20xx半導體期末考試試卷-zhujun(編輯修改稿)
2025-08-31 08:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 二、證明題：（8分）由金屬－SiO2－P型硅組成的MOS結(jié)構(gòu)，當外加的電壓使得半導體表面載流子濃度ns 與內(nèi)部多數(shù)載流子濃度Pp0相等時作為臨界強反型層條件，試證明：此時半導體的表面勢為：證明：設(shè)半導體的表面勢為VS，則表面的電子濃度為： （2分）當ns=pp0時，有： （1分） （1分）另外： （2分）比較上面兩個式子，可知VS=2VB飽和電離時，Pp0=NA,即： （1分）故： （1分）三、簡答題（32分） 解釋什么是Schottky接觸和歐姆接觸，并畫出它們相應的IV曲線？（8分）答：金屬與中、低摻雜的半導體材料接觸，在半導體表面形成多子的勢壘即阻擋層，其厚度并隨加在金屬上的電壓改變而變化，這樣的金屬和半導體的接觸稱為Schottky接觸。（2分）金屬和中、低摻雜的半導體材料接觸，在半導體表面形成多子的勢阱即反阻擋層，或金屬和重摻雜的半導體接觸，半導體表面形成極薄的多子勢壘，載流子可以隧穿過該勢阱，形成隧穿電流，其電流－電壓特性滿足歐姆定律。（2分）IIVVSchottky 勢壘接觸的IV特性 歐姆接觸的IV特性 （2分） （2分） 試畫出n型半導體構(gòu)成的理想的MIS結(jié)構(gòu)半導體表面為積累、耗盡、反型時能帶圖和對應的的電荷分布圖？(33分＝9分)解：對n型半導體的理想MIS結(jié)構(gòu)的在不同的柵極電壓下，當電壓從正向偏置到負電壓是，在半導體表面會出現(xiàn)積累、耗盡、反型現(xiàn)象，其對應的能帶和電荷分布圖如下：Ec
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