xps材料分析方法(編輯修改稿)
2024-08-31 22:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 荷密度的改變必將對(duì)內(nèi)層軌道電子結(jié)合能產(chǎn)生一定的影響。 （通常正電荷其結(jié)合能高于自由原子的結(jié)合能，化學(xué)位移為正，反之，得到負(fù)電荷，化學(xué)位移為負(fù)） 結(jié)合能位移可表示成 ΔEBA =ΔEVA+ΔEMA ΔE VA表示分子 M中 A原子本身價(jià)電子的變化對(duì)化學(xué)位移的貢獻(xiàn)； ΔE MA則表示分子 M中其它原子的價(jià)電子對(duì) A原子內(nèi)層電子結(jié)合能位移的貢獻(xiàn) 化學(xué)位移與元素電負(fù)性的關(guān)系 ? 用鹵族元素 X取代 CH4中的 H， C原子周圍的負(fù)電荷密度較未取代前有所降低，這時(shí) C的 1s電子同原子核結(jié)合的更緊，因此 C1s的結(jié)合能會(huì)提高 ? 元素的電負(fù)性大小次序?yàn)?FOCH ? 分子中某原子的內(nèi)層電子結(jié)合能位移量 ΔE BA同和它結(jié)合的原子電負(fù)性之和有一定的線性關(guān)系 化學(xué)位移與原子氧化態(tài)的關(guān)系 理論上，同一元素隨氧化態(tài)的增高，內(nèi)層電子的結(jié)合能增加，化學(xué)位移增加。 但也有特例，如： Co2+的電子結(jié)合能位移大于 Co3+。 3. X射線光電子能譜儀 ? X射線能譜儀的基本組成，最主要部件：激發(fā)源、能量分析器、電子探測(cè)器 5. XPS譜圖分析 ?XPS譜圖 ?光電子線及伴峰 左圖是表面被氧化且有部分碳污染的金屬鋁的典型的圖譜 是寬能量范圍掃描的全譜 低結(jié)合能端的放大譜 O 和 C 兩條譜線的存在 表明金屬鋁的表面已被部 分氧化并受有機(jī)物的污染 O的 KLL俄歇譜線 相鄰的肩峰則分別對(duì)應(yīng)于 Al2O3中鋁的 2s和 2p軌道的電子 XPS譜圖 XPS全譜 ? 它給出的各個(gè)元素的各個(gè)軌道的結(jié)合能是進(jìn)行定性分析的依據(jù) ? 譜圖的橫坐標(biāo)是電子的結(jié)合能（ eV），縱坐標(biāo)是光電子線的相對(duì)強(qiáng)度
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