基于tanner-pro軟件的反相器設計與仿真(編輯修改稿)
2025-09-05 15:18 本頁面
【文章內容簡介】 利用TSpice進行仿真，首先編寫TSpice仿真語句，如圖6所示。圖6 TSpice電路原理圖仿真語句 然后開始仿真并顯示，仿真結果如圖7所示。圖7 電路原理圖仿真結果 。 反相器的版圖設計與仿真 打開LEdit軟件，如圖7所示。圖7 LEdit軟件開啟界面 不需要新建文件。首先設置Layout1的設計Grid。本次設計的Grid設置如圖8所示。圖8 設計網格的設置1. 繪制PMOS管有源區(qū)和柵極選用標尺，、。在layer窗口選擇Active,用矩形畫圖工具繪制一個覆蓋標尺矩形的有源區(qū)。然后選擇poly,、。多晶硅poly與nactive有源區(qū)交叉覆蓋的位置即為PMOS的溝道。繪制好的PMOS管圖形如圖9所示。圖9 PMOS管圖形 繪制有源區(qū)接觸孔contact。在layer窗口選擇Active contact，在年active區(qū)poly 。 ，畫兩個包圍接觸孔的矩形，如圖10所示。圖10 繪制金屬1 在layer窗口選擇pselect，繪制一個矩形。如圖11所示。圖11 繪制pselect區(qū)域 PMOS管必須在N阱中制作，從而使PMOS管和P型襯底隔離。在繪制N阱之前先繪制阱接觸。選擇Active。按照前面有源區(qū)繪制接觸孔的方法，在該有源區(qū)中繪制一個接觸孔（阱接觸孔），接著在layer窗口選擇年nselect，繪制一個包圍新Active區(qū)的nselect矩形，如圖12所示圖12繪制阱接觸、nselect區(qū)域 接著選擇nwell繪制N阱，繪制一個矩形，如果13所示。至此，PMOS管繪制完畢。圖13 繪制N阱 按照同樣的方法繪制NMOS管，本次設計中采用在LEdit軟件復制已有的PMOS管，修改其select類型，去除N阱來完成NMOS管的繪制。繪制好的NMOS管如圖14所示。
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