半導(dǎo)體名詞解釋-預(yù)覽頁
【正文】 ive 元素(3價電荷元素, 例如：B、In)的硅片。硅片的制造就是依據(jù)客戶的要求，不斷的在不同工藝過程（module）間重復(fù)進行的生產(chǎn)過程，最后再利用電性的測試，確保產(chǎn)品良好。 答：Laser mark 是用來刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份證一樣,一個ID代表一片硅片的身份。 一般硅片的制造(wafer process)過程包含哪些主要部分？②后段（backend）金屬導(dǎo)線的連接及護層（passivation）14. 答：STI: Shallow Trench Isolation(淺溝道隔離)，STI可以當(dāng)做兩個組件（device）間的阻隔, 避免兩個組件間的短路.16.17.19. Poly（多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些?22. 答：用來當(dāng)器件的介電層，利用不同厚度的 gate oxide ,可調(diào)節(jié)柵極電壓對不同器件進行開關(guān)24.25. 答：在柵極(Poly)的兩旁用dielectric（介電質(zhì)）形成的側(cè)壁，主要由Ox/SiN/Ox組成。 Spacer的主要功能?29.③使注入離子移動到適當(dāng)?shù)木Ц裎恢谩?SAB是什幺的縮寫? 目的為何？ 的保護下硅片不與其它Ti, Co形成硅化物(salicide)31.②remain oxide (殘留氧化層的厚度)。 32. (用來形成Ti的晶相轉(zhuǎn)化, 降低其阻值)。 MOS器件的主要特性是什幺？35. 答：飽和電流。 在工藝制作過程中哪些工藝可以影響到Idsat?38.39. 答：① SiON層沉積(用來避免上層B,P滲入器件)；② BPSG（摻有硼、磷的硅玻璃）層沉積；③ PETEOS（等離子體增強正硅酸乙脂）層沉積；最后再經(jīng)ILD Oxide CMP(SiO2的化學(xué)機械研磨)來做平坦化。 一般介電層IMD的形成由那些層次組成？ ③ PEFSG（等離子體增強,摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；使用FSG的目的是用來降低dielectric k值, 減低金屬層間的寄生電容。 答：Contact是指器件與金屬線連接部分，分布在poly、AA上。47. 答：① PVD (物理氣相淀積) Metal film 沉積② 光刻(Photo)及圖形的形成；③ Metal film etch 及plasma(等離子體)清洗（此步騶為連序工藝，在同一個機臺內(nèi)完成，其目的在避免金屬腐蝕）④ Solvent光刻膠去除。 Top metal和inter metal的厚度，線寬有何不同?一般top metal 的線寬也比 inter metal寬些。 在量測Contact /Via（是指metal與metal之間的連接）的接觸窗開的好不好時, 我們是利用什幺電性參數(shù)來得知的? 51. 答：可由電性量測所得的spacing amp。 答：在電性測量中，給一條線(poly or metal)加一定電壓，測量與此線相鄰但不相交的另外一線的電流，此電流越小越好。 答：片電阻（單位面積、單位長度的電阻），用來量測導(dǎo)線的導(dǎo)電情況如何。 答：① 導(dǎo)線line（AA, poly amp。③ 導(dǎo)線line 護層的功能是什幺?59. 答：① 器件特性測試；② Contact resistant (Rc)；③ Sheet resistant (Rs)；④ Break down test；⑤ 電容測試；⑥ Isolation (spacing test)。 什么是WAT Watch系統(tǒng)? 它有什么功能?63. 什么是EN? EN有何功能或用途?66. BR工程師每天來公司需要Check哪些項目(開門五件事)? 70. 答：針對工藝中產(chǎn)生缺陷的成因進行追蹤，數(shù)據(jù)收集與分析，改善評估等工作。 答：① 降低突發(fā)性異常狀況。 答：有效監(jiān)控各生產(chǎn)機臺及工藝上的缺陷現(xiàn)況, defect level異常升高時迅速予以查明，并協(xié)助異常排除與防止再發(fā)。 如何improve base line defect?持續(xù)不斷推動機臺與工藝缺陷改善活動，降低defect level使產(chǎn)品良率于穩(wěn)定中不斷提升75.③ 開發(fā)并建立有效率的缺陷工程系統(tǒng)，提升缺陷分析與改善的能力。 答：Wafer上存在的有形污染與不完美，包括② 化學(xué)性污染（如：殘留化學(xué)藥品，有機溶劑）。④ 設(shè)備零件老化與制程反應(yīng)中所產(chǎn)生的副生成物。 Defect的種類依掉落位置區(qū)分可分為? YE一般的工作流程? 答：缺陷掃描機 (defect inspection tool) result file.82. 答：Bright field amp。 何謂 Bright field? Bright field 與 Dark field 何者掃描速度較快? Review tool 有哪幾種？ 何為SEM review tool? YMS為何縮寫? ② 回收review station分類后的資料 那些站點要Scan② 每隔多少Lot要掃1個Lot③ 每個Lot要掃幾片Wafer④ 每片Wafer要掃多少區(qū)域95.96.③ 容易作線上缺陷分析的站點。 何謂Zone partition98.③ 利用工程實驗經(jīng)由較細(xì)的Zone partition可辨認(rèn)缺陷發(fā)生的確切站點或機臺99.101.160
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