20xx半導(dǎo)體期末考試試卷-zhujun(完整版)
【正文】 、n型反阻擋層1歐姆接觸是指（ D ）的金屬－半導(dǎo)體接觸。晶格振動散射導(dǎo)致遷移率下降，但載流子濃度升高很快，故電阻率ρ隨溫度T升高而下降；（2分） 試比較半導(dǎo)體中淺能級雜質(zhì)和深能級雜質(zhì)對其電學(xué)參數(shù)的影響，并說明它們在實踐中的不同應(yīng)用。 （3分）(3) Ag和pSi接觸后形成的阻擋層的勢壘高度為： （2分） 一個理想的MOS電容器結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體襯底是摻雜濃度NA=1015cm3的p型硅。深能級雜質(zhì)在常溫下，較難電離，并且和淺能級雜質(zhì)相比，摻雜濃度不高，故對載流子的濃度影響不大，但在半導(dǎo)體中可以起有效的復(fù)合中心或陷阱作業(yè)，對載流子的復(fù)合作用很強。A．鈉離子； B硅離子.；；；E. 正電壓；F. 負電壓 二、證明題：（8分）由金屬－SiO2－P型硅組成的MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)外加的電壓使得半導(dǎo)體表面載流子濃度ns 與內(nèi)部多數(shù)載流子濃度Pp0相等時作為臨界強反型層條件，試證明：此時半導(dǎo)體的表面勢為：證明：設(shè)半導(dǎo)體的表面勢為VS，則表面的電子濃度為： （2分）當(dāng)ns=pp0時，有： （1分） （1分）另外： （2分）比較上面兩個式子，可知VS=2VB飽和電離時，Pp0=NA,即： （1分）故： （1分）三、簡答題（32分） 解釋什么是Schottky接觸和歐姆接觸，并畫出它們相應(yīng)的IV曲線？（8分）答：金屬與中、低摻雜的半導(dǎo)體材料接觸，在半
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