)位移 ?C的因素（ 6） 分子內(nèi)氫鍵 鄰羥基苯甲醛及鄰羥基苯乙酮分子內(nèi)可形成氫鍵，使羰基碳上的電子云密度降低，從而增大去屏蔽效應(yīng)，化學(xué)位移移向低場(chǎng)。 有機(jī)化合物重要基團(tuán) 13C的化學(xué)位移 ?的范圍 常用溶劑的 13C化學(xué)位移及裂分 13CNMR譜的解析 一般程序216。 根據(jù)質(zhì)譜數(shù)據(jù)或其它方面的數(shù)據(jù)求出分子式，由此計(jì)算出化合物的不飽和度。216。 對(duì)于質(zhì)子噪聲去偶碳譜，當(dāng)譜線(xiàn)數(shù)目與分子式中碳原子數(shù)目相等時(shí)， 分子無(wú)對(duì)稱(chēng)性 ；當(dāng)譜線(xiàn)數(shù)目小于分子式中碳原子數(shù)目時(shí)， 分子有一定的對(duì)稱(chēng)性 ；如果分子中碳原子數(shù)目較多，應(yīng)考慮到不同碳原子的 ?C值有可能偶合重合。216。 通過(guò)偏共振去偶譜分析每種化學(xué)環(huán)境不同的碳直接相連的質(zhì)子的數(shù)目，從而判別出伯、仲、叔、
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1