ram、sram、sdram、rom、eprom、eeprom、flash等常見存儲器概念辨析(編輯修改稿)
2025-08-31 22:42 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 D 發(fā)生的次數(shù)要比NOR 多），一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。 一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上，這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。 當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤糾正（EDC/ECC）算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于 NAND 閃存，NAND 的供貨商建議使用 NAND 閃存的時候，同時使用 EDC/ECC 算法。 這個問題對于用 NAND 存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其它敏感信息時，必須使用 EDC/ECC 系統(tǒng)以確?？煽啃?。 壞塊處理 NAND 器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價太高，根本不劃算。 NAND 器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導(dǎo)致高故障率。 六、易于使用 可以非常直接地使用基于 NOR 的閃存，可以像其它內(nèi)存那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。 由于需要 I/O 接口，NAND 要復(fù)雜得多。各種 NAND 器件的存取方法因廠家而異。 在使用 NAND 器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其它操作。向 NAND 器件寫入信息需要相當?shù)募记?，因為設(shè)計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在 NAND 器件上自始至終都必須進行虛擬映像。 七、軟件支持 當討論軟件支持的時候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。 在 NOR 器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在 NAND 器件上進行同樣操作時，通常需要驅(qū)動程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序（MTD），NAND 和 NOR 器件在進行寫入和擦除操作時都需要 MTD。 八、典型的 NOR 閃存（Strata Flash） Strata Flash 是 Intel 公司產(chǎn)的典型 Nor Flash， 本機使用的Strata Flash 是該系列中的 28F320J3，該閃存的內(nèi)部邏輯框圖如圖101： 它的特性如下： 1) 問速度有 110ns/120ns 和150ns 共 3 檔 2) 具備128bit 加密寄存器 3) 塊尺寸：128KB 九、典型的 NAND 閃存（K9S5608） K9S5608 是韓國 Samsung 公司所產(chǎn)的 256MBit（32MByte） SMC 卡（外形封裝成卡片形式的） NAND 閃存。下圖是K9S5608的內(nèi)部邏輯框圖。圖102K9S5608 具有以下特性： （1） 32MByte 存儲空間的結(jié)構(gòu)為：（32M＋1024K）bit8bit（見圖103） （2） 支持自動編程和擦除模式 （3） 10uS 隨即頁面讀寫 （4） 200uS 快速頁面擦除周期 （5） 具備硬件寫保護功能 （6） 擦/寫壽命：10 萬次 （7） 資料保存壽命：10 年 RAM 有兩大類： 1) 靜態(tài)RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非?？欤悄壳白x寫最快的存儲設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。 2) 動態(tài)RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內(nèi)存就是DRAM的。 DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM?！ DR RAM（DoubleDateRate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。 這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標準～Rambus DRAM。 在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多種： 1) PROM(可編程ROM)，是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了； 2) EPROM (可擦除可編程ROM)，是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。 3) EEPROM，是通過電子擦除，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢?！ ∨e個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通話記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。內(nèi)存工作原理 內(nèi)存是用來存放當前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存(即DRAM)。 動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”，指的是當我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作?！ 【唧w的工作過程是這樣的： 一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0?！ 〉珪r間一長，代表1的電容
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