半導(dǎo)體名詞解釋(編輯修改稿)
2025-08-30 01:25 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 60。 什幺是 device breakdown voltage? 答：指崩潰電壓（擊穿電壓），在 Vg=Vs=0時，Vd所能承受的最大電壓，當(dāng)Vd大于此電壓時，源、漏之間形成導(dǎo)電溝道而不受柵壓的影響。在器件越做越小的情況下，這種情形會將會越來越嚴重。42. 何謂ILD? IMD? 其目的為何？ 答： ILD ：Inter Layer Dielectric, 是用來做device 與 第一層metal 的隔離（isolation），而IMD：Inter Metal Dielectric，是用來做metal 與 metal 的隔離（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。43. 一般介電層ILD的形成由那些層次組成？ 答：① SiON層沉積(用來避免上層B,P滲入器件)；② BPSG（摻有硼、磷的硅玻璃）層沉積；③ PETEOS（等離子體增強正硅酸乙脂）層沉積；最后再經(jīng)ILD Oxide CMP(SiO2的化學(xué)機械研磨)來做平坦化。44. 一般介電層IMD的形成由那些層次組成？ 答：① SRO層沉積(用來避免上層的氟離子往下滲入器件)；② HDPFSG（摻有氟離子的硅玻璃）層沉積。 ③ PEFSG（等離子體增強,摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；使用FSG的目的是用來降低dielectric k值, 減低金屬層間的寄生電容。最后再經(jīng)IMD Oxide CMP(SiO2的化學(xué)機械研磨)來做平坦化。45. 簡單說明Contact(CT)的形成步驟有那些? 答：Contact是指器件與金屬線連接部分，分布在poly、AA上。① Contact的Photo（光刻）；② Contact的Etch及光刻膠去除(ash amp。 PR strip)；③ Glue layer（粘合層）的沉積；④ CVD W（鎢）的沉積⑤ WCMP 。46. Glue layer（粘合層）的沉積所處的位置、成分、薄膜沉積方法是什幺？ 答：因為W較難附著在Salicide上,所以必須先沉積只Glue layer再沉積WGlue layer是為了增強粘合性而加入的一層。主要在salicide與W(CT)、W(VIA)與metal之間, 其成分為Ti和TiN, 分別采用PVD 和CVD方式制作。47. 為何各金屬層之間的連接大多都是采用CVD的Wplug(鎢插塞)? 答：① 因為W有較低的電阻； ② W有較佳的step coverage(階梯覆蓋能力)。48. 一般金屬層(metal layer)的形成工藝是采用哪種方式?大致可分為那些步驟? 答：① PVD (物理氣相淀積) Metal film 沉積② 光刻(Photo)及圖形的形成；③ Metal film etch 及plasma(等離子體)清洗（此步騶為連序工藝，在同一個機臺內(nèi)完成，其目的在避免金屬腐蝕）④ Solvent光刻膠去除。49. Top metal和inter metal的厚度，線寬有何不同? 答：Top metal通常要比inter metal厚得多， metal為4KA,而top metal直接與外部電路相接，所承受負載較大。一般top metal 的線寬也比 inter metal寬些。50. 在量測Contact /Via（是指metal與metal之間的連接）的接觸窗開的好不好時, 我們是利用什幺電性參數(shù)來得知的? 答：通過Contact 或Via的 Rc值，Rc值越高，代表接觸窗的電阻越大, 一般來說我們希望Rc 是越小越好的。 51. 什幺是Rc? Rc代表什幺意義？ 答：接觸窗電阻，具體指金屬和半導(dǎo)體（contact）或金屬和金屬(via)，在相接觸時在節(jié)處所形成的電阻，一般要求此電阻越小越好。52. 影響Contact (CT) Rc的主要原因可能有哪些? 答：①ILD CMP 的厚度是否異常；②CT 的CD大??；③CT 的刻蝕過程是否正常；④接觸底材的質(zhì)量或濃度（Salicide，nonsalicide)；⑤CT的glue layer（粘合層）形成；⑥CT的Wplug。53. 在量測Poly/metal導(dǎo)線的特性時, 是利用什幺電性參數(shù)得知? 答：可由電性量測所得的spacing amp。 Rs 值來表現(xiàn)導(dǎo)線是否異常。54. 什幺是spacing?如何量測? 答：在電性測量中，給一條線(poly or metal)加一定電壓，測量與此線相鄰但不相交的另外一線的電流，此電流越小越好。當(dāng)電流偏大時代表導(dǎo)線間可能發(fā)生短路的現(xiàn)象。55. 什幺是 Rs? 答：片電阻（單位面積、單位長度的電阻），用來量測導(dǎo)線的導(dǎo)電情況如何。一般可以量測的為 AA(N+,P+), poly amp。 metal.56. 影響Rs有那些工藝? 答：① 導(dǎo)線line（AA, poly amp。 metal）的尺寸大小。(CD=critical dimension)② 導(dǎo)線line（poly amp。 metal）的厚度。③ 導(dǎo)線line (AA, poly amp。 metal) 的本身電導(dǎo)性。（在AA, poly line 時可能為注入離子的劑量有關(guān)）57. 一般護層的結(jié)構(gòu)是由哪三層組成? 答：① HDP Oxide(高濃度等離子體二氧化硅)② SRO Oxide（Silicon rich oxygen富氧二氧化硅）③ SiN Oxide58. 護層的功能是什幺? 答：使用oxide或SiN層, 用來保護下層的線路，以避免與外界的水汽、空氣相接觸而造成電路損害。59.1
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